[發(fā)明專利]字線電壓產(chǎn)生電路及存儲(chǔ)器在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202210093520.6 | 申請(qǐng)日: | 2022-01-26 |
| 公開(公告)號(hào): | CN114429779A | 公開(公告)日: | 2022-05-03 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 馬繼榮 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 北京紫光青藤微系統(tǒng)有限公司 |
| 主分類號(hào): | G11C16/30 | 分類號(hào): | G11C16/30;G11C16/08;G11C16/12;G11C16/14;G11C5/14 |
| 代理公司: | 北京康盛知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11331 | 代理人: | 陶俊潔 |
| 地址: | 100000 北京市海淀區(qū)王莊路*** | 國省代碼: | 北京;11 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 電壓 產(chǎn)生 電路 存儲(chǔ)器 | ||
本申請(qǐng)涉及FLASH集成電路技術(shù)領(lǐng)域,公開一種字線電壓產(chǎn)生電路。電壓源產(chǎn)生電路提供電壓源;緩沖電路的一端與電壓源產(chǎn)生電路的一端電連接,緩沖電路根據(jù)電壓源生成緩沖電壓;擦寫編程控制電壓及產(chǎn)生電路的一端連接緩沖電路的另一端,擦寫編程控制電壓及產(chǎn)生電路的另一端連接電壓源產(chǎn)生電路的另一端,擦寫編程控制電壓及產(chǎn)生電路在擦除使能信號(hào)為高電平的情況下,根據(jù)緩沖電壓的驅(qū)動(dòng)生成第一未選中字線電壓,在編程信號(hào)為高電平的情況下,根據(jù)電壓源的驅(qū)動(dòng)生成第一選中字線電壓。本公開實(shí)施例不需要頻率補(bǔ)償電容就可以生成第一未選中字線電壓和第一選中字線電壓,使得應(yīng)用本公開實(shí)施例的字線電壓產(chǎn)生電路的芯片面積更小。本申請(qǐng)還公開一種存儲(chǔ)器。
技術(shù)領(lǐng)域
本申請(qǐng)涉及FLASH集成電路技術(shù)領(lǐng)域,例如涉及一種字線電壓產(chǎn)生電路及存儲(chǔ)器。
背景技術(shù)
FLASH是一種非揮發(fā)存儲(chǔ)器,F(xiàn)LASH包括存儲(chǔ)陣列、行譯碼器,列選通器和讀取電路。存儲(chǔ)陣列在行方向由多個(gè)頁面(page)構(gòu)成,每個(gè)頁面的選通信號(hào)為字線(WL);在列方向由多個(gè)位線(BL)貫通。存儲(chǔ)陣列在編程(PROG)時(shí),選中的字線(WL_sel)數(shù)量為1,其他都是未選中的字線(WL_unsel);在擦除時(shí),WL_sel數(shù)量為2,其他都是WL_unsel。以128Mb的Flash為例,其典型的WL總數(shù)量是64000個(gè),在編程時(shí),WL_unsel數(shù)量是63999個(gè);在ERASE時(shí),WL_unsel數(shù)量是63998個(gè)。一個(gè)WL上寄生電容是0.5pF,那么在擦除時(shí)所有WL_unsel總的電容約為32nF,在編程時(shí)所有WL_sel總的電容約為0.5pF。現(xiàn)有技術(shù)中,存儲(chǔ)陣列在擦除時(shí),字線電壓產(chǎn)生電路中的電壓源產(chǎn)生電路輸出端輸出電壓源給未選中字線電壓產(chǎn)生電路,未選中字線電壓產(chǎn)生電路在電壓源的驅(qū)動(dòng)下,生成未選中字線電壓,未選中字線電壓為未選中字線供電,此時(shí),電壓源產(chǎn)生電路輸出端輸出負(fù)載的等效電容為32nF。存儲(chǔ)陣列在編程時(shí),電壓源產(chǎn)生電路輸出端輸出電壓源給選中字線產(chǎn)生電路,選中字線產(chǎn)生電路在電壓源的驅(qū)動(dòng)下,生成選中字線電壓,選中字線電壓為選中字線供電,此時(shí),電壓源產(chǎn)生電路輸出端輸出負(fù)載的等效電容為0.5pF。由此,電壓源產(chǎn)生電路輸出端在擦除時(shí)的等效電容為未選中字線的32nF,在編程時(shí)的等效電容為選中字線的0.5pF,使得電壓源產(chǎn)生電路輸出端在擦除時(shí)和編程時(shí)的負(fù)載電容差異很大,為了電壓源產(chǎn)生電路的環(huán)路頻率穩(wěn)定性,增加了一個(gè)電容值在100~300pF之間的頻率補(bǔ)償電容。但是100~300pF的頻率補(bǔ)償電容占用了很大的芯片面積,且增加了芯片的成本。
發(fā)明內(nèi)容
為了對(duì)披露的實(shí)施例的一些方面有基本的理解,下面給出了簡(jiǎn)單的概括。所述概括不是泛泛評(píng)述,也不是要確定關(guān)鍵/重要組成元素或描繪這些實(shí)施例的保護(hù)范圍,而是作為后面的詳細(xì)說明的序言。
本公開實(shí)施例提供一種字線電壓產(chǎn)生電路及存儲(chǔ)器,以制作出面積更小的芯片。
在一些實(shí)施例中,所述字線電壓產(chǎn)生電路包括:電壓源產(chǎn)生電路,用于提供電壓源;緩沖電路,一端與所述電壓源產(chǎn)生電路的一端電連接,所述緩沖電路用于根據(jù)所述電壓源生成緩沖電壓;擦寫編程控制電壓及產(chǎn)生電路,一端連接所述緩沖電路的另一端,所述擦寫編程控制電壓及產(chǎn)生電路的另一端連接所述電壓源產(chǎn)生電路的另一端,所述擦寫編程控制電壓及產(chǎn)生電路用于在擦除使能信號(hào)為高電平的情況下,根據(jù)所述緩沖電壓的驅(qū)動(dòng)生成第一未選中字線電壓,在編程信號(hào)為高電平的情況下,根據(jù)所述電壓源的驅(qū)動(dòng)生成第一選中字線電壓。
在一些實(shí)施例中,所述存儲(chǔ)器,包括字線電壓輸出電路和如上述的字線電壓產(chǎn)生電路,字線電壓輸出電路連接字線電壓產(chǎn)生電路,字線電壓輸出電路用于根據(jù)選中字線電壓和未選中字線電壓生成輸出字線電壓。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于北京紫光青藤微系統(tǒng)有限公司,未經(jīng)北京紫光青藤微系統(tǒng)有限公司許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請(qǐng)聯(lián)系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/202210093520.6/2.html,轉(zhuǎn)載請(qǐng)聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
- 時(shí)鐘產(chǎn)生電路及產(chǎn)生方法
- 用于產(chǎn)生有用媒體流、尤其用于產(chǎn)生聲音的產(chǎn)生設(shè)備
- 顯示路徑的產(chǎn)生方法、產(chǎn)生設(shè)備和產(chǎn)生程序
- 信號(hào)產(chǎn)生裝置及其產(chǎn)生方法
- 諧波產(chǎn)生裝置及其產(chǎn)生方法
- 氫產(chǎn)生催化劑、氫產(chǎn)生方法、氫產(chǎn)生裝置
- FRU產(chǎn)生裝置及其產(chǎn)生方法
- 信號(hào)產(chǎn)生電路及信號(hào)產(chǎn)生方法
- 蒸汽產(chǎn)生裝置和蒸汽產(chǎn)生設(shè)備
- 音頻產(chǎn)生裝置及音頻產(chǎn)生方法
- 用于控制非易失性存儲(chǔ)器的控制器
- 處理器、存儲(chǔ)器、計(jì)算機(jī)系統(tǒng)、系統(tǒng)LSI及其驗(yàn)證方法
- 存儲(chǔ)和檢索處理系統(tǒng)的數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)器系統(tǒng)和性能監(jiān)視方法
- 用于控制半導(dǎo)體裝置的方法
- 存儲(chǔ)器存儲(chǔ)裝置及其測(cè)試方法
- 存儲(chǔ)器裝置及可促進(jìn)張量存儲(chǔ)器存取的方法
- 使用雙通道存儲(chǔ)器作為具有間隔的單通道存儲(chǔ)器
- 用于管理存儲(chǔ)器訪問操作的方法和系統(tǒng)
- 存儲(chǔ)器控制器、存儲(chǔ)裝置和存儲(chǔ)裝置的操作方法
- 具有部分組刷新的存儲(chǔ)器





