[發明專利]集成式組合件和形成集成式組合件的方法

在審

• 申請號: 202210094264.2
• 申請日: 2022-01-26
• 公開（公告）號: CN114823691A
• 公開（公告）日: 2022-07-29
• 發明（設計）人: A·N·斯卡伯勒;J·D·格林利;J·D·霍普金斯
• 申請（專利權）人: 美光科技公司
• 主分類號: H01L27/11548
• 分類號: H01L27/11548;H01L27/11556;H01L27/11575;H01L27/11582;H01L27/11524;H01L27/1157
• 代理公司: 北京律盟知識產權代理有限責任公司 11287
• 代理人: 王龍

1.一種集成式組合件，其包括：

存儲器區和與所述存儲器區相鄰的另一區；

布置在所述存儲器區內的溝道材料柱和布置在所述另一區內的導電柱；

源極結構，其耦合到所述溝道材料柱的下部區；

面板，其跨所述存儲器區和所述另一區延伸，并隔開第一存儲器塊區與第二存儲器塊區；

摻雜半導體材料，其在所述存儲器區和所述另一區內緊鄰所述面板；所述摻雜半導體材料是所述存儲器區內的所述源極結構的至少部分；以及

襯里，其緊鄰所述導電柱且橫向環繞所述導電柱；所述襯里在所述導電柱和所述摻雜半導體材料之間。

2.根據權利要求1所述的集成式組合件，其中所述導電柱具有一豎直高度，并且其中所述襯里延伸達所述導電柱的完整豎直高度。

3.根據權利要求1所述的集成式組合件，其中所述導電柱中的至少一些與在所述導電柱中的所述至少一些下的邏輯電路系統耦合。

4.根據權利要求3所述的集成式組合件，其包括以操作方式靠近所述溝道材料柱的SGD裝置；并且其中所述SGD裝置耦合到所述導電柱，且通過所述導電柱耦合到所述邏輯電路系統。

5.根據權利要求1所述的集成式組合件，其中所述摻雜半導體材料包括硅。

6.根據權利要求1所述的集成式組合件，其中所述襯里僅包括單一均勻組成物。

7.根據權利要求1所述的集成式組合件，其中所述襯里包括兩個或更多個不同組成物的層合物。

8.根據權利要求1所述的集成式組合件，其中所述襯里包括摻雜氧化硅。

9.根據權利要求1所述的集成式組合件，其中所述襯里包括碳摻雜氧化硅。

10.根據權利要求9所述的集成式組合件，其中碳的存在濃度在約10¹⁵個原子/立方厘米到約10²⁵個原子/立方厘米的范圍內。

11.根據權利要求1所述的集成式組合件，其中所述襯里包括摻雜氮化硅。

12.根據權利要求1所述的集成式組合件，其中所述襯里包括碳摻雜氮化硅。

13.根據權利要求12所述的集成式組合件，其中碳的存在濃度在約10¹⁵個原子/立方厘米到約10²⁵個原子/立方厘米的范圍內。

14.根據權利要求1所述的集成式組合件，其中所述襯里包括SiON，其中所述化學式指示主要成分而不是具體的化學計量。

15.根據權利要求14所述的集成式組合件，其中硅和氧的存在濃度在約20at％到約70at％范圍內。

16.根據權利要求14所述的集成式組合件，其中氮的存在濃度在約0.01at％到約35at％范圍內。

17.根據權利要求14所述的集成式組合件，其中氮的存在濃度在約10¹⁵個原子/立方厘米到約10²⁵個原子/立方厘米的范圍內。

18.根據權利要求1所述的集成式組合件，其中所述襯里基本上由碳組成。

19.根據權利要求18所述的集成式組合件，其中所述碳基本上完全處于非晶相。