[發(fā)明專(zhuān)利]顯示裝置、顯示面板及其制作方法

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• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202210110825.3
• 申請(qǐng)日: 2022-01-29
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN114597168A
• 公開(kāi)（公告）日: 2022-06-07
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 張慧娟;宋尊慶;李棟
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 京東方科技集團(tuán)股份有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): H01L21/77
• 分類(lèi)號(hào): H01L21/77;H01L27/12
• 代理公司: 北京律智知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11438
• 代理人: 王輝;闞梓瑄

本公開(kāi)提供了一種顯示裝置、顯示面板及其制作方法，涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域。該顯示面板制作方法包括：在基板上堆疊多個(gè)膜層至第一晶體管中的第一源漏極金屬層；在第一源漏極金屬層上沉積第一平坦化層，圖形化第一平坦化層并形成開(kāi)孔，保留第一源漏極金屬層；在第一晶體管上堆疊多個(gè)膜層形成第二晶體管；確定第一晶體管與第二晶體管進(jìn)行搭接的轉(zhuǎn)接區(qū)域；在轉(zhuǎn)接區(qū)域，通過(guò)第二晶體管中的金屬層與第一晶體管中的第一源漏極金屬層搭接，形成第一晶體管和第二晶體管之間的轉(zhuǎn)接。通過(guò)本公開(kāi)提供的顯示面板制作方法，該制作方法可以整合應(yīng)用在面板制程中，實(shí)現(xiàn)具有堆疊結(jié)構(gòu)的薄膜晶體管的上下層的電連接，節(jié)省了布局空間。

技術(shù)領(lǐng)域

本公開(kāi)涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，具體而言，涉及一種顯示裝置、顯示面板及制作方法。

背景技術(shù)

隨著人們對(duì)高分辨率和刷新率的顯示需求的不斷提升，顯示裝置的相關(guān)性能也在不斷提升，目前，在業(yè)內(nèi)高分辨率領(lǐng)域中，堆疊結(jié)構(gòu) TFT(Thin Film Transistor，薄膜晶體管)設(shè)計(jì)可以實(shí)現(xiàn)像素電路的非同層排版，節(jié)省了布局空間。

對(duì)于堆疊TFT可實(shí)現(xiàn)上下層TFT的電連接，現(xiàn)有技術(shù)中的上下層轉(zhuǎn)接通常采用半導(dǎo)體CPM(Chemical Mechanical Polishing，化學(xué)機(jī)械拋光) 工藝進(jìn)行平坦化，無(wú)法在面板制程中整合應(yīng)用，面板制程過(guò)程工序復(fù)雜。

需要說(shuō)明的是，在上述背景技術(shù)部分公開(kāi)的信息僅用于加強(qiáng)對(duì)本公開(kāi)的背景的理解，因此可以包括不構(gòu)成對(duì)本領(lǐng)域普通技術(shù)人員已知的現(xiàn)有技術(shù)的信息。

發(fā)明內(nèi)容

本公開(kāi)的目的在于克服現(xiàn)有技術(shù)的不足，提供一種顯示裝置、顯示面板及其制作方法。

本公開(kāi)的其他特性和優(yōu)點(diǎn)將通過(guò)下面的詳細(xì)描述變得顯然，或部分地通過(guò)本公開(kāi)的實(shí)踐而習(xí)得。

根據(jù)本公開(kāi)的一個(gè)方面，提供了一種顯示面板制作方法，該方法包括：

提供基板，在所述基板上堆疊多個(gè)膜層至第一晶體管中的第一源漏極金屬層，所述第一晶體管包括第一有源層；

在所述第一源漏極金屬層上沉積第一平坦化層，圖形化所述第一平坦化層并形成開(kāi)孔，保留所述第一源漏極金屬層；

在所述第一晶體管上堆疊多個(gè)膜層形成第二晶體管，所述第二晶體管包括第二有源層，所述第一有源層與所述第二有源層在所述基板上的正投影至少部分重疊；

確定所述第一晶體管與所述第二晶體管進(jìn)行搭接的轉(zhuǎn)接區(qū)域，所述第一晶體管與所述第二晶體管的轉(zhuǎn)接區(qū)域在所述基板上的投影重疊；

在所述轉(zhuǎn)接區(qū)域，通過(guò)所述第二晶體管中的金屬層與所述第一晶體管中的第一源漏極金屬層搭接，形成所述第一晶體管和所述第二晶體管之間的轉(zhuǎn)接；

其中，所述基板上形成至少一個(gè)所述第一晶體管和至少一個(gè)所述第二晶體管。

在本公開(kāi)的一些實(shí)施例中，基于前述方案，所述通過(guò)所述第二晶體管中的金屬層與所述第一晶體管中的第一源漏極金屬層搭接，包括：

在所述第一晶體管上沉積第一緩沖層，在所述第二轉(zhuǎn)接區(qū)域內(nèi)，形成所述第一緩沖層的轉(zhuǎn)接孔；

在所述第一緩沖層上沉積第三柵極金屬層，所述第三柵極金屬層為所述第二晶體管的底柵，將所述第三柵極金屬層與所述第一源漏極金屬層搭接。

在本公開(kāi)的一些實(shí)施例中，基于前述方案，所述將所述柵極金屬層與所述第一源漏極金屬層搭接后，還包括：

在所述柵極金屬層上沉積第二緩沖層，在所述第二轉(zhuǎn)接區(qū)域內(nèi)，對(duì)所述第二緩沖層進(jìn)行開(kāi)孔；

在所述第二緩沖層上沉積第二有源層，并圖形化所述第二有源層，使所述第二有源層與所述第三柵極金屬層相連。