[發明專利]一種半導體結構的制作方法有效
| 申請號： | 202210076893.2 | 申請日： | 2022-01-24 |
| 公開（公告）號： | CN114093806B | 公開（公告）日： | 2022-04-19 |
| 發明（設計）人： | 朱瑤 | 申請（專利權）人： | 晶芯成（北京）科技有限公司;合肥晶合集成電路股份有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/762 | 分類號： | H01L21/762 |
| 代理公司： | 上海光華專利事務所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 王積毅 |
| 地址： | 102199 北京市大興區經濟技術開發*** | 國省代碼： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 半導體 結構 制作方法 | ||
1.一種半導體結構的制作方法，其特征在于，包括：
提供一襯底；
在所述襯底上形成第一類型淺溝槽和第二類型淺溝槽，且所述第一類型淺溝槽的開口面積大于所述第二類型淺溝槽的開口面積；
在所述第一類型淺溝槽和所述第二類型淺溝槽內形成第一襯層；
在所述第二類型淺溝槽內形成第二襯層，且所述第二襯層設置在所述第一襯層上；以及
在所述第一類型淺溝槽和所述第二類型淺溝槽內沉積隔離介質；
其中，所述隔離介質在所述第一類型淺溝槽與所述第二類型淺溝槽內的沉積速率比為1.1:1~2:1。
2.根據權利要求1所述的半導體結構的制作方法，其特征在于，所述第一襯層覆蓋所述半導體襯底、所述第一類型淺溝槽和所述第二類型淺溝槽。
3.根據權利要求2所述的半導體結構的制作方法，其特征在于，所述第一襯層為氧化硅，且所述第一襯層的厚度為5~20nm。
4.根據權利要求1所述的半導體結構的制作方法，其特征在于，所述第一襯層的形成包括以下步驟：
將帶有所述第一類型淺溝槽和所述第二類型淺溝槽的所述襯底放入爐管中；以及
向所述爐管中通入干燥的氧氣，以形成所述第一襯層。
5.根據權利要求1所述的半導體結構的制作方法，其特征在于，所述第二襯層為氮化硅，且所述第二襯層的厚度為5~20nm。
6.根據權利要求1所述的半導體結構的制作方法，其特征在于，所述第二襯層的形成包括以下步驟：
將帶有所述第一襯層的所述襯底放入爐管中；
在所述第一襯層上形成所述第二襯層；
圖案化所述第二襯層：以及
去除所述第一類型淺溝槽內的所述第二襯層，以在所述第二類型淺溝槽內形成所述第二襯層。
7.根據權利要求1所述的半導體結構的制作方法，其特征在于，所述隔離介質的形成包括以下步驟：
將形成所述第二襯層的所述襯底放入反應室中；以及
向所述反應室內通入臭氧和四乙氧基硅烷的混合氣體，以形成所述隔離介質。
8.根據權利要求7所述的半導體結構的制作方法，其特征在于，所述臭氧的流量為16000~27000sccm。
9.根據權利要求7所述的半導體結構的制作方法，其特征在于，所述四乙氧基硅烷的流量為1100~2700mgm。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
