[發(fā)明專利]顯示裝置及其制造方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202210106838.3 | 申請日: | 2022-01-28 |
| 公開(公告)號: | CN114843310A | 公開(公告)日: | 2022-08-02 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 秋秉權(quán);姜勝培;梁熙星;姜奉求;姜泰旭;曹雨辰 | 申請(專利權(quán))人: | 三星顯示有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32 |
| 代理公司: | 北京銘碩知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11286 | 代理人: | 習瑞恒;李盛泉 |
| 地址: | 韓國京畿*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 顯示裝置 及其 制造 方法 | ||
1.一種顯示裝置,包括:
基板;
第一信號線和第二信號線,位于所述基板上;以及
層間絕緣膜,位于所述第一信號線與所述第二信號線之間,
其中,所述層間絕緣膜包括第一部分和第二部分,所述第一部分和所述第二部分的沿與所述基板表面垂直的第一方向從所述基板表面測量的高度不同,
所述層間絕緣膜的所述第一部分的表面是平坦的,所述層間絕緣膜的所述第二部分的表面是平坦的,
所述第一部分的所述高度低于所述第二部分的所述高度,
所述層間絕緣膜具有接觸孔,
所述接觸孔位于所述層間絕緣膜的所述第一部分。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示裝置,其中,
所述層間絕緣膜的所述第一部分與所述第一信號線及所述第二信號線重疊,
所述層間絕緣膜的所述接觸孔使所述第一信號線的一部分暴露。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的顯示裝置,其中,
所述第一部分和所述第二部分通過研磨而形成。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的顯示裝置,其中,
所述層間絕緣膜包括第一層和位于所述第一層上的第二層,
位于所述層間絕緣膜的所述第二部分的所述第二層的一部分的所述高度與位于所述層間絕緣膜的所述第二部分的所述第一層的一部分的所述高度相同。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的顯示裝置,其中,
所述第一層包括硅氮化物,所述第二層包括硅氧化物。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的顯示裝置,其中,還包括:
第一電容器電極和第二電容器電極,將所述層間絕緣膜置于之間而彼此重疊,
其中,所述第一電容器電極和所述第二電容器電極與所述層間絕緣膜的所述第一部分重疊。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的顯示裝置,其中,還包括:
第一層間絕緣膜,位于所述第一信號線和所述第二信號線上;以及
第三信號線,位于所述第一層間絕緣膜上,
其中,所述第一層間絕緣膜包括沿所述第一方向從所述基板表面測量的高度不同的第三部分和第四部分,
所述第一層間絕緣膜的所述第三部分的表面是平坦的,所述第一層間絕緣膜的所述第四部分的表面是平坦的。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的顯示裝置,其中,還包括:
第二層間絕緣膜,位于所述第三信號線上,
其中,所述第二層間絕緣膜包括沿所述第一方向從所述基板表面測量的高度不同的第五部分和第六部分,
所述第二層間絕緣膜的所述第五部分的表面是平坦的,所述第二層間絕緣膜的所述第六部分的表面是平坦的。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示裝置,其中,還包括:
第一電容器電極和第二電容器電極,將所述層間絕緣膜置于之間而彼此重疊,
其中,所述第一電容器電極和所述第二電容器電極與所述層間絕緣膜的所述第一部分重疊。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的顯示裝置,其中,還包括:
第一層間絕緣膜,位于所述第一信號線和所述第二信號線上;以及
第三信號線,位于所述第一層間絕緣膜上,
其中,所述第一層間絕緣膜包括沿所述第一方向從所述基板表面測量的高度不同的第三部分和第四部分,
所述第一層間絕緣膜的所述第三部分的表面是平坦的,所述第一層間絕緣膜的所述第四部分的表面是平坦的。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的顯示裝置,其中,還包括:
第二層間絕緣膜,位于所述第三信號線上,
其中,所述第二層間絕緣膜包括沿所述第一方向從所述基板表面測量的高度不同的第五部分和第六部分,
所述第二層間絕緣膜的所述第五部分的表面是平坦的,所述第二層間絕緣膜的所述第六部分的表面是平坦的。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于三星顯示有限公司,未經(jīng)三星顯示有限公司許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請聯(lián)系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/202210106838.3/1.html,轉(zhuǎn)載請聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內(nèi)或其上形成的多個半導(dǎo)體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導(dǎo)體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導(dǎo)體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導(dǎo)體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結(jié)點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





