[發明專利]用于電弧蒸發裝置的陰極弧蒸發源以及電弧蒸發裝置

在審

• 申請號: 202210093594.X
• 申請日: 2022-01-26
• 公開（公告）號: CN114411101A
• 公開（公告）日: 2022-04-29
• 發明（設計）人: 溫振偉;沈學忠;朱國朝;李慶超;賀林青;朗清凱
• 申請（專利權）人: 納獅新材料有限公司
• 主分類號: C23C14/32
• 分類號: C23C14/32
• 代理公司: 北京律盟知識產權代理有限責任公司 11287
• 代理人: 林斯凱

本申請提出一種用于電弧蒸發裝置的陰極弧蒸發源。所述陰極弧蒸發源包括靶材。其中所述靶材的表面包括凹槽結構。所述凹槽結構經配置以限制陰極弧弧斑的移動并限制陰極弧弧斑產生的液滴逸出所述靶材的表面。本申請還提出一種電弧蒸發裝置，其包括上述陰極弧蒸發源。

技術領域

本申請涉及一種裝置，詳細來說，是有關于一種用于電弧蒸發裝置的陰極弧蒸發源以及電弧蒸發裝置。

背景技術

在現有的電弧蒸發裝置中，當在對待加工工件進行鍍膜工藝時，電弧蒸發裝置的陰極弧蒸發源的靶面金屬離化后，會使得等離子體在靶面電磁場做螺旋線運動，以在待加工工件表面形成膜層。但是在等離子體形成過程中，弧斑跑動不夠迅速，弧斑在靶面停留時間過長，導致部分熔池溫度過高并產生大量中性液體顆粒。液體顆粒會在涂層表面形成貫穿顆粒并容易影響涂層性能。

發明內容

有鑒于此，本申請提供一種用于電弧蒸發裝置的陰極弧蒸發源以及電弧蒸發裝置來解決上述問題。

依據本申請的一實施例，提供一種用于電弧蒸發裝置的陰極弧蒸發源。所述陰極弧蒸發源包括靶材。其中所述靶材的表面包括凹槽結構。所述凹槽結構經配置以限制陰極弧弧斑的移動并限制陰極弧弧斑產生的液滴逸出所述靶材的表面。

依據本申請的一實施例，所述凹槽結構包括U型槽。

依據本申請的一實施例，所述U型槽在所述靶材的表面形成封閉圓環。

依據本申請的一實施例，所述U型槽的數量為多個，多個所述U型槽在所述靶材的表面形成同心圓。

依據本申請的一實施例，所述U型槽的深度占所述陰極弧蒸發源的厚度的1/4到2/3。

依據本申請的一實施例，所述U型槽的深度占所述陰極弧蒸發源的厚度的一半。

依據本申請的一實施例，所述U型槽的寬度與深度比在1/2到3/2的范圍。

依據本申請的一實施例，相鄰兩個所述U型槽的間距和所述U型槽的寬度比在1/2到3/2的范圍。

依據本申請的一實施例，相鄰兩個U型槽的間距和U型槽的寬度的和小于陰極弧蒸發源的直徑的一半。

依據本申請的一實施例，提出一種電弧蒸發裝置。所述電弧蒸發裝置包括上述的陰極弧蒸發源。

附圖說明

附圖是用來提供對本申請的進一步理解，并且構成說明書的一部分，與下面的具體實施方式一起用于解釋本申請，但并不構成對本申請的限制。在附圖中：

圖1演示依據本申請一實施例的電弧蒸發裝置的方塊示意圖。

圖2A和圖2B分別演示依據本申請一實施例的陰極弧蒸發源的剖視視圖和俯視視圖。

具體實施方式

以下揭示內容提供了多種實施方式或例示，其能用以實現本揭示內容的不同特征。下文所述之組件與配置的具體例子系用以簡化本揭示內容。當可想見，這些敘述僅為例示，其本意并非用于限制本揭示內容。舉例來說，在下文的描述中，將一第一特征形成于一第二特征上或之上，可能包括某些實施例其中所述的第一與第二特征彼此直接接觸；且也可能包括某些實施例其中還有額外的組件形成于上述第一與第二特征之間，而使得第一與第二特征可能沒有直接接觸。此外，本揭示內容可能會在多個實施例中重復使用組件符號和/或標號。此種重復使用乃是基于簡潔與清楚的目的，且其本身不代表所討論的不同實施例和/或組態之間的關系。