[發(fā)明專利]CsPbBr3 在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202210086516.7 | 申請(qǐng)日: | 2022-01-25 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN114447153A | 公開(kāi)(公告)日: | 2022-05-06 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 李林;公維強(qiáng);閆珺 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 哈爾濱師范大學(xué) |
| 主分類號(hào): | H01L31/18 | 分類號(hào): | H01L31/18;H01L31/032;H01L31/0352;H01L31/09 |
| 代理公司: | 北京酷愛(ài)智慧知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11514 | 代理人: | 劉志剛 |
| 地址: | 150000 黑龍*** | 國(guó)省代碼: | 黑龍江;23 |
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| 摘要: | |||
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1.CsPbBr3:ZnO QDs基MSM結(jié)構(gòu)探測(cè)器的制備方法,其特征在于,包括如下步驟:
S1、清洗襯底:將襯底切割成預(yù)設(shè)形狀和大小,清洗并吹干后待用;
S2、制備電極:在步驟S1處理后的襯底上制備多對(duì)叉指電極;
S3、制備CsPbBr3鈣鈦礦前體溶液:取CsBr與PbBr2粉末混合后,加入到二甲基亞砜溶液中,配置成CsPbBr3鈣鈦礦前體溶液;
S4、制備ZnO QDs溶液:取二水合乙酸鋅溶于無(wú)水乙醇中,待二水合乙酸鋅溶解后加入氫氧化鉀乙醇溶液并攪拌后倒出,再加入過(guò)量正己烷,靜置50~60分鐘,離心分離出沉淀物ZnO粉末,將該ZnO粉末溶解在無(wú)水乙醇中,配置成ZnO QDs溶液;
S5、制備CsPbBr3:ZnO QDs混合溶液:將步驟S3和步驟S4獲得的CsPbBr3鈣鈦礦溶液以及ZnO QDs溶液按體積比100:5~10混合,配置成CsPbBr3:ZnO QDs混合溶液;
S6、制備光電探測(cè)器:對(duì)步驟S2獲得的具有叉指電極的襯底進(jìn)行紫外臭氧處理,處理后,將步驟S5獲得的CsPbBr3:ZnO QDs混合溶液旋涂在襯底上并退火處理,獲得CsPbBr3:ZnOQDs基MSM結(jié)構(gòu)的光電探測(cè)器。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的CsPbBr3:ZnO QDs基MSM結(jié)構(gòu)探測(cè)器的制備方法,其特征在于,所述叉指電極為對(duì)稱叉指電極或非對(duì)稱叉指電極。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的CsPbBr3:ZnO QDs基MSM結(jié)構(gòu)探測(cè)器的制備方法,其特征在于,所述襯底為高透雙拋藍(lán)寶石襯底。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的CsPbBr3:ZnO QDs基MSM結(jié)構(gòu)探測(cè)器的制備方法,其特征在于,所述步驟S1具體為,
S11、將高透雙拋藍(lán)寶石襯底切割成1.5cm×1.5cm大小的正方形;
S12、將切割好的藍(lán)寶石襯底依次使用丙酮、酒精、去離子水各超聲清洗15min;
S13、采用高純氮?dú)鈱⑶逑春玫囊r底吹干。
5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的CsPbBr3:ZnO QDs基MSM結(jié)構(gòu)探測(cè)器的制備方法,其特征在于,所述步驟S2具體為,
S21、在處理好后的襯底上旋涂一層紫外光刻膠,然后將旋涂有紫外光刻膠的襯底置于100℃熱盤上退火處理1min,將紫外光刻膠烘干;
S22、將制備好叉指電極圖形的光刻板經(jīng)紫外燈光曝光10s以后轉(zhuǎn)移到旋涂有紫外光刻膠的襯底上,所述叉指電極為12對(duì);
S23、通過(guò)濕法剝離技術(shù)將曝光后的襯底浸泡在顯影液中顯影6s,獲取所需要叉指電極圖形,再迅速轉(zhuǎn)移到去離子水中以清洗掉殘留顯影液,然后將處理好的襯底用高純氮?dú)獯蹈珊蟠茫?/p>
S24、將光刻好的襯底放置在離子濺射儀中,濺射上一層50nm厚的Au電極;
S24、將濺射后的襯底浸泡在裝有丙酮的燒杯中,超聲清洗后形成所述叉指電極。
6.根據(jù)權(quán)利要求2所述的CsPbBr3:ZnO QDs基MSM結(jié)構(gòu)探測(cè)器的制備方法,其特征在于,所述對(duì)稱叉指電極的指寬均為5μm,兩指寬之間的道寬為10μm,長(zhǎng)度為500μm。
7.根據(jù)權(quán)利要求2所述的CsPbBr3:ZnO QDs基MSM結(jié)構(gòu)探測(cè)器的制備方法,其特征在于,所述非對(duì)稱叉指電極包括成對(duì)設(shè)置的第一電極和第二電極,第一電極的指寬為5μm,第二電極的指寬為50μm,第一電極與第二電極之間的道寬為10μm,第一電極與第二電極的長(zhǎng)度為500μm。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對(duì)紅外輻射、光、較短波長(zhǎng)的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或者專門適用于通過(guò)這樣的輻射進(jìn)行電能控制的半導(dǎo)體器件;專門適用于制造或處理這些半導(dǎo)體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導(dǎo)體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉(zhuǎn)換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過(guò)該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個(gè)共用襯底內(nèi)或其上形成的,一個(gè)或多個(gè)電光源,如場(chǎng)致發(fā)光光源在結(jié)構(gòu)上相連的,并與其電光源在電氣上或光學(xué)上相耦合的
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