[發明專利]基板污染物分析裝置及基板污染物分析方法

在審

• 申請號: 202210114028.2
• 申請日: 2016-03-10
• 公開（公告）號: CN114464546A
• 公開（公告）日: 2022-05-10
• 發明（設計）人: 田弼權;丘大煥;樸準虎;樸相絢;成墉益
• 申請（專利權）人: 非視覺污染分析科學技術有限公司
• 主分類號: H01L21/66
• 分類號: H01L21/66;H01L21/67;G01V8/10;G01B7/14
• 代理公司: 北京聿宏知識產權代理有限公司 11372
• 代理人: 吳大建;張曉梅

1.一種基板污染物分析裝置，作為接受引入的半導體制造工藝中的監控晶圓并進行氣相沉積之后，將利用掃描噴嘴掃描所述監控晶圓的樣品溶液通過流路從所述掃描噴嘴移送到分析器為止，以所述分析器進行分析的基板污染物分析裝置，其特征在于，包括：再生單元，為了再利用完成所述掃描的所述監控晶圓，利用至少包括酸系列或堿系列的化學品的溶液處理所述監控晶圓。

2.根據權利要求1所述的基板污染物分析裝置，其特征在于，所述酸系列的化學品包括氫氟酸與雙氧水，所述堿系列的化學品包括氫氧化銨與雙氧水。

3.根據權利要求1所述的基板污染物分析裝置，其特征在于，所述再生單元，包括:上部噴嘴，將用于所述處理的溶液噴射到所述監控晶圓的上部面；以及下部噴嘴，將用于所述處理的溶液噴射到所述監控晶圓的下部面。

4.根據權利要求1所述的基板污染物分析裝置，其特征在于，所述分析器為電感耦合等離子體質譜儀，所述分析器的分析被分類為伴隨VPD的破壞分析。

5.根據權利要求1所述的基板污染物分析裝置，其特征在于，所述再生單元包括腔室，所述腔室的內側底部為向一側傾斜的結構。

6.一種基板污染物分析方法，作為接受引入的半導體制造工藝中的監控晶圓并進行氣相沉積之后，將利用掃描噴嘴掃描所述監控晶圓的樣品溶液通過流路從所述掃描噴嘴移送到分析器為止，以通過所述分析器進行分析的基板污染物分析裝置中實施的基板污染物分析方法，其特征在于，包括：再生處理步驟，為了再利用完成所述掃描的所述監控晶圓，利用至少包括酸系列或堿系列的化學品的溶液進行處理。

7.根據權利要求6所述的基板污染物分析方法，所述酸系列的化學品包括氫氟酸與雙氧水，所述堿系列的化學品包括氫氧化銨與雙氧水。

8.根據權利要求6所述的基板污染物分析方法，所述再生處理步驟，對所述監控晶圓的兩面噴射所述溶液來實施。

9.根據權利要求6所述的基板污染物分析方法，所述分析器為電感耦合等離子體質譜儀，所述分析器的分析被分類為伴隨VPD的破壞分析。

10.根據權利要求6所述的基板污染物分析方法，其特征在于，所述再生處理步驟在單獨設置的腔室中進行，所述腔室的內側底部為向一側傾斜的結構。