[發(fā)明專利]顯示器件及其制備方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202210084550.0 | 申請日: | 2022-01-25 |
| 公開(公告)號: | CN114497416A | 公開(公告)日: | 2022-05-13 |
| 發(fā)明(設計)人: | 孫小衛(wèi);梅冠鼎;王愷;劉湃 | 申請(專利權)人: | 南方科技大學 |
| 主分類號: | H01L51/52 | 分類號: | H01L51/52;H01L51/56 |
| 代理公司: | 廣州嘉權專利商標事務所有限公司 44205 | 代理人: | 洪銘福 |
| 地址: | 518055 廣東省*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 顯示 器件 及其 制備 方法 | ||
本申請公開了一種顯示器件及其制備方法,本申請的顯示器件包括基板、反射層、第一微腔調節(jié)層、第一半透明金屬層、第二微腔調節(jié)層和第二半透明金屬層。反射層設置于基板表面;第一微腔調節(jié)層設置于反射層遠離基板的一側;第一半透明金屬層設置于第一微腔調節(jié)層遠離反射層的一側;第二微腔調節(jié)層設置于第一半透明金屬層遠離第一微腔調節(jié)層的一側;第二半透明金屬層設置于第二微腔調節(jié)層遠離第一半透明金屬層的一側。本申請通過設置第一微腔調節(jié)層來調節(jié)廣角干涉、設置第二微腔調節(jié)層來調節(jié)多光束干涉,使得廣角干涉和多光束干涉在目標光譜形成相長干涉,從而對微腔效應進行優(yōu)化,提高顯示器件的取光效率;此外,能夠窄化光譜、提高色純度。
技術領域
本申請涉及顯示領域,尤其是涉及一種顯示器件及制備方法。
背景技術
相關技術中,由于有機發(fā)光二極管、量子點發(fā)光二極管等半導體顯示技術相比于傳統(tǒng)顯示技術具有更高的熒光效率和更寬的色域,因此得到了人們的追捧。然而,現(xiàn)有的半導體顯示器件結構往往僅能針對一階或二階微腔優(yōu)化,對發(fā)光光譜的縮窄效果有限,影響了顯示器件的色純度。
發(fā)明內(nèi)容
本申請旨在至少解決現(xiàn)有技術中存在的技術問題之一。為此,本申請?zhí)岢鲆环N顯示器件,能夠對發(fā)光光譜進行縮窄,從而提高色純度,并且能夠保證可觀的出光效率。
根據(jù)本申請的第一方面實施例的顯示器件,基板;反射層,所述反射層設置于所述基板表面,用于對光線進行反射;第一微腔調節(jié)層,所述第一微腔調節(jié)層設置于所述反射層遠離所述基板的一側,用于調節(jié)廣角干涉和多光束干涉;第一半透明金屬層,所述第一半透明金屬層設置于所述第一微腔調節(jié)層遠離所述反射層的一側;第二微腔調節(jié)層,所述第二微腔調節(jié)層設置于所述第一半透明金屬層遠離所述第一微腔調節(jié)層的一側,用于調節(jié)多光束干涉;第二半透明金屬層,所述第二半透明金屬層設置于所述第二微腔調節(jié)層遠離所述第一半透明金屬層的一側。
根據(jù)本申請實施例的顯示器件,至少具有如下有益效果:通過設置第一微腔調節(jié)層來調節(jié)廣角干涉、設置第二微腔調節(jié)層來調節(jié)多光束干涉,使得廣角干涉和多光束在目標光譜形成相長干涉,從而對微腔效應進行優(yōu)化,提高顯示器件的取光效率;此外,第二半透明金屬層與反射層之間會產(chǎn)生高階微腔(一般為三階微腔),能夠窄化光譜、提高色純度。
根據(jù)本申請的一些實施例,所述顯示器件還包括:發(fā)光組件,所述發(fā)光組件設置于所述第一微腔調節(jié)層和所述第一半透明金屬層之間,用于輸出所述光線。
根據(jù)本申請的一些實施例,所述發(fā)光組件包括:第一傳輸層,所述第一傳輸層設置于所述第一微腔調節(jié)層遠離所述反射層的一側,用于注入并傳輸電子或空穴;發(fā)光層,所述發(fā)光層設置于所述第一傳輸層遠離所述第一微腔調節(jié)層的一側;第二傳輸層,所述第二傳輸層設置于所述發(fā)光層遠離所述第一傳輸層的一側,用于注入并傳輸電子或空穴。
根據(jù)本申請的一些實施例,所述發(fā)光層的材料包括量子點、磷光材料中的一種或多種。
根據(jù)本申請的一些實施例,所述第一微腔調節(jié)層、所述第二微腔調節(jié)層的材料包括氧化銦錫、銦錫氧化物、銦鎵鋅氧化物中的一種或多種。
根據(jù)本申請的一些實施例,所述第一半透明金屬層、所述第二半透明金屬層的材料包括鋁、銀、金、鎂、銅中的一種或多種。
根據(jù)本申請的第二方面實施例的顯示器件的制備方法,包括:在基板表面沉積金屬以得到反射層;在反射層表面沉積透明電極材料以得到第一微腔調節(jié)層;在第一微腔調節(jié)層表面上方沉積金屬材料以得到第一半透明金屬層;在第一半透明金屬層表面沉積透明電極材料以得到第二微腔調節(jié)層;在第二微腔調節(jié)層表面沉積金屬材料以得到第二半透明金屬層。
根據(jù)本申請實施例的顯示器件的制備方法,至少具有如下有益效果:通過沉積的方式制備顯示器件,能夠簡化步驟、降低成本,便于規(guī)模化應用;此外,利用這種方法制備得到的顯示器件具有取光效率高、色純度高的優(yōu)點。
根據(jù)本申請的一些實施例,所述沉積方法包括旋涂、印刷、蒸鍍。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L51-00 使用有機材料作有源部分或使用有機材料與其他材料的組合作有源部分的固態(tài)器件;專門適用于制造或處理這些器件或其部件的工藝方法或設備
H01L51-05 .專門適用于整流、放大、振蕩或切換且并具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的;具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的電容器或電阻器
H01L51-42 .專門適用于感應紅外線輻射、光、較短波長的電磁輻射或微粒輻射;專門適用于將這些輻射能轉換為電能,或者適用于通過這樣的輻射進行電能的控制
H01L51-50 .專門適用于光發(fā)射的,如有機發(fā)光二極管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料選擇





