[發明專利]一種低TCR陶瓷芯片電阻及其材料和制備

有效

• 申請號: 202210085460.3
• 申請日: 2022-01-25
• 公開（公告）號: CN114409397B
• 公開（公告）日: 2022-10-21
• 發明（設計）人: 李志成;方超
• 申請（專利權）人: 廣東愛晟電子科技有限公司
• 主分類號: H01C7/02
• 分類號: H01C7/02;H01C10/00;C04B35/475;C04B35/622;C04B41/88
• 代理公司: 廣州駿思知識產權代理有限公司 44425
• 代理人: 潘慧馨

本發明涉及一種低TCR陶瓷電阻材料，該陶瓷電阻材料的化學通式為(Sn_1?xSb_xO₂)(Bi₈TiO₁₄)_y(Sb₂O₃)_w，其中0.03≤x≤0.07，0＜y≤0.2，0≤w≤0.1。本發明還涉及一種低TCR陶瓷芯片電阻及其制備方法，所述低TCR陶瓷芯片電阻包括瓷體和設于瓷體兩表面的電極，所述瓷體采用所述陶瓷電阻材料。本發明所述陶瓷電阻材料的原料來源廣且成本低，制得電阻的室溫電阻率可調節，電阻溫度系數小。

技術領域

本發明涉及電阻材料技術領域，特別是涉及一種低TCR陶瓷芯片電阻、電阻材料及其制備。

背景技術

精密電阻要求電阻的阻值誤差、電阻的熱穩定性(溫度系數)、電阻器的分布參數(分布電容和分布電感)等項指標均達到一定標準的電阻器。精密電阻按材料分，有金屬膜精密電阻、線繞精密電阻和金屬箔精密電阻幾類，但這些精密電阻的制造工藝要求嚴格，生產成本高。

普通的厚膜電阻元件和薄膜電阻元件雖然在制造工藝和成本上有優勢，但往往不具備較小的電阻溫度系數，在溫度變化的環境中使用時難以保持穩定的電性能。

發明內容

基于此，本發明提供一種低TCR陶瓷電阻材料，其原料來源廣且成本低，制得電阻的室溫電阻率可調節，電阻溫度系數小，該陶瓷電阻材料適合制備陶瓷電阻元件、厚膜電阻元件、薄膜電阻元件等。

本發明采取的技術方案如下：

一種低TCR陶瓷電阻材料，其化學通式為(Sn_1-xSb_xO₂)(Bi₈TiO₁₄)_y(Sb₂O₃)_w，其中0.03≤x≤0.07，0＜y≤0.2，0≤w≤0.1。

進一步，所述陶瓷電阻材料由Sn_1-xSb_xO₂粉體、Bi₈TiO₁₄粉體和含Sb元素的原料粉體按配比混合后通過燒結制成。

進一步，所述燒結的條件為：在燒結溫度1200～1400℃下保溫3～10小時。

本發明還提供一種低TCR陶瓷芯片電阻，包括瓷體和設于瓷體相對兩面的電極，所述瓷體采用所述的陶瓷電阻材料。

進一步，所述電極為銀電極。

進一步，所述陶瓷芯片電阻的尺寸大小為0.5mm×1.0mm×1.0mm。

本發明還提供所述陶瓷芯片電阻的制備方法，包括以下步驟：

(1)分別制備Sn_1-xSb_xO₂粉體、Bi₈TiO₁₄粉體和含Sb元素的原料粉體；

(2)按配比稱取制得的Sn_1-xSb_xO₂粉體、Bi₈TiO₁₄粉體和含Sb元素的原料粉體，經過球磨混合和干燥后，得到混合干燥粉料；

(3)對混合干燥粉料冷等靜壓，制得坯體；

(4)將坯體燒結，得到陶瓷塊體；

(5)對陶瓷坯體切片，得到陶瓷片；

(6)在陶瓷片上印刷電極；

(7)對印刷有電極的陶瓷片劃切，得到單個的陶瓷芯片電阻。