[發明專利]動態存儲器及存儲裝置在審
| 申請號： | 202210095782.6 | 申請日： | 2022-01-26 |
| 公開（公告）號： | CN116209244A | 公開（公告）日： | 2023-06-02 |
| 發明（設計）人： | 戴瑾 | 申請（專利權）人： | 北京超弦存儲器研究院 |
| 主分類號： | H10B12/00 | 分類號： | H10B12/00;H01L27/02 |
| 代理公司： | 北京市立方律師事務所 11330 | 代理人： | 張筱寧;王存霞 |
| 地址： | 100176 北京市大興區北京*** | 國省代碼： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 動態 存儲器 存儲 裝置 | ||
1.一種動態存儲器，包括多個存儲單元，其特征在于，所述存儲單元包括：
第一層MOS管組件，包括第一MOS管和第二MOS管，所述第一MOS管和所述第二MOS管均為金屬氧化物薄膜晶體管，所述第一MOS管和所述第二MOS管共用源極；
第二層MOS管組件，位于所述第一層MOS管組件的一側，包括第三MOS管和第四MOS管，所述第三MOS管和所述第四MOS管均為金屬氧化物薄膜晶體管，所述第三MOS管和所述第四MOS管共用源極；
讀位線，位于所述第一層MOS管組件遠離所述第二層MOS管組件的一側，與所述第一MOS管和所述第二MOS管的源極電連接；
寫位線，位于所述第二層MOS管組件遠離所述第一層MOS管組件的一側，與所述第三MOS管和所述第四MOS管的源極電連接；
兩條讀字線，位于所述第一層MOS管組件遠離所述第二層MOS管組件的一側，分別與所述第一MOS管和所述第二MOS管的漏極電連接；
兩條寫字線，分別與所述第三MOS管和所述第四MOS管的柵極電連接；
所述第一MOS管的柵極與所述第三MOS管的漏極電連接，所述第二MOS管的柵極與所述第四MOS管的漏極電連接。
2.根據權利要求1所述的動態存儲器，其特征在于，所述第一MOS管和所述第二MOS管的有源層材料包括ITO、IWO或IGZO，所述第三MOS管和所述第四MOS管的有源層材料包括包括ITO、IWO或IGZO。
3.根據權利要求2所述的動態存儲器，其特征在于，所述讀位線通過接觸點與所述第一MOS管以及所述第二MOS管的源極電連接。
4.根據權利要求3所述的動態存儲器，其特征在于，所述第一MOS管的柵極與所述第二MOS管的柵極平行，所述讀位線與所述第一MOS管以及所述第二MOS管的柵極垂直。
5.根據權利要求4所述的動態存儲器，其特征在于，所述讀字線與所述第一MOS管以及所述第二MOS管的柵極平行。
6.根據權利要求2所述的動態存儲器，其特征在于，所述第一MOS管的柵極通過通孔與所述第三MOS管的漏極電連接，所述第二MOS管的柵極通過通孔與所述第四MOS管的漏極電連接。
7.根據權利要求1所述的動態存儲器，其特征在于，所述第一MOS管包括第一漏極，所述第二MOS管包括第二漏極，所述讀字線包括第一讀字線和第二讀字線；
所述第一讀字線通過接觸點與所述第一漏極電連接；和/或，所述第二讀字線通過接觸點與所述第二漏極電連接。
8.根據權利要求1所述的動態存儲器，其特征在于，所述第三MOS管包括第三柵極，所述第四MOS管包括第四柵極，所述寫字線包括第一寫字線和第二寫字線；
所述第一寫字線通過接觸點與所述第三柵極電連接；和/或，所述第二寫字線通過接觸點與所述第四柵極電連接。
9.根據權利要求1所述的動態存儲器，其特征在于，所述動態存儲器包括多個層疊設置的陣列模塊，所述陣列模塊包括多個陣列排布的所述存儲單元。
10.根據權利要求1所述的動態存儲器，其特征在于，所述第一MOS管包括第一柵絕緣層，所述第二MOS管包括第二柵絕緣層，所述第一柵絕緣層和所述第二柵絕緣層連接。
11.一種存儲裝置，其特征在于，包括權利要求1至10中任意一項所述的動態存儲器。
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