[發明專利]基板污染物分析裝置及基板污染物分析方法在審
| 申請號: | 202210114028.2 | 申請日: | 2016-03-10 |
| 公開(公告)號: | CN114464546A | 公開(公告)日: | 2022-05-10 |
| 發明(設計)人: | 田弼權;丘大煥;樸準虎;樸相絢;成墉益 | 申請(專利權)人: | 非視覺污染分析科學技術有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/66 | 分類號: | H01L21/66;H01L21/67;G01V8/10;G01B7/14 |
| 代理公司: | 北京聿宏知識產權代理有限公司 11372 | 代理人: | 吳大建;張曉梅 |
| 地址: | 韓國京畿*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 污染物 分析 裝置 方法 | ||
本發明的基板污染物分析裝置,作為接受引入的半導體制造工藝中的監控晶圓并進行氣相沉積之后,將利用掃描噴嘴掃描所述監控晶圓的樣品溶液通過流路從所述掃描噴嘴移送到分析器為止,以所述分析器進行分析的基板污染物分析裝置,其特征在于,包括:再生單元,為了再利用完成所述掃描的所述監控晶圓,利用至少包括酸系列或堿系列的化學品的溶液處理所述監控晶圓。
技術領域
本發明涉及一種能夠以In-Line分析金屬原子等的污染物的基板污染物分析裝置及基板污染物分析方法。
背景技術
已公開的現有半導體晶圓的污染物分析裝置有韓國授權專利第3833264號(2003.5.9公告),所述污染物分析裝置公開了為分析被吸附到晶圓表面的金屬性污染源而自動掃描晶圓表面以捕集污染物的裝置的結構等。
但是,所述基板污染物分析裝置需要將掃描的樣品裝入樣品杯中,由作業者將其帶走并用分析器分析,因此需要作業者的隨時確認及作業時間,存在移動過程中的污染及安全性問題,成為實時或迅速分析的阻礙因素。
并且,現有的污染物分析裝置及方法存在掃描及蝕刻等所需的藥液制造上的不便及污染物控制問題、分析器的校準問題及使用過程中降低敏感度的問題、需要廢棄為了分析而使用的監控晶圓的問題等。
所述現有技術的問題及課題的認識并不是本發明的技術領域中的普通技術人員不言自明的,因此不能基于這種認識來判斷與在先技術比較的本發明的創造性。
發明內容
技術問題
本發明的目的在于提供一種能夠解決至少一種以上所述現有技術的問題的基板污染物分析裝置及分析方法,
本發明的目的在于提供一種無需作業者的手動作業且能夠解決移動過程中的污染及安全性問題并能夠實時或迅速分析的基板污染物分析裝置及分析方法。
并且,本發明的目的在于提供一種解決了藥液制造上的不便及污染物控制問題、分析器的校準問題及使用過程中降低敏感度的問題的基板污染物分析裝置及分析方法。
并且,本發明的目的在于提供一種能夠再利用為了分析而使用的監控晶圓的問題的基板污染物分析裝置及分析方法。
并且,本發明的目的在于提供一種能夠以In-Line自動分析的基板污染物分析裝置及基板污染物分析方法。
本發明中要解決的技術問題并不限定于以上涉及的技術問題,未涉及的其他技術問題可通過以下記載被本發明技術領域的普通技術人員所明確理解。
技術手段
本發明的一樣態的基板污染物分析裝置作為將從分析對象基板利用掃描噴嘴掃描的樣品溶液通過流路從所述掃描噴嘴移送到分析器的基板污染物分析裝置,其特征在于,包括:樣品管,具有裝載所述樣品溶液的空間;轉換閥,與所述樣品管結合,至少具有將所述樣品溶液裝載到所述樣品管的裝載部位和將所述裝載的所述樣品溶液噴射到所述分析器處的噴射部位,所述樣品溶液裝載到所述樣品管時所述樣品溶液的前后包括氣體區間,還包括:傳感器,設置在所述樣品管且區分感測所述氣體區間與所述樣品溶液。
根據所述基板污染物分析裝置,其特征在于,所述傳感器為液體傳感器。
根據所述基板污染物分析裝置,其特征在于,所述液體傳感器為光傳感器或近距離傳感器。
根據所述基板污染物分析裝置,其特征在于,在所述裝載部位中所述傳感器感測到的結果為氣體及液體的順序時,判斷為所述樣品溶液從所述掃描噴嘴到達所述樣品管。
根據所述基板污染物分析裝置,其特征在于,在所述噴射部位,所述傳感器感測到的結果為液體及氣體的順序時,判斷為所述樣品溶液向所述分析器處移動。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





