[發明專利]半導體器件和半導體器件的制造方法在審
| 申請號： | 202210111341.0 | 申請日： | 2022-01-29 |
| 公開（公告）號： | CN114864528A | 公開（公告）日： | 2022-08-05 |
| 發明（設計）人： | 周安樂;王飛瑩;李家誠;王志偉 | 申請（專利權）人： | 安世有限公司 |
| 主分類號： | H01L23/49 | 分類號： | H01L23/49;H01L25/07;H01L23/31 |
| 代理公司： | 北京天昊聯合知識產權代理有限公司 11112 | 代理人： | 李彥伯;龍濤峰 |
| 地址： | 荷蘭*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 半導體器件 制造 方法 | ||
1.一種半導體器件包括：
第一管芯，
第二管芯，其定位在所述第一管芯的頂部上，所述第二管芯使用管芯附接粘合劑或焊料附接，
密封劑，其沉積在所述半導體器件的頂部，所述密封劑覆蓋所述第一管芯和所述第二管芯，
金屬化導通孔，其在所述密封劑內，其中，所述金屬化導通孔布置成將所述第一管芯的端子和所述第二管芯的端子分布到所述半導體器件的頂面。
2.根據權利要求1所述的半導體器件，其中，所述第一管芯是GaN HEMT管芯。
3.根據前述權利要求中任一項所述的半導體器件，其中，所述第二管芯是MOSFET管芯。
4.根據權利要求3所述的半導體器件，其中，所述MOSFET管芯的柵極端子、所述MOSFET管芯的源極端子、所述GaN HEMT管芯的柵極端子和所述GaN HEMT管芯的漏極端子經由所述金屬化導通孔分布到所述半導體器件的所述頂面。
5.根據前述權利要求中任一項所述的半導體器件，其中，所述半導體器件是電力半導體器件。
6.一種制造半導體器件的方法，所述方法包括以下步驟：
將第一管芯附接在膜載體上，
使用管芯附接粘合劑或焊料將第二管芯附接在所述第一管芯上，
固化所述管芯附接粘合劑或焊料，
利用模塑料或其它密封劑來密封所述第一管芯和所述第二管芯，
利用激光在所述密封劑內鉆孔出導通孔直至所述第一管芯的焊盤和所述第二管芯的焊盤，
使所述導通孔金屬化，以便為所述第一管芯和為所述第二管芯建立電接觸，
在所述密封劑上燒結厚Cu膜或替代的金屬膜，以便產生所述半導體器件的端子，
分割所述半導體器件。
7.根據權利要求6所述的制造半導體器件的方法，其中，所述方法包括在所述厚Cu膜上沉積有機可焊性保護劑以防止Cu氧化的步驟。
8.根據權利要求6或7所述的制造半導體器件的方法，其中，所述第一管芯是GaN HEMT管芯，并且其中所述第二管芯是MOSFET管芯。
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