[發(fā)明專利]傳感器裝置及其方法和存儲介質(zhì)

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 202210120660.8
• 申請日: 2022-02-07
• 公開（公告）號: CN115984079A
• 公開（公告）日: 2023-04-18
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 付賡
• 申請（專利權(quán)）人: 動態(tài)AD有限責任公司
• 主分類號: G06T1/00
• 分類號: G06T1/00;G06T7/73;G06T7/90;G06T19/00
• 代理公司: 北京林達劉知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11277
• 代理人: 劉新宇

1.一種傳感器裝置，包括：

多個像素，其中所述多個像素并聯(lián)連接，并且其中，所述多個像素中的至少一個像素包括：

第一類型的光電二極管，其中所述第一類型的光電二極管從在環(huán)境中發(fā)射的光捕獲反射并且輸出三維位置信息即3D位置信息和反射率信息；以及

具有濾波器的第二類型的光電二極管，其中所述第二類型的光電二極管捕獲所述環(huán)境中的經(jīng)濾波的反射，其中濾色器將所述經(jīng)濾波的反射中的數(shù)據(jù)分離成由所述第二類型的光電二極管輸出的顏色信息，并且其中所述第一類型的光電二極管和所述第二類型的光電二極管并置在共同基板上；

其中，所述多個像素中的所述至少一個像素的3D位置信息和顏色信息由所述傳感器裝置融合并輸出。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的傳感器裝置，其中，所述第一類型的光電二極管是具有內(nèi)部增益的一個或多于一個單光子雪崩二極管即SPAD。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的傳感器裝置，其中，所述第二類型的光電二極管是具有第二內(nèi)部增益的光電二極管。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的傳感器裝置，其中，將深溝槽圖案應(yīng)用到所述共同基板，使得所述第二類型的光電二極管與所述第一類型的光電二極管之間的串擾減少。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的傳感器裝置，其中，位置和反射率數(shù)據(jù)與圖像數(shù)據(jù)在由外部電路處理之前被融合。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的傳感器裝置，其中，所述傳感器裝置是自主運載工具系統(tǒng)的一部分。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的傳感器裝置，其中，所述傳感器裝置輸出所述第一類型的光電二極管和所述第二類型的光電二極管中的一者或兩者以產(chǎn)生連續(xù)的輸出信號。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的傳感器裝置，其中，所述濾色器是具有通常在400納米和700納米之間即400nm和700nm之間的可見光范圍的紅色/綠色/藍色濾波器即RGB濾波器、或者具有通常在700nm和2微米之間即700nm和2μm之間的可見光范圍的近紅外濾波器即NIR濾波器。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的傳感器裝置，其中，所述NIR濾波器具有與SPAD區(qū)域相同或不同的光學特性，其中所述光學特性至少包括傳輸帶寬和衰減因子。

10.一種用于傳感器裝置的方法，包括：

利用第一類型的光電二極管，從在環(huán)境中發(fā)射的光捕獲反射，以獲得位置和反射率信息；

利用第二類型的光電二極管，捕獲顏色信息，其中所述第二類型的光電二極管與濾色器耦接以獲得所述顏色信息，并且其中所述第一類型的光電二極管和所述第二類型的光電二極管并置在共同基板上；以及

以各像素為單位將位置和反射率信息與所述顏色信息融合。

11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的方法，其中，所述第一類型的光電二極管是具有內(nèi)部增益的一個或多于一個單光子雪崩二極管即SPAD。

12.根據(jù)權(quán)利要求10所述的方法，其中，所述第二類型的光電二極管是具有第二內(nèi)部增益的光電二極管。

13.根據(jù)權(quán)利要求10所述的方法，還包括：將深溝槽圖案施加到所述共同基板，使得所述第二類型的光電二極管與所述第一類型的光電二極管的串擾減少。

14.根據(jù)權(quán)利要求10所述的方法，還包括：將位置和反射率數(shù)據(jù)與圖像數(shù)據(jù)在由外部電路處理之前融合。

15.根據(jù)權(quán)利要求10所述的方法，還包括：將融合后的位置和反射率信息以及顏色信息提供到自主運載工具的控制系統(tǒng)。