[發(fā)明專(zhuān)利]半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其形成方法

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202210083536.9
• 申請(qǐng)日: 2022-01-25
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN114628328A
• 公開(kāi)（公告）日: 2022-06-14
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 蘇煥杰;諶俊元;游力蓁;黃麟淯;張羅衡;莊正吉;王志豪
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 臺(tái)灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): H01L21/8234
• 分類(lèi)號(hào): H01L21/8234;H01L27/088
• 代理公司: 北京德恒律治知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11409
• 代理人: 章社杲;李偉

提供了半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其形成方法。根據(jù)一個(gè)實(shí)施例，半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)包括：第一納米結(jié)構(gòu)；第一柵極結(jié)構(gòu)，包裹第一納米結(jié)構(gòu)中的每個(gè)并且設(shè)置在隔離結(jié)構(gòu)上方；以及背側(cè)柵極接觸件，設(shè)置在第一納米結(jié)構(gòu)下方并且與隔離結(jié)構(gòu)相鄰。第一柵極結(jié)構(gòu)的底面與背側(cè)柵極接觸件直接接觸。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明的實(shí)施例涉及半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其形成方法。

背景技術(shù)

半導(dǎo)體集成電路(IC)工業(yè)經(jīng)歷了指數(shù)增長(zhǎng)。IC材料和設(shè)計(jì)的技術(shù)進(jìn)步已經(jīng)產(chǎn)生了多代IC，其中每一代都具有比上一代更小和更復(fù)雜的電路。在IC演進(jìn)過(guò)程中，功能密度(即每個(gè)芯片面積的互連器件的數(shù)量)普遍增加，而幾何尺寸(即，可以使用制造工藝創(chuàng)建的最小組件(或線(xiàn)))減小。這種按比例縮小工藝通常通過(guò)提高生產(chǎn)效率和降低相關(guān)成本來(lái)提供益處。

這種按比例縮小還增加了處理和制造IC的復(fù)雜性。

在IC設(shè)計(jì)中，多個(gè)器件可以組合在一起作為單元或標(biāo)準(zhǔn)單元以執(zhí)行某些電路功能。這樣的單元或標(biāo)準(zhǔn)單元可以執(zhí)行邏輯運(yùn)算，諸如NAND、AND、OR、NOR或反相器，或者用作存儲(chǔ)器單元，諸如靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(SRAM)單元。互連單元的金屬線(xiàn)的數(shù)量是確定單元的尺寸(諸如單元高度)的因素。一些現(xiàn)有技術(shù)已經(jīng)包括背側(cè)源極/漏極接觸件，以努力減少前側(cè)金屬線(xiàn)。雖然至半導(dǎo)體器件的現(xiàn)有的接觸結(jié)構(gòu)對(duì)于它們的預(yù)期目的通常已經(jīng)足夠，但是它們不是在所有方面都令人滿(mǎn)意。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明的實(shí)施例提供了一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，包括：第一納米結(jié)構(gòu)；第一柵極結(jié)構(gòu)，包裹所述第一納米結(jié)構(gòu)中的每個(gè)并且設(shè)置在隔離結(jié)構(gòu)上方；以及背側(cè)柵極接觸件，設(shè)置在所述第一納米結(jié)構(gòu)下方并且與所述隔離結(jié)構(gòu)相鄰，其中，所述第一柵極結(jié)構(gòu)的底面與所述背側(cè)柵極接觸件直接接觸。

本發(fā)明的又一實(shí)施例提供了一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，包括：第一多個(gè)納米結(jié)構(gòu)；第一柵極結(jié)構(gòu)，包裹所述第一多個(gè)納米結(jié)構(gòu)中的每個(gè)；第一覆蓋層，設(shè)置在所述第一柵極結(jié)構(gòu)的頂面上；背側(cè)柵極接觸件，與所述第一柵極結(jié)構(gòu)的底面直接接觸，所述底面與所述頂面相對(duì)；第二多個(gè)納米結(jié)構(gòu)；第二柵極結(jié)構(gòu)，包裹所述第二多個(gè)納米結(jié)構(gòu)中的每個(gè)；第二覆蓋層，設(shè)置在所述第二柵極結(jié)構(gòu)上；以及前側(cè)柵極接觸件，與所述第二覆蓋層直接接觸。

本發(fā)明的又一實(shí)施例提供了一種形成半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的方法，包括：接收工件，所述工件包括：第一納米結(jié)構(gòu)，設(shè)置在第一臺(tái)面結(jié)構(gòu)上方，第二納米結(jié)構(gòu)，設(shè)置在第二臺(tái)面結(jié)構(gòu)上方，第一柵極結(jié)構(gòu)，包裹所述第一納米結(jié)構(gòu)，第二柵極結(jié)構(gòu)，包裹所述第二納米結(jié)構(gòu)，第一源/漏極部件，夾在所述第一納米結(jié)構(gòu)和所述第二納米結(jié)構(gòu)之間，第二源極/漏極部件，通過(guò)所述第二納米結(jié)構(gòu)與所述第一源極/漏極部件間隔開(kāi)，第一偽外延插塞，位于所述第一源極/漏極部件下方并且位于所述第一臺(tái)面結(jié)構(gòu)和所述第二臺(tái)面結(jié)構(gòu)之間，和第二偽外延插塞，位于所述第二源極/漏極部件下方并且與所述第二臺(tái)面結(jié)構(gòu)相鄰；用背側(cè)源極/漏極接觸件替換所述第二偽外延插塞；用背側(cè)介電部件替換所述第一臺(tái)面結(jié)構(gòu)；用介電插塞替換所述第一偽外延插塞；以及用與所述第一柵極結(jié)構(gòu)直接接觸的背側(cè)柵極接觸件替換所述背側(cè)介電部件。

附圖說(shuō)明

當(dāng)結(jié)合附圖進(jìn)行閱讀時(shí)，從以下詳細(xì)描述可最佳理解本發(fā)明的各方面。應(yīng)該強(qiáng)調(diào)，根據(jù)工業(yè)中的標(biāo)準(zhǔn)實(shí)踐，各個(gè)部件未按比例繪制并且僅用于說(shuō)明的目的。實(shí)際上，為了清楚的討論，各個(gè)部件的尺寸可以任意地增大或減小。

圖1示出了根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)或多個(gè)方面的用于形成具有背側(cè)接觸件的半導(dǎo)體器件的方法的流程圖。

圖2至圖16示出了根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)或多個(gè)方面在根據(jù)圖1的方法的制造工藝期間工件的局部立體圖或局部頂視圖。

圖17至圖21示出了根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)或多個(gè)方面的使用圖1的方法制造的可選半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的局部立體圖。

具體實(shí)施方式