[發(fā)明專利]顯示面板在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202210115922.1 | 申請日: | 2022-02-07 |
| 公開(公告)號: | CN114823807A | 公開(公告)日: | 2022-07-29 |
| 發(fā)明(設計)人: | 唐芮 | 申請(專利權)人: | 武漢華星光電半導體顯示技術有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32;H01L51/52 |
| 代理公司: | 深圳紫藤知識產權代理有限公司 44570 | 代理人: | 楊艇要 |
| 地址: | 430079 湖北省武漢市東湖新技術*** | 國省代碼: | 湖北;42 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 顯示 面板 | ||
1.一種顯示面板,其特征在于,包括第一顯示區(qū)和第二顯示區(qū),所述第一顯示區(qū)包圍所述第二顯示區(qū)的至少一部分,所述顯示面板包括:
襯底;
發(fā)光層,設置在所述襯底上,所述發(fā)光層包括多個第一子像素和多個第二子像素,所述第一子像素對應于所述第一顯示區(qū),所述第二子像素對應于所述第二顯示區(qū);
光學結構層,設置在所述發(fā)光層遠離所述襯底的一側,且與所述第一顯示區(qū)對應的所述光學結構層的聚光能力小于與所述第二顯示區(qū)對應的所述光學結構層的聚光能力。
2.根據(jù)權利要求1所述的顯示面板,其特征在于,在預定距離條件下,所述第一子像素發(fā)射的光線通過與所述第一顯示區(qū)對應的所述光學結構層后的照射范圍為第一照射范圍,所述第二子像素發(fā)射的光線通過與所述第二顯示區(qū)對應的所述光學結構層后的照射范圍為第二照射范圍;其中
所述第一照射范圍大于所述第二照射范圍。
3.根據(jù)權利要求1所述的顯示面板,其特征在于,所述光學結構層包括第一光學膜層和第二光學膜層,所述第一光學膜層的折射率小于所述第二光學膜層的折射率,所述第一光學膜層包括多個第一開口和多個第二開口,所述第一開口對應于所述第一子像素,所述第二開口對應于所述第二子像素,所述第二光學膜層設置在所述第一光學膜層遠離所述發(fā)光層的一面,且填充所述第一開口和所述第二開口。
4.根據(jù)權利要求3所述的顯示面板,其特征在于,所述第一子像素于所述襯底上的正投影具有第一寬度,所述第一開口于所述襯底上的正投影具有第二寬度,所述第二寬度大于第一寬度,所述第二寬度和所述第一寬度的差值為第一差值;
所述第二子像素于所述襯底上的正投影具有第三寬度,所述第二開口于所述襯底上的正投影具有第四寬度,所述第四寬度大于所述第三寬度,所述第四寬度和所述第三寬度的差值為第二差值;
其中,所述第一差值大于所述第二差值。
5.根據(jù)權利要求4所述的顯示面板,其特征在于,所述第一差值大于1.5微米且小于或等于5微米,所述第二差值小于或等于1.5微米。
6.根據(jù)權利要求4所述的顯示面板,其特征在于,所述第一開口與所述第一光學膜層的底面具有第一夾角,所述第二開口與所述第一光學膜層的底面具有第二夾角,所述第一夾角和所述第二夾角均小于90度,且所述第一夾角小于或等于所述第二夾角。
7.根據(jù)權利要求3所述的顯示面板,其特征在于,所述第一開口與所述第一光學膜層的底面具有第一夾角,所述第二開口與所述第一光學膜層的底面具有第二夾角,所述第一夾角和所述第二夾角均小于90度,且所述第一夾角小于所述第二夾角。
8.根據(jù)權利要求7所述的顯示面板,其特征在于,所述第一夾角大于或等于15度且小于或等于60度,所述第二夾角大于60度且小于90度。
9.根據(jù)權利要求7所述的顯示面板,其特征在于,所述第一子像素于所述襯底上的正投影具有第一寬度,所述第一開口于所述襯底上的正投影具有第二寬度,所述第二寬度大于第一寬度,所述第二寬度和所述第一寬度的差值為第一差值;
所述第二子像素于所述襯底上的正投影具有第三寬度,所述第二開口于所述襯底上的正投影具有第四寬度,所述第四寬度大于第三寬度,所述第四寬度和所述第三寬度的差值為第二差值;
其中,所述第一差值大于或等于所述第二差值。
10.根據(jù)權利要求3所述的顯示面板,其特征在于,與所述第一顯示區(qū)對應的所述第二光學膜層的折射率小于與所述第二顯示區(qū)對應的所述第二光學膜層的折射率。
11.根據(jù)權利要求10所述的顯示面板,其特征在于,與所述第一顯示區(qū)對應的所述第二光學膜層的折射率大于或等于1.25且小于或等于1.65,與所述第二顯示區(qū)對應的所述第二光學膜層的折射率大于或等于1.5且小于或等于1.9。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





