[發(fā)明專利]一種低TCR陶瓷芯片電阻及其材料和制備

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 202210085460.3
• 申請日: 2022-01-25
• 公開（公告）號: CN114409397B
• 公開（公告）日: 2022-10-21
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 李志成;方超
• 申請（專利權(quán)）人: 廣東愛晟電子科技有限公司
• 主分類號: H01C7/02
• 分類號: H01C7/02;H01C10/00;C04B35/475;C04B35/622;C04B41/88
• 代理公司: 廣州駿思知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 44425
• 代理人: 潘慧馨

1.一種低TCR陶瓷電阻材料，其特征在于，化學通式為(Sn_1-xSb_xO₂)(Bi₈TiO₁₄)_y(Sb₂O₃)_w，其中0.03≤x≤0.07，0＜y≤0.2，0≤w≤0.1。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陶瓷電阻材料，其特征在于，由Sn_1-xSb_xO₂粉體、Bi₈TiO₁₄粉體和含Sb元素的原料粉體按配比混合后通過燒結(jié)制成。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的陶瓷電阻材料，其特征在于，所述燒結(jié)的條件為：在燒結(jié)溫度1200～1400℃下保溫3～10小時。

4.一種低TCR陶瓷芯片電阻，包括瓷體和設(shè)于瓷體兩表面的電極，其特征在于，所述瓷體采用權(quán)利要求1所述的陶瓷電阻材料。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的陶瓷芯片電阻，其特征在于，所述電極為銀電極。

6.根據(jù)權(quán)利要求4或5所述的陶瓷芯片電阻，其特征在于，尺寸大小為0.5mm×1.0mm×1.0mm。

7.權(quán)利要求4所述的低TCR陶瓷芯片電阻的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：

(1)分別制備Sn_1-xSb_xO₂粉體、Bi₈TiO₁₄粉體和含Sb元素的原料粉體；

(2)按配比稱取制得的Sn_1-xSb_xO₂粉體、Bi₈TiO₁₄粉體和含Sb元素的原料粉體，經(jīng)過球磨混合和干燥后，得到混合干燥粉料；

(3)對混合干燥粉料冷等靜壓，制得坯體；

(4)將坯體燒結(jié)，得到陶瓷塊體；

(5)對陶瓷坯體切片，得到陶瓷片；

(6)在陶瓷片上印刷電極；

(7)對印刷有電極的陶瓷片劃切，得到單個的陶瓷芯片電阻。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的制備方法，其特征在于：步驟(2)中，干燥溫度為100～250℃。

9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的制備方法，其特征在于：步驟(3)中，冷等靜壓的壓強為300MPa。

10.根據(jù)權(quán)利要求7-9任一項所述的制備方法，其特征在于：步驟(4)中，燒結(jié)溫度為1200～1400℃，保溫時間為3～10小時。