[發(fā)明專利]顯示面板及其制備方法、顯示裝置

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 202210101570.4
• 申請日: 2022-01-27
• 公開（公告）號: CN114429960A
• 公開（公告）日: 2022-05-03
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 龍躍;于池;蔡建暢;張靜;李詩琪;茍亞鵬;杜麗麗
• 申請（專利權(quán)）人: 京東方科技集團股份有限公司;成都京東方光電科技有限公司
• 主分類號: H01L27/12
• 分類號: H01L27/12;H01L21/77;H01L23/528;H01L23/532;H01L21/768;H01L27/146;G03F7/20
• 代理公司: 北京三高永信知識產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11138
• 代理人: 雷思鳴

本申請公開了一種顯示面板及其制備方法、顯示裝置，涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域。由于顯示面板(10)中第一絕緣層(103)的過孔的尺寸設(shè)計的較大，因此在制備信號傳輸線(106)時，曝光機的光線被反射材料層(104)反射后不會匯聚至光刻膠，不會導(dǎo)致光刻膠的過曝。由此，可以保證顯示面板(104)中信號傳輸線(106)的可靠性，確保顯示面板(10)的良率。

技術(shù)領(lǐng)域

本申請涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種顯示面板及其制備方法、顯示裝置。

背景技術(shù)

顯示面板包括襯底基板，以及位于襯底基板的一側(cè)且依次層疊的連接結(jié)構(gòu)層，第一絕緣層，反射材料層，第二絕緣層以及多條信號傳輸線。反射材料層與連接結(jié)構(gòu)層通過第一絕緣層中的過孔連接，信號傳輸線用于傳輸信號。

相關(guān)技術(shù)中，由于反射材料層與連接結(jié)構(gòu)層通過第一絕緣層中的過孔連接，因此反射材料層在過孔處會形成凹面鏡結(jié)構(gòu)。若所需制備的信號傳輸線在襯底基板上的正投影與第一絕緣層中的過孔在襯底基板上的正投影重疊，則制備信號傳輸線時，采用曝光機對光刻膠進行曝光的過程中，曝光機的光線會被反射材料層形成的凹面鏡結(jié)構(gòu)匯聚至光刻膠，導(dǎo)致光刻膠的過曝。由此，會導(dǎo)致制備得到的信號傳輸線過細或斷開，影響顯示面板的良率。

發(fā)明內(nèi)容

本申請?zhí)峁┝艘环N顯示面板及其制備方法、顯示裝置，可以解決相關(guān)技術(shù)中顯示面板的良率較低的問題。所述技術(shù)方案如下：

一方面，提供了一種顯示面板，所述顯示面板包括：

襯底基板；

以及，位于所述襯底基板的一側(cè)且沿遠離襯底基板的方向依次層疊的連接結(jié)構(gòu)層，第一絕緣層，反射材料層，第二絕緣層和信號傳輸線；

其中，所述第一絕緣層中具有過孔，所述反射材料層與所述連接結(jié)構(gòu)層通過所述過孔連接，所述過孔靠近所述連接結(jié)構(gòu)層的一側(cè)的開口沿第一方向的長度大于長度閾值，所述信號傳輸線沿第二方向延伸，且所述信號傳輸線在所述襯底基板上的正投影與所述過孔在所述襯底基板上的正投影至少部分重疊，所述第二方向與所述第一方向相交。

可選的，所述過孔的側(cè)壁為臺階型結(jié)構(gòu)。

可選的，所述過孔的側(cè)壁具有依次連接的第一平面，第二平面以及第三平面，所述第一平面相對于所述第三平面靠近所述襯底基板；

其中，所述第一平面與所述襯底基板的承載面之間的第一夾角，以及所述第三平面與所述襯底基板的承載面之間的第二夾角均大于50度且小于70度，所述第二平面與所述襯底基板的承載面平行。

可選的，所述反射材料層的第一目標點和所述反射材料層的第二目標點沿所述第一方向的距離w1滿足：

其中，所述第一目標點為所述反射材料層在所述第一平面和所述第二平面的第一拐點，所述第一目標點位于所述反射材料層遠離所述襯底基板的一側(cè)，所述第二目標點為所述反射材料層在所述第三平面和所述第一絕緣層遠離所述襯底基板的一面的第二拐點，所述第二目標點位于所述反射材料層遠離所述襯底基板的一側(cè)，所述第一目標點和所述第二目標點分別位于所述過孔靠近所述襯底基板的開口的兩側(cè)，m為所述第二平面與所述連接結(jié)構(gòu)層靠近所述反射材料層的一面之間的距離，n為所述第一絕緣層沿垂直于所述襯底基板的承載面的方向的厚度，α為所述第一夾角。

可選的，所述反射材料層的第三目標點和所述反射材料層的第四目標點沿所述第一方向的距離w3滿足：

其中，所述第三目標點和所述第四目標點均為所述過孔的側(cè)壁和所述第一絕緣層遠離所述襯底基板的一面的拐點，且所述第三目標點和所述第四目標點均位于所述反射材料層遠離所述襯底基板的一側(cè)，所述第三目標點和所述第四目標點分別位于所述過孔靠近所述襯底基板的開口的兩側(cè)，n為所述第一絕緣層沿垂直于所述襯底基板的方向的厚度，γ為所述過孔的側(cè)壁與所述襯底基板的承載面之間的第三夾角。