[發明專利]半導體裝置

在審

• 申請號: 202210085605.X
• 申請日: 2022-01-25
• 公開（公告）號: CN114792695A
• 公開（公告）日: 2022-07-26
• 發明（設計）人: 渡壁創;三浦健太郎;花田明纮
• 申請（專利權）人: 株式會社日本顯示器
• 主分類號: H01L27/12
• 分類號: H01L27/12
• 代理公司: 永新專利商標代理有限公司 72002
• 代理人: 劉英華

1.一種半導體裝置，具備：

絕緣基板；

第一絕緣層，配置于所述絕緣基板的上方；

多晶硅半導體，配置于所述第一絕緣層之上；

中間絕緣層，配置于所述多晶硅半導體之上；

氧化物半導體，配置于所述中間絕緣層之上；

第二絕緣層，配置于所述中間絕緣層之上及所述氧化物半導體之上；

柵極電極，配置于所述第二絕緣層之上，位于所述氧化物半導體的正上方；

第一導電層，經由貫通所述中間絕緣層及所述第二絕緣層的第一接觸孔而與所述多晶硅半導體接觸，并且經由貫通所述第二絕緣層的第二接觸孔而與所述氧化物半導體接觸；以及

第二導電層，在所述第一接觸孔與所述第二接觸孔之間，與所述第一導電層層疊，

所述第一導電層具有從所述第二接觸孔向所述柵極電極延伸的延伸部，

所述第二導電層不層疊于所述延伸部，

所述第一導電層的膜厚小于所述第二導電層的膜厚。

2.根據權利要求1所述的半導體裝置，其中，

所述第二導電層的膜厚為所述第一導電層的膜厚的3倍以上。

3.根據權利要求1所述的半導體裝置，其中，

所述第一導電層由與所述第二導電層不同的材料形成，

所述第一導電層的密度小于所述第二導電層的密度。

4.根據權利要求1所述的半導體裝置，其中，

所述第一導電層包含鈦(Ti)及鋁(Al)中的至少一種，

所述第二導電層包含鉬(Mo)及鎢(W)中的至少一種。

5.根據權利要求1所述的半導體裝置，其中，

所述柵極電極是具備第一層和第二層的層疊體，所述第一層由與所述第一導電層相同的材料形成，所述第二層由與所述第二導電層相同的材料形成。

6.根據權利要求1所述的半導體裝置，其中，

所述氧化物半導體具有位于所述柵極電極正下方的第一區域、位于所述延伸部正下方的第二區域以及位于所述第一區域與所述第二區域之間的第三區域，

所述第二區域及所述第三區域各自的雜質濃度高于所述第一區域的雜質濃度。

7.根據權利要求1所述的半導體裝置，其中，

所述第二導電層在所述第二接觸孔中與所述第一導電層層疊。

8.根據權利要求1所述的半導體裝置，其中，

所述第二導電層在所述第一接觸孔中與所述第一導電層層疊。

9.根據權利要求8所述的半導體裝置，其中，

所述多晶硅半導體所包含的雜質離子與所述氧化物半導體所包含的雜質離子為不同種。

10.根據權利要求1所述的半導體裝置，其中，

所述第二導電層不在所述第一接觸孔中與所述第一導電層層疊，

所述多晶硅半導體所包含的雜質離子與所述氧化物半導體所包含的雜質離子為同種。

11.根據權利要求1所述的半導體裝置，其中，

所述第二導電層在所述第一接觸孔中與所述第一導電層層疊，且不在所述第二接觸孔中與所述第一導電層層疊。

12.根據權利要求1所述的半導體裝置，其中，

所述第二導電層在所述第一接觸孔及所述第二接觸孔中與所述第一導電層層疊。

13.根據權利要求1所述的半導體裝置，其中，

所述第二導電層不在所述第一接觸孔所及述第二接觸孔中與所述第一導電層層疊。

14.根據權利要求1所述的半導體裝置，其中，

所述中間絕緣層具有與所述氧化物半導體接觸的第三絕緣層，

所述第二絕緣層及所述第三絕緣層由硅氧化物形成。