[發明專利]一種晶圓干燥裝置及其干燥方法有效
| 申請號: | 202210101619.6 | 申請日: | 2022-01-27 |
| 公開(公告)號: | CN114485074B | 公開(公告)日: | 2023-09-29 |
| 發明(設計)人: | 鄧信甫;徐銘;唐寶國 | 申請(專利權)人: | 上海至純潔凈系統科技股份有限公司;合肥至匯半導體應用技術有限公司 |
| 主分類號: | F26B9/06 | 分類號: | F26B9/06;F26B21/14;F26B25/02;F26B25/00;F26B25/06;F26B25/18;H01L21/67;H01L21/687 |
| 代理公司: | 上海智力專利商標事務所(普通合伙) 31105 | 代理人: | 杜冰云;周濤 |
| 地址: | 200241 *** | 國省代碼: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 干燥 裝置 及其 方法 | ||
本發明公開了一種晶圓干燥裝置及其干燥方法,本發明通過在干燥槽體上蓋合一個槽體頂蓋,在干燥槽體內設置提升機構,利用提升機構將晶圓抬升至槽體頂蓋,且在晶圓提升過程中,通過干燥模組對晶圓進行全方位、無死角干燥,不僅能夠保證空間腔體內氣氛控制與調節,也能夠維持晶圓垂直移動的穩定性,對晶圓進行徹底干燥,提高了晶圓的干燥效率。
技術領域
本發明涉及半導體晶圓清洗干燥設備技術領域,尤其涉及一種晶圓干燥裝置的干燥方法。
背景技術
晶圓制造過程中,由于晶圓表面極易吸附顆粒或有機物等污染物而產生大量缺陷,因而需要晶圓清洗工藝去除這些缺陷,且晶圓清洗技術已經成為使用頻次最高的工藝。隨著集成電路(IC)制造技術的發展,對晶圓表面缺陷的控制越來越嚴格。晶圓干燥作為晶圓清洗的最后一道工藝,采用一定的方式將清洗后殘留在表面上的去離子水剝離。而如果直接采用蒸發的方式,晶圓表面將產生水痕缺陷,即形成新的污染,所以恰當的晶圓干燥技術對保證晶圓表面清潔性至關重要。
目前,最先進的晶圓干燥技術是Marangoni干燥,該干燥技術在將晶圓從去離子水中提拉過程中,通過在氣液界面彎月面處噴射低表面張力物質誘導產生Marangoni效應,從而實現晶圓表面卷吸水膜的完整剝離和干燥。由于晶圓表面物化特性復雜,例如晶圓表面通常存在微結構且為異質表面,故而晶圓的干燥工藝調試過程復雜,耗時且成本高昂。且Marangoni干燥技術存在些許干燥盲點,無法對晶圓進行全方位干燥。
發明內容
有鑒于此,本發明提供了一種晶圓干燥裝置的干燥方法,用以解決上述背景技術中存在的問題。
一種晶圓干燥裝置,包括:
用以裝載去離子水的干燥槽體;
蓋合在干燥槽體上的槽體頂蓋,所述槽體頂蓋內設置有干燥模組;
以及設置在干燥槽體內的用以將浸沒在去離子水內的晶圓向上提升以使晶圓在干燥模組噴送的干燥氣體作用下完成干燥的提升機構;
其中,所述提升機構包括提升支撐板、槽盒安裝板、第一動力組件和第二動力組件,槽盒安裝板設置于提升支撐板的一側,槽盒安裝板的兩側設置有第一卡槽結構、中間設置有第二卡槽結構,
第一動力組件安裝在提升支撐板上并與槽盒安裝板相固定以抬升整個提升機構從而將晶圓提升至槽體頂蓋內的第一位置;
第二動力組件安裝在提升支撐板上并與第二卡槽結構相固定以將晶圓繼續提升至槽體頂蓋內的第二位置。
優選地,所述干燥槽體的一端部設置有提升容納腔,所述提升支撐板、第一動力組件和第二動力組件均置于提升容納腔內,
所述干燥槽體的內部設置有儲液槽,所述槽盒安裝板置于儲液槽內,儲液槽的底部連接有注水管、排水管和氣體抽排管,儲液槽的兩側設置有溢流槽,儲液槽與溢流槽通過溢流板隔開,溢流板的頂部開設有若干個溢流槽口,溢流槽的端部連接有溢流管。
優選地,所述第一動力組件包括導軌、滑塊、第一動力元件和第一支撐桿,導軌固定在提升容納腔的內壁上,滑塊和第一動力元件均固定在提升支撐板上,滑塊卡在導軌上,第一支撐桿的一端與提升支撐板相固定、另一端與槽盒安裝板相固定。
優選地,所述第二動力組件包括第二動力元件和第二支撐桿,第二動力元件固定在提升支撐板上,第二支撐桿的一端與第二動力元件相固定、另一端與第二卡槽結構相固定。
優選地,所述第二卡槽結構包括承托板、垂直固定在承托板上端面上的多個第二支撐部,每個第二支撐部的頂部均設有若干個用于容納晶圓的卡槽。
優選地,所述第一卡槽結構由多組固定在槽盒安裝板上的第一支撐部組成,每組第一支撐部中位于外側的第一支撐部高于內側的第一支撐部,每個第一支撐部的頂部均設有若干個用于容納晶圓的卡槽。
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