[發明專利]單晶或多晶硅料堆積棒料整體轉移水爆裝置及其使用方法

在審

• 申請號: 202210112590.1
• 申請日: 2022-01-29
• 公開（公告）號: CN114505149A
• 公開（公告）日: 2022-05-17
• 發明（設計）人: 左召明;余仲元;許慶剛
• 申請（專利權）人: 合肥開比銳精機科技有限公司
• 主分類號: B02C19/18
• 分類號: B02C19/18;B02C21/00;B02C23/00
• 代理公司: 合肥維可專利代理事務所(普通合伙) 34135
• 代理人: 吳明華

本發明公開了一種單晶或多晶硅料堆積棒料整體轉移水爆裝置及其使用方法，包括：用于容納硅料棒料的水爆槽，所述水爆槽為矩形狀結構，且水爆槽的底面以底面向上延伸的四周均為密封狀結構；用于加熱并轉移硅料棒料的第一裝置部；用于加熱并轉移硅料棒料的第二裝置部，所述第二裝置部位于水爆槽的另一側向，第二裝置部沿水爆槽另一側向的長度方向延伸設置，且第二裝置部具有第二輸入端和第二輸出端，所述第二裝置部的第二輸入端朝向水爆槽并對接水爆槽的開口，第二裝置部的第二輸出端遠離水爆槽；第一裝置部、水爆槽、第二裝置部在同一條水平線上依次排列，硅料棒料自第一裝置部的第一輸入端進入并經過水爆槽，以從第二裝置部的第二輸出端排出。

技術領域

本發明涉及硅料加工技術領域，具體涉及一種單晶或多晶硅料堆積棒料整體轉移水爆裝置及其使用方法。

背景技術

硅是地殼上最豐富的元素半導體，性質優越而工藝技術比較成熟,已成為固態電子器件的主要原料。硅材料是重要的半導體材料，化學元素符號Si，電子工業上使用的硅應具有高純度和優良的電學和機械等性能，硅是產量最大、應用最廣的半導體材料，它的產量和用量標志著一個國家的電子工業水平，為了適應超大規模集成電路的需要，高完整性高均勻度的硅單晶制備技術正在快速發展。

現有技術中，硅料的加工方向為破碎技術，即為通過破碎機將硅料破碎，還有通過熱處理使硅料產生自然破裂或容易破裂的方式，一般通過熱源將硅料加熱，但現有的加工裝置成熟度、集成度均不高，并且不滿足自動連續的工藝需求，容易在過程中出現卡料掉料等情況，導致產率差，為此，我們提出一種單晶或多晶硅料堆積棒料整體轉移水爆裝置及其使用方法。

發明內容

針對上述現有技術存在的問題，本發明提供了一種單晶或多晶硅料堆積棒料整體轉移水爆裝置，包括：用于容納硅料棒料的水爆槽，所述水爆槽為矩形狀結構，水爆槽的開口朝向上方，且水爆槽的底面以底面向上延伸的四周均為密封狀結構；水爆槽內可容納液體，液體包括但不限于為水、冷卻液；

用于加熱并轉移硅料棒料的第一裝置部，所述第一裝置部位于水爆槽的一側向，第一裝置部沿水爆槽一側向的長度方向延伸設置，且第一裝置部具有第一輸入端和第一輸出端，所述第一裝置部的第一輸出端朝向水爆槽并對接水爆槽的開口，第一裝置部的第一輸入端遠離水爆槽；

用于加熱并轉移硅料棒料的第二裝置部，所述第二裝置部位于水爆槽的另一側向，第二裝置部沿水爆槽另一側向的長度方向延伸設置，且第二裝置部具有第二輸入端和第二輸出端，所述第二裝置部的第二輸入端朝向水爆槽并對接水爆槽的開口，第二裝置部的第二輸出端遠離水爆槽；

第一裝置部、水爆槽、第二裝置部在同一條水平線上依次排列，硅料棒料自第一裝置部的第一輸入端進入并經過水爆槽，以從第二裝置部的第二輸出端排出。

作為上述方案的進一步優化，所述第一裝置部包括：第一機架，所述第一機架垂直立于地面，第一機架上端設有傳送帶機構，傳送帶機構的表面具有多個用于卡合硅料棒料的排座；所述排座包括:四個縱向排列的立板，立板的上端均設有匹配硅料棒料的弧形口，所述硅料棒料放置在排座上時，硅料棒料的下端貼合立板的弧形口。

所述傳送帶機構的首端為第一裝置部的第一輸入端，傳送帶機構的末端為第一裝置部的第一輸出端。

作為上述方案的進一步優化，所述第一機架上方的具有第一機罩，第一機罩具有頂面和側面，第一機罩將第一機架的上方包圍，所述第一機架的下方具有第一產熱箱，第一產熱箱輸出熱量的方向為垂直向上；所述第一機罩的外圍具有第一氣管、第二氣管，第一氣管通過多個支管連通第一機罩的側面，第二氣管通過多個支管連通第一機罩的頂面。

作為上述方案的進一步優化，所述第一機罩的長度大于第一機架的長度，第一機罩的一端延伸至水爆槽的上方。