[發明專利]一種軟態低壓腐蝕箔的制備方法

有效

• 申請號: 202210086922.3
• 申請日: 2022-01-25
• 公開（公告）號: CN114411232B
• 公開（公告）日: 2023-07-07
• 發明（設計）人: 趙龍;閆小宇;謝文娟;何鳳榮;麥健航;李洪偉
• 申請（專利權）人: 乳源瑤族自治縣東陽光化成箔有限公司;韶關東陽光科技研發有限公司
• 主分類號: C25F3/04
• 分類號: C25F3/04;C25F7/00;H01G9/055
• 代理公司: 廣州粵高專利商標代理有限公司 44102
• 代理人: 蘇晶晶

本發明公開了一種軟態低壓腐蝕箔的制備方法。本發明的軟態低壓腐蝕箔的制備方法的深度腐蝕為交流電腐蝕，所述交流電波形包括鏡像分布的正半周期與負半周期，所述正半周期和負半周期由兩個或兩個以上具有相同波形、振幅和施加時間的第一半波(1)構成，且兩個第一半波(1)之間存在間隔時間，所述正半周期的間隔時間段由振幅小于半波且施加時間小于半波，穿過橫坐標，位于正半周的對應半周的第二半波(2)構成，所述負半周期的間隔時間段由振幅小于半波且施加時間小于半波，穿過橫坐標，位于正半周的對應半周的第三半波(3)構成。本發明所制備的軟態低壓腐蝕箔具備高容量、腐蝕孔層均勻、夾心層平整和優異的折彎性能。

技術領域

本發明涉及鋁電解電容器技術領域，更具體地，涉及一種軟態低壓腐蝕箔的制備方法。

背景技術

近年來，隨著電子產品設備向著輕、薄、微型化的方向發展，鋁電解電容器作為其中一種重要電子元器件，其小型化、高容量化的需求也越來越迫切。腐蝕箔作為鋁電解電容器中對電容量影響最大的組件，提高單位比表面積以提升腐蝕箔比容成為腐蝕箔生產中的關鍵技術之一。

現有低壓鋁電解電容器用腐蝕箔，一般是在以鹽酸為主要成分的電解液中，對鋁箔進行電化學腐蝕處理以擴大其表面積?，F有技術公開了低壓鋁電解電容器用陽極箔的腐蝕方法，通過對鋁箔施加交流電制得具有較高電容量的腐蝕箔，交流電波形則以正弦波、三角波、方波為主。不同交流電波形可形成不同數量及形貌的腐蝕孔，進而影響腐蝕箔的性能。傳統腐蝕用交流電波形如圖1所示，其中正半周期用于腐蝕成孔，負半周期腐蝕孔鈍化。每個半周期內只有一個半波，反映在腐蝕過程中，波形正半周期這段時間內蝕坑中只能形成一個腐蝕孔，緊接著腐蝕孔就要被鈍化，造成腐蝕效率低下；另外，單孔生長的模式很容易造成腐蝕孔在某個容易發孔的地方反復發孔造成并孔，從而導致腐蝕箔腐蝕孔層不均勻、腐蝕箔夾心層不平整等現象，影響腐蝕箔機械強度及性能；另一方面，傳統腐蝕交流電波形，在正半周期鋁箔腐蝕時產生較多的腐蝕產物，腐蝕產物集中，卻沒有傳質方法將腐蝕產物與外界電解液進行交換，當腐蝕進行到一定深度時，腐蝕產物不能及時被傳導至外界，就會堵塞腐蝕孔，令其不能繼續向深處生長，當繼續加電時，則會造成電流侵蝕已有蝕孔以及腐蝕箔表面，造成腐蝕箔并孔以及發黑掉粉的現象。

發明內容

本發明的目的是克服現有腐蝕箔處理工藝中交流電波形易導致腐蝕箔的腐蝕孔層不均勻、腐蝕箔夾心層不平整、腐蝕孔不深入，腐蝕箔比容較低的缺陷和不足，提供一種軟態低壓腐蝕箔的制備方法，通過調整腐蝕交流電波形，使得所制備的軟態低壓腐蝕箔腐蝕孔深入，具備高比容、腐蝕孔層均勻、夾心層平整和優異的折彎性能。

本發明上述目的通過以下技術方案實現：

一種軟態低壓腐蝕箔的制備方法，包括如下步驟：

1)前處理；

2)布孔腐蝕；

3)中處理；

4)深度腐蝕；

5)后處理；

所述深度腐蝕為交流電腐蝕，所述交流電波形包括鏡像分布的正半周期與負半周期，

所述正半周期和負半周期由兩個或兩個以上具有相同波形、振幅和施加時間的第一半波(1)構成，且兩個第一半波(1)之間存在間隔時間，

所述正半周期的間隔時間段由振幅小于半波且施加時間小于半波，穿過橫坐標，位于正半周的對應半周的第二半波(2)構成，

所述負半周期的間隔時間段由振幅小于半波且施加時間小于半波，穿過橫坐標，位于正半周的對應半周的第三半波(3)構成。