[發(fā)明專利]顯示裝置、顯示面板及其制作方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202210110825.3 | 申請日: | 2022-01-29 |
| 公開(公告)號: | CN114597168A | 公開(公告)日: | 2022-06-07 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 張慧娟;宋尊慶;李棟 | 申請(專利權(quán))人: | 京東方科技集團(tuán)股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/77 | 分類號: | H01L21/77;H01L27/12 |
| 代理公司: | 北京律智知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11438 | 代理人: | 王輝;闞梓瑄 |
| 地址: | 100015 *** | 國省代碼: | 北京;11 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 顯示裝置 顯示 面板 及其 制作方法 | ||
1.一種顯示面板制作方法,其特征在于,包括:
提供基板,在所述基板上堆疊多個膜層至第一晶體管中的第一源漏極金屬層,所述第一晶體管包括第一有源層;
在所述第一源漏極金屬層上沉積第一平坦化層,圖形化所述第一平坦化層并形成開孔,保留所述第一源漏極金屬層;
在所述第一晶體管上堆疊多個膜層形成第二晶體管,所述第二晶體管包括第二有源層,所述第一有源層與所述第二有源層在所述基板上的正投影至少部分重疊;
確定所述第一晶體管與所述第二晶體管進(jìn)行搭接的轉(zhuǎn)接區(qū)域,所述第一晶體管與所述第二晶體管的轉(zhuǎn)接區(qū)域在所述基板上的投影重疊;
在所述轉(zhuǎn)接區(qū)域,通過所述第二晶體管中的金屬層與所述第一晶體管中的第一源漏極金屬層搭接,形成所述第一晶體管和所述第二晶體管之間的轉(zhuǎn)接;
其中,所述基板上形成至少一個所述第一晶體管和至少一個所述第二晶體管。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示面板制作方法,其特征在于,所述通過所述第二晶體管中的金屬層與所述第一晶體管中的第一源漏極金屬層搭接,包括:
在所述第一晶體管上沉積第一緩沖層,在所述第二轉(zhuǎn)接區(qū)域內(nèi),形成所述第一緩沖層的轉(zhuǎn)接孔;
在所述第一緩沖層上沉積第三柵極金屬層,所述第三柵極金屬層為所述第二晶體管的底柵,將所述第三柵極金屬層與所述第一源漏極金屬層搭接。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的顯示面板制作方法,其特征在于,所述將所述柵極金屬層與所述第一源漏極金屬層搭接后,還包括:
在所述第三柵極金屬層上沉積第二緩沖層,在所述第二轉(zhuǎn)接區(qū)域內(nèi),對所述第二緩沖層進(jìn)行開孔;
在所述第二緩沖層上沉積第二有源層,并圖形化所述第二有源層,使所述第二有源層與所述第三柵極金屬層相連。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示面板制作方法,其特征在于,所述通過所述第二晶體管中的金屬層與所述第一晶體管中的第一源漏極金屬層搭接,包括:
在所述第一晶體管上依次沉積第一緩沖層和第二緩沖層,在所述第二轉(zhuǎn)接區(qū)域內(nèi),對所述第一緩沖層和所述第二緩沖層開孔;
在所述第二緩沖層上沉積轉(zhuǎn)接源漏極金屬層,并圖形化所述轉(zhuǎn)接源漏極金屬層,將所述轉(zhuǎn)接源漏極金屬層與所述第一源漏極金屬層搭接。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的顯示面板制作方法,其特征在于,所述將所述轉(zhuǎn)接源漏極金屬層與所述第一源漏極金屬層搭接后,還包括:
在所述轉(zhuǎn)接源漏極金屬層上沉積第二有源層,并圖形化所述第二有源層,使所述第二有源層與所述轉(zhuǎn)接源漏極金屬層相連。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示面板制作方法,其特征在于,所述通過所述第二晶體管中的金屬層與所述第一晶體管中的第一源漏極金屬層搭接,包括:
在所述第一晶體管上沉積各個膜層至所述第二晶體管的接觸層,并在所述第二轉(zhuǎn)接區(qū)域內(nèi),對所述接觸層開孔;
對所述接觸層下的各個膜層進(jìn)行刻蝕至所述第一平坦化層;
在所述接觸層上沉積第二源漏極金屬層,使所述第二源漏極金屬層與所述第一源漏極金屬層搭接。
7.根據(jù)權(quán)利要6所述的顯示面板制作方法,其特征在于,所述在所述第一晶體管上沉積各個膜層至所述第二晶體管的接觸層,包括:
在所述第一晶體管上依次沉積第一緩沖層、第三柵極金屬層、第二緩沖層、第二有源層及第三柵絕緣層,并圖形化所述第三柵絕緣層;
在所述第三柵絕緣層上進(jìn)行源漏極摻雜后,形成接觸層。
8.一種顯示面板,其特征在于,包括:
基板;
第一晶體管,所述第一晶體管的數(shù)量為至少一個,所述第一晶體管形成在所述基板上;
第二晶體管,所述第二晶體管的數(shù)量為至少一個,所述第二晶體管中的金屬層與所述第一晶體管中的第一源漏極金屬層通過轉(zhuǎn)接區(qū)域的開孔形成搭接。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的顯示面板,其特征在于,所述第二晶體管中的金屬層包括柵極金屬層、轉(zhuǎn)接源漏極金屬層、第二源漏極金屬層中的一個。
10.一種顯示裝置,其特征在于,包括如權(quán)利要求8-9任一項所述的顯示面板。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





