[發(fā)明專利]半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其形成方法

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202210083536.9
• 申請(qǐng)日: 2022-01-25
• 公開（公告）號(hào): CN114628328A
• 公開（公告）日: 2022-06-14
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 蘇煥杰;諶俊元;游力蓁;黃麟淯;張羅衡;莊正吉;王志豪
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 臺(tái)灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號(hào): H01L21/8234
• 分類號(hào): H01L21/8234;H01L27/088
• 代理公司: 北京德恒律治知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11409
• 代理人: 章社杲;李偉

1.一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，包括：

第一納米結(jié)構(gòu)；

第一柵極結(jié)構(gòu)，包裹所述第一納米結(jié)構(gòu)中的每個(gè)并且設(shè)置在隔離結(jié)構(gòu)上方；以及

背側(cè)柵極接觸件，設(shè)置在所述第一納米結(jié)構(gòu)下方并且與所述隔離結(jié)構(gòu)相鄰，

其中，所述第一柵極結(jié)構(gòu)的底面與所述背側(cè)柵極接觸件直接接觸。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，還包括：

第二納米結(jié)構(gòu)；

第二柵極結(jié)構(gòu)，包裹所述第二納米結(jié)構(gòu)中的每個(gè)并且設(shè)置在所述隔離結(jié)構(gòu)上方；以及

前側(cè)柵極接觸件，設(shè)置在所述第二納米結(jié)構(gòu)上方并且遠(yuǎn)離所述隔離結(jié)構(gòu)，

其中，所述第二柵極結(jié)構(gòu)電耦接至所述前側(cè)柵極接觸件。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其中，所述前側(cè)柵極接觸件通過柵極覆蓋層電耦接至所述第二柵極結(jié)構(gòu)。

4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，還包括：

第一源極/漏極部件，耦接至所述第二納米結(jié)構(gòu)的端面；以及

背側(cè)源極/漏極接觸件，設(shè)置在所述第二納米結(jié)構(gòu)下方并且與所述隔離結(jié)構(gòu)相鄰，

其中，所述背側(cè)源極/漏極接觸件電耦接至所述第一源極/漏極部件。

5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，還包括：

第二源極/漏極部件，耦接至所述第一納米結(jié)構(gòu)和所述第二納米結(jié)構(gòu)并且夾在所述第一納米結(jié)構(gòu)和所述第二納米結(jié)構(gòu)之間；以及

介電插塞，設(shè)置在所述第二源極/漏極部件下方，

其中，所述介電插塞與所述隔離結(jié)構(gòu)和所述背側(cè)柵極接觸件相鄰。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，還包括：

襯墊，從所述背側(cè)柵極接觸件和所述隔離結(jié)構(gòu)之間延伸至所述背側(cè)柵極接觸件和所述介電插塞之間。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，

其中，所述介電插塞和所述隔離結(jié)構(gòu)包括氧化硅，

其中，所述襯墊包括氮化硅。

8.根據(jù)權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其中，所述第二納米結(jié)構(gòu)設(shè)置在背側(cè)介電層上方。

9.一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，包括：

第一多個(gè)納米結(jié)構(gòu)；

第一柵極結(jié)構(gòu)，包裹所述第一多個(gè)納米結(jié)構(gòu)中的每個(gè)；

第一覆蓋層，設(shè)置在所述第一柵極結(jié)構(gòu)的頂面上；

背側(cè)柵極接觸件，與所述第一柵極結(jié)構(gòu)的底面直接接觸，所述底面與所述頂面相對(duì)；

第二多個(gè)納米結(jié)構(gòu)；

第二柵極結(jié)構(gòu)，包裹所述第二多個(gè)納米結(jié)構(gòu)中的每個(gè)；

第二覆蓋層，設(shè)置在所述第二柵極結(jié)構(gòu)上；以及

前側(cè)柵極接觸件，與所述第二覆蓋層直接接觸。

10.一種形成半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的方法，包括：

接收工件，所述工件包括：

第一納米結(jié)構(gòu)，設(shè)置在第一臺(tái)面結(jié)構(gòu)上方，

第二納米結(jié)構(gòu)，設(shè)置在第二臺(tái)面結(jié)構(gòu)上方，

第一柵極結(jié)構(gòu)，包裹所述第一納米結(jié)構(gòu)，

第二柵極結(jié)構(gòu)，包裹所述第二納米結(jié)構(gòu)，

第一源/漏極部件，夾在所述第一納米結(jié)構(gòu)和所述第二納米結(jié)構(gòu)之間，

第二源極/漏極部件，通過所述第二納米結(jié)構(gòu)與所述第一源極/漏極部件間隔開，

第一偽外延插塞，位于所述第一源極/漏極部件下方并且位于所述第一臺(tái)面結(jié)構(gòu)和所述第二臺(tái)面結(jié)構(gòu)之間，和

第二偽外延插塞，位于所述第二源極/漏極部件下方并且與所述第二臺(tái)面結(jié)構(gòu)相鄰；

用背側(cè)源極/漏極接觸件替換所述第二偽外延插塞；

用背側(cè)介電部件替換所述第一臺(tái)面結(jié)構(gòu)；

用介電插塞替換所述第一偽外延插塞；以及

用與所述第一柵極結(jié)構(gòu)直接接觸的背側(cè)柵極接觸件替換所述背側(cè)介電部件。