[發(fā)明專利]顯示器件及其制備方法

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 202210084550.0
• 申請日: 2022-01-25
• 公開（公告）號: CN114497416A
• 公開（公告）日: 2022-05-13
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 孫小衛(wèi);梅冠鼎;王愷;劉湃
• 申請（專利權(quán)）人: 南方科技大學(xué)
• 主分類號: H01L51/52
• 分類號: H01L51/52;H01L51/56
• 代理公司: 廣州嘉權(quán)專利商標(biāo)事務(wù)所有限公司 44205
• 代理人: 洪銘福

1.顯示器件，其特征在于，包括：

基板；

反射層，所述反射層設(shè)置于所述基板表面，用于對光線進(jìn)行反射；

第一微腔調(diào)節(jié)層，所述第一微腔調(diào)節(jié)層設(shè)置于所述反射層遠(yuǎn)離所述基板的一側(cè)，用于調(diào)節(jié)廣角干涉和多光束干涉；

第一半透明金屬層，所述第一半透明金屬層設(shè)置于所述第一微腔調(diào)節(jié)層遠(yuǎn)離所述反射層的一側(cè)；

第二微腔調(diào)節(jié)層，所述第二微腔調(diào)節(jié)層設(shè)置于所述第一半透明金屬層遠(yuǎn)離所述第一微腔調(diào)節(jié)層的一側(cè)，用于調(diào)節(jié)多光束干涉；

第二半透明金屬層，所述第二半透明金屬層設(shè)置于所述第二微腔調(diào)節(jié)層遠(yuǎn)離所述第一半透明金屬層的一側(cè)。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示器件，其特征在于，所述顯示器件還包括：

發(fā)光組件，所述發(fā)光組件設(shè)置于所述第一微腔調(diào)節(jié)層和所述第一半透明金屬層之間，用于輸出所述光線。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的顯示器件，其特征在于，所述發(fā)光組件包括：

第一傳輸層，所述第一傳輸層設(shè)置于所述第一微腔調(diào)節(jié)層遠(yuǎn)離所述反射層的一側(cè)，用于注入并傳輸電子或空穴；

發(fā)光層，所述發(fā)光層設(shè)置于所述第一傳輸層遠(yuǎn)離所述第一微腔調(diào)節(jié)層的一側(cè)；

第二傳輸層，所述第二傳輸層設(shè)置于所述發(fā)光層遠(yuǎn)離所述第一傳輸層的一側(cè)，用于注入并傳輸電子或空穴。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的顯示器件，其特征在于，所述發(fā)光層的材料包括量子點(diǎn)、磷光材料中的一種或多種。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示器件，其特征在于，所述第一微腔調(diào)節(jié)層、所述第二微腔調(diào)節(jié)層的材料包括氧化銦錫、銦錫氧化物、銦鎵鋅氧化物中的一種或多種。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示器件，其特征在于，所述第一半透明金屬層、所述第二半透明金屬層的材料包括鋁、銀、金、鎂、銅中的一種或多種。

7.顯示器件的制備方法，其特征在于，包括：

在基板表面沉積金屬以得到反射層；

在反射層表面沉積透明電極材料以得到第一微腔調(diào)節(jié)層；

在第一微腔調(diào)節(jié)層表面上方沉積金屬材料以得到第一半透明金屬層；

在第一半透明金屬層表面沉積透明電極材料以得到第二微腔調(diào)節(jié)層；

在第二微腔調(diào)節(jié)層表面沉積金屬材料以得到第二半透明金屬層。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的顯示器件的制備方法，其特征在于，沉積方法包括旋涂、印刷、蒸鍍。