[發明專利]顯示裝置及其制造方法在審
| 申請號: | 202210106838.3 | 申請日: | 2022-01-28 |
| 公開(公告)號: | CN114843310A | 公開(公告)日: | 2022-08-02 |
| 發明(設計)人: | 秋秉權;姜勝培;梁熙星;姜奉求;姜泰旭;曹雨辰 | 申請(專利權)人: | 三星顯示有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32 |
| 代理公司: | 北京銘碩知識產權代理有限公司 11286 | 代理人: | 習瑞恒;李盛泉 |
| 地址: | 韓國京畿*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 顯示裝置 及其 制造 方法 | ||
本發明涉及一種顯示裝置及其制造方法。根據實施例的顯示裝置可以包括:基板;第一信號線和第二信號線,位于所述基板上;以及層間絕緣膜,位于所述第一信號線與所述第二信號線之間,其中,所述層間絕緣膜包括第一部分和第二部分,所述第一部分和所述第二部分的沿與所述基板表面垂直的第一方向從所述基板表面測量的高度不同,所述層間絕緣膜的所述第一部分的表面是平坦的,所述層間絕緣膜的所述第二部分的表面是平坦的,所述第一部分的所述高度低于所述第二部分的所述高度,所述層間絕緣膜具有接觸孔,所述接觸孔位于所述層間絕緣膜的所述第一部分。
技術領域
本發明涉及一種顯示裝置及其制造方法。
背景技術
液晶顯示裝置(LCD:liquid crystal display)、等離子體顯示裝置(PDP:plasmadisplay panel)、有機發光顯示裝置(OLED device:organic light emitting diodedevice)、場效應顯示裝置(FED:field effect display)、電泳顯示裝置(electrophoreticdisplay device)等廣為人知。
其中,有機發光顯示裝置具有自發光(self-luminance)特性,與液晶顯示裝置不同,不需要額外的光源,因此能夠減小厚度和重量。并且,有機發光顯示裝置具有低功耗、高亮度及較快的響應速度等高品質特性。
另外,在顯示裝置的有機膜表面不平坦的情況下,形成于其上的布線可能由于有機膜表面階梯差而短路,在有機膜的厚度太厚的情況下,難以在有機膜形成用于接觸的接觸孔,由此,有機膜的上方和下方的層之間的通過接觸孔的連接可能發生不良。
發明內容
實施例用于提供一種如下的顯示裝置及其制造方法:使顯示裝置的絕緣膜的表面變得平坦,并且容易地在絕緣膜形成接觸孔,從而能夠防止由絕緣膜的階梯差引起的布線的短路及通過接觸孔的連接發生不良。
本發明的目的并不限于上述的目的,其可以在不脫離本發明的思想及領域的范圍內實現多種擴展。
根據實施例的顯示裝置可以包括:基板;第一信號線和第二信號線,位于所述基板上;以及層間絕緣膜,位于所述第一信號線與所述第二信號線之間,其中,所述層間絕緣膜包括第一部分和第二部分,所述第一部分和所述第二部分的沿與所述基板表面垂直的第一方向從所述基板表面測量的高度不同,所述層間絕緣膜的所述第一部分的表面是平坦的,所述層間絕緣膜的所述第二部分的表面是平坦的,所述第一部分的所述高度低于所述第二部分的所述高度,所述層間絕緣膜具有接觸孔,所述接觸孔位于所述層間絕緣膜的所述第一部分。
所述層間絕緣膜的所述第一部分可以與所述第一信號線及所述第二信號線重疊,所述層間絕緣膜的所述接觸孔使所述第一信號線的一部分暴露。
所述第一部分和所述第二部分可以通過研磨而形成。
所述層間絕緣膜可以包括第一層和位于所述第一層上的第二層,位于所述層間絕緣膜的所述第二部分的所述第二層的一部分的所述高度可以與位于所述層間絕緣膜的所述第二部分的所述第一層的一部分的所述高度相同。
所述第一層可以包括硅氮化物,所述第二層可以包括硅氧化物。
所述顯示裝置還可以包括:第一電容器電極和第二電容器電極,將所述層間絕緣膜置于之間而彼此重疊,其中,所述第一電容器電極和所述第二電容器電極可以與所述層間絕緣膜的所述第一部分重疊。
所述顯示裝置還可以包括:第一層間絕緣膜,位于所述第一信號線和所述第二信號線上;以及第三信號線,位于所述第一層間絕緣膜上,其中,所述第一層間絕緣膜可以包括沿所述第一方向從所述基板表面測量的高度不同的第三部分和第四部分,所述第一層間絕緣膜的所述第三部分的表面可以是平坦的,所述第一層間絕緣膜的所述第四部分的表面可以是平坦的。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





