[發明專利]顯示面板在審
| 申請號: | 202210115922.1 | 申請日: | 2022-02-07 |
| 公開(公告)號: | CN114823807A | 公開(公告)日: | 2022-07-29 |
| 發明(設計)人: | 唐芮 | 申請(專利權)人: | 武漢華星光電半導體顯示技術有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32;H01L51/52 |
| 代理公司: | 深圳紫藤知識產權代理有限公司 44570 | 代理人: | 楊艇要 |
| 地址: | 430079 湖北省武漢市東湖新技術*** | 國省代碼: | 湖北;42 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 顯示 面板 | ||
本申請公開了一種顯示面板,顯示面板包括第一顯示區和第二顯示區,第一顯示區包圍第二顯示區的至少一部分,顯示面板包括襯底、發光層和光學結構層,其中,發光層設置在襯底上,發光層包括多個第一子像素和多個第二子像素,第一子像素對應于第一顯示區,第二子像素對應于第二顯示區,光學結構層設置在發光層遠離襯底的一側,與第一顯示區對應的光學結構層的聚光能力小于與第二顯示區對應的光學結構層的聚光能力。
技術領域
本申請涉及顯示技術領域,尤其涉及一種顯示面板。
背景技術
有機發光二極管顯示面板(Organic Light-Emitting Diode,OLED)具有自發光、驅動電壓低、發光效率高、響應時間短、清晰度與對比度高、近180°視角、使用溫度范圍寬、可實現柔性顯示與大面積全色顯示等諸多優點,被業界公認為是下一代的平面顯示器新興應用技術。
目前普遍使用的是頂發射結構OLED顯示面板,但當前大多數產品使用陰極結構為鎂、銀合金或疊層結構,鎂、銀金屬具有較低的逸出功,保證電子輸出效率;同時銀具有一定的反射效果,與陽極構成共振腔,保證發光層出光經過共振腔效應后提高出光效率。而現有OLED顯示器件為了實現全面屏,會將攝像頭設置在顯示面板下,使得在實現攝像功能時,顯示功能關閉,在實現顯示功能時,屏下攝像頭區域進行顯示,即CUP(Camera Under Panel,屏下攝像頭)技術,但對于具有屏下攝像頭產品的OLED顯示面板而言,在攝像頭投影上方的發光區域,外界光現經過陰極,光強會折損50%左右,陰極的光折損直接影響拍照效果,因此需要在此區域改善陰極結構,提高光透過率。但是,目前的顯示面板易出現在大視角下屏下攝像頭區域較顯示區域的目視偏亮的問題。
故,有必要提出一種新的技術方案,以解決上述技術問題。
發明內容
本申請實施例提供一種顯示面板,用于改善在大視角下對應于感光電子元件的第二顯示區較第一顯示區的目視偏亮的問題。
本申請實施例提供一種顯示面板,包括第一顯示區和第二顯示區,所述第一顯示區包圍所述第二顯示區的至少一部分,所述顯示面板包括:
襯底;
發光層,設置在所述襯底上,所述發光層包括多個第一子像素和多個第二子像素,所述第一子像素對應于所述第一顯示區,所述第二子像素對應于所述第二顯示區;
光學結構層,設置在所述發光層遠離所述襯底的一側,且與所述第一顯示區對應的所述光學結構層的聚光能力小于與所述第二顯示區對應的所述光學結構層的聚光能力。
在本申請實施例提供的顯示面板中,在預定距離條件下,所述第一子像素發射的光線通過與所述第一顯示區對應的所述光學結構層后的照射范圍為第一照射范圍,所述第二子像素發射的光線通過與所述第二顯示區對應的所述光學結構層后的照射范圍為第二照射范圍;其中
所述第一照射范圍大于所述第二照射范圍。
在本申請實施例提供的顯示面板中,所述光學結構層包括第一光學膜層和第二光學膜層,所述第一光學膜層的折射率小于所述第二光學膜層的折射率,所述第一光學膜層包括多個第一開口和多個第二開口,所述第一開口對應于所述第一子像素,所述第二開口對應于所述第二子像素,所述第二光學膜層設置在所述第一光學膜層遠離所述發光層的一面,且填充所述第一開口和所述第二開口。
在本申請實施例提供的顯示面板中,所述第一子像素于所述襯底上的正投影具有第一寬度,所述第一開口于所述襯底上的正投影具有第二寬度,所述第二寬度大于第一寬度,所述第二寬度和所述第一寬度的差值為第一差值;
所述第二子像素于所述襯底上的正投影具有第三寬度,所述第二開口于所述襯底上的正投影具有第四寬度,所述第四寬度大于所述第三寬度,所述第四寬度和所述第三寬度的差值為第二差值;
其中,所述第一差值大于所述第二差值。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





