[發(fā)明專利]半導(dǎo)體裝置

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202210085605.X
• 申請(qǐng)日: 2022-01-25
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN114792695A
• 公開(kāi)（公告）日: 2022-07-26
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 渡壁創(chuàng);三浦健太郎;花田明纮
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 株式會(huì)社日本顯示器
• 主分類號(hào): H01L27/12
• 分類號(hào): H01L27/12
• 代理公司: 永新專利商標(biāo)代理有限公司 72002
• 代理人: 劉英華

根據(jù)一個(gè)實(shí)施方式，半導(dǎo)體裝置具備：多晶硅半導(dǎo)體；配置于多晶硅半導(dǎo)體之上的中間絕緣層；配置于中間絕緣層之上的氧化物半導(dǎo)體；配置于中間絕緣層之上及氧化物半導(dǎo)體之上的第二絕緣層；配置于第二絕緣層之上并位于氧化物半導(dǎo)體正上方的柵極電極；第一導(dǎo)電層，經(jīng)由貫通中間絕緣層及第二絕緣層的第一接觸孔與多晶硅半導(dǎo)體接觸，經(jīng)由貫通第二絕緣層的第二接觸孔與氧化物半導(dǎo)體接觸；以及第二導(dǎo)電層，在第一接觸孔和第二接觸孔之間與第一導(dǎo)電層層疊，第一導(dǎo)電層具有從第二接觸孔向柵極電極延伸的延伸部，第二導(dǎo)電層不層疊于延伸部，第一導(dǎo)電層的膜厚小于第二導(dǎo)電層的膜厚。

相關(guān)申請(qǐng)的交叉參照

本申請(qǐng)基于并主張2021年1月25日申請(qǐng)的日本國(guó)專利申請(qǐng)2021-009377的優(yōu)先權(quán)的利益，該日本國(guó)專利申請(qǐng)的全部?jī)?nèi)容被引用于本申請(qǐng)。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明的實(shí)施方式涉及半導(dǎo)體裝置。

背景技術(shù)

例如，關(guān)于液晶顯示裝置，提出了如下技術(shù)：在顯示區(qū)域的像素電路中設(shè)置具有氧化物半導(dǎo)體的晶體管，并且在周邊區(qū)域的驅(qū)動(dòng)電路中設(shè)置具有硅半導(dǎo)體的晶體管的技術(shù)。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明的目的在于，提供能夠抑制晶體管的性能劣化的半導(dǎo)體裝置。

一個(gè)實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置，具備：

絕緣基板；第一絕緣層，配置于所述絕緣基板的上方；多晶硅半導(dǎo)體，配置于所述第一絕緣層之上；中間絕緣層，配置于所述多晶硅半導(dǎo)體之上；氧化物半導(dǎo)體，配置于所述中間絕緣層之上；第二絕緣層，配置于所述中間絕緣層之上及所述氧化物半導(dǎo)體之上；柵極電極，配置于所述第二絕緣層之上，位于所述氧化物半導(dǎo)體的正上方；第一導(dǎo)電層，經(jīng)由貫通所述中間絕緣層及所述第二絕緣層的第一接觸孔而與所述多晶硅半導(dǎo)體接觸，并且經(jīng)由貫通所述第二絕緣層的第二接觸孔而與所述氧化物半導(dǎo)體接觸；以及第二導(dǎo)電層，在所述第一接觸孔與所述第二接觸孔之間與所述第一導(dǎo)電層層疊，所述第一導(dǎo)電層具有從所述第二接觸孔向所述柵極電極延伸的延伸部，所述第二導(dǎo)電層不層疊于所述延伸部，所述第一導(dǎo)電層的膜厚比所述第二導(dǎo)電層的膜厚小。

根據(jù)一個(gè)實(shí)施方式，能夠提供能夠抑制晶體管的性能劣化的半導(dǎo)體裝置。

附圖說(shuō)明

圖1是表示實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置1的一個(gè)結(jié)構(gòu)例的剖視圖。

圖2是用于說(shuō)明晶體管TR1及TR2的制造方法的圖。

圖3是用于說(shuō)明晶體管TR1及TR2的制造方法的圖。

圖4是用于說(shuō)明晶體管TR1及TR2的制造方法的圖。

圖5是用于說(shuō)明晶體管TR1及TR2的制造方法的圖。

圖6是表示雜質(zhì)注入后的半導(dǎo)體SC2的剖視圖。

圖7是表示第一模擬結(jié)果的圖。

圖8是表示第二模擬結(jié)果的圖。

圖9是表示本實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置1的其他結(jié)構(gòu)例的剖視圖。

圖10是表示本實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置1的其他結(jié)構(gòu)例的剖視圖。

具體實(shí)施方式

以下，參照附圖對(duì)本發(fā)明的實(shí)施方式進(jìn)行說(shuō)明。

另外，公開(kāi)只不過(guò)是一例，對(duì)于本領(lǐng)域技術(shù)人員來(lái)說(shuō)，能夠容易地想到保持發(fā)明主旨的適當(dāng)變更的內(nèi)容，當(dāng)然包含在本發(fā)明的范圍內(nèi)。另外，為了使說(shuō)明更明確，與實(shí)際的方式相比，附圖有時(shí)示意性地表示各部分的寬度、厚度、形狀等，但只不過(guò)是一例，并不限定本發(fā)明的解釋。另外，在本說(shuō)明書(shū)和各圖中，對(duì)發(fā)揮與已出現(xiàn)的圖有關(guān)的上述內(nèi)容相同或類似的功能的構(gòu)成要素標(biāo)注相同的參照附圖標(biāo)記，有時(shí)適當(dāng)省略重復(fù)的詳細(xì)說(shuō)明。