[發明專利]CsPbBr3 在審
| 申請號: | 202210086516.7 | 申請日: | 2022-01-25 |
| 公開(公告)號: | CN114447153A | 公開(公告)日: | 2022-05-06 |
| 發明(設計)人: | 李林;公維強;閆珺 | 申請(專利權)人: | 哈爾濱師范大學 |
| 主分類號: | H01L31/18 | 分類號: | H01L31/18;H01L31/032;H01L31/0352;H01L31/09 |
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| 摘要: | |||
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本發明公開了一種CsPbBr3:ZnO QDs基MSM結構探測器、制備方法及應用,其中,制備方法包括如下步驟:S1、清洗襯底;S2、制備電極;S3、制備CsPbBr3鈣鈦礦溶;S4、制備ZnO QDs溶液;S5、制備CsPbBr3:ZnO QDs混合溶液:將步驟S3和步驟S4獲得的CsPbBr3鈣鈦礦溶液以及ZnO QDs溶液按體積比100:5~10混合,配置成CsPbBr3:ZnO QDs前體溶液;S6、制備光電探測器:將步驟S5獲得的CsPbBr3:ZnO QDs混合溶液旋涂在襯底上并退火處理,獲得CsPbBr3:ZnO QDs基MSM結構的光電探測器;采用本申請方法制備而成的探測器性能高。
技術領域
本發明涉及光電檢測器技術領域,具體涉及一種CsPbBr3:ZnO QDs基MSM結構探測器、制備方法及應用。
背景技術
光電探測器是一種基于光電效應原理的、將光轉變成電的器件。在過去的幾年中,由于金屬鹵化物鈣鈦礦具有可調節的帶隙、良好的載流子傳輸、高的光吸收系數和光電轉換效率等出色的光電性能,已成為光電領域最受歡迎的材料之一。
鹵化物鈣鈦礦是一類具有特定分子式ABX3的化合物(A=金屬陽離子或有機陽離子官能團,B=金屬陽離子,X=鹵素陰離子),其具有優異的光電性質,在能源、信息技術等光電領域具有重要的應用前景。其中有機-無機鹵化鉛鈣鈦礦(APbX3,A=CH3NH3+(MA+)或CH(NH2)2+(FA+),X=Cl-,Br-或I-)因具有獨特的電子和光學特性,已經成為光電領域最有前途的材料之一;但是,有機-無機鹵化鉛鈣鈦礦材料穩定性差,嚴重影響了其在實際應用中的發展。
金屬-半導體-金屬(MSM)結構的光電檢測器具有制備簡單,成本低廉的優點。Cs的無機鈣鈦礦,特別是CsPbBr3具有良好的環境穩定性,其作為一種半導體材料,可以用于制備金屬-半導體-金屬(MSM)結構的光電檢測器的半導體層。然而,這種基于CsPbBr3的MSM結構的光電檢測器均具有一個固有的缺點,即:光吸收作用的半導體層內載流子的復合使得MSM類型的器件性能不佳。
發明內容
針對現有技術中的缺陷,本發明的目的是提供一種CsPbBr3:ZnO QDs基MSM結構探測器的制備方法,采用該方法制備而成的探測器性能高。
進一步,本申請還提供一種CsPbBr3:ZnO QDs基MSM結構探測器。
進一步,本申請還提供一種CsPbBr3:ZnO QDs基MSM結構探測器作為成像介質的應用。
本發明所采用的技術方案是:
CsPbBr3:ZnO QDs基MSM結構探測器的制備方法,包括如下步驟:
S1、清洗襯底:將襯底切割成預設形狀和大小,清洗并吹干后待用;
S2、制備電極:在步驟S1處理后的襯底上制備多對叉指電極;
S3、制備CsPbBr3鈣鈦礦溶液:取CsBr與PbBr2粉末混合后,加入到二甲基亞砜溶液中,配置成CsPbBr3鈣鈦礦溶液;
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件;專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發光光源在結構上相連的,并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的
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