[發明專利]一種鈣鈦礦墨水以及其應用在審
| 申請號: | 202210076369.5 | 申請日: | 2022-01-21 |
| 公開(公告)號: | CN114464692A | 公開(公告)日: | 2022-05-10 |
| 發明(設計)人: | 李望南;宋克萌;程家豪;山承才;周鵬;劉鎏;李俊彬;盧少娟;陳美華;梁桂杰;汪競陽;鐘志成;黃福志 | 申請(專利權)人: | 湖北文理學院 |
| 主分類號: | H01L31/032 | 分類號: | H01L31/032;H01L31/18;H01L31/0352 |
| 代理公司: | 深圳市世紀恒程知識產權代理事務所 44287 | 代理人: | 熊海武 |
| 地址: | 441053 *** | 國省代碼: | 湖北;42 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 鈣鈦礦 墨水 及其 應用 | ||
1.一種鈣鈦礦墨水,其特征在于,包括以下組分:
二甲胺氫碘酸鹽、碘化鉛、碘化銫和混合溶劑,
其中,所述混合溶劑包括二甲基甲酰胺和二甲基亞砜,所述二甲基甲酰胺與二甲基亞砜的體積比為6.8~7.2:2.8~3.2。
2.如權利要求1所述的鈣鈦礦墨水,其特征在于,所述鈣鈦礦墨水中,每1mL所述混合溶劑中加入75~77mg所述二甲胺氫碘酸鹽、229~233mg碘化鉛和128~131mg碘化銫。
3.一種全無機鈣鈦礦太陽能電池的制備方法,其特征在于,包括以下步驟:
S10、在基底上設置電子傳輸層;
S20、在所述電子傳輸層上旋涂如權利要求1或2所述的鈣鈦礦墨水,然后在160~180℃退火25~35min,得到鈣鈦礦薄膜;
S30、在所述鈣鈦礦薄膜上設置空穴傳輸層;
S40、在所述空穴傳輸層上設置金屬電極層,得到全無機鈣鈦礦太陽能電池。
4.如權利要求3所述的全無機鈣鈦礦太陽能電池的制備方法,其特征在于,步驟S10包括:
將鈦酸正丁酯溶液旋涂在基底表面,在120~130℃退火4~6min,然后在常溫下退火25~35min,得到設置在基底上的電子傳輸層。
5.如權利要求4所述的全無機鈣鈦礦太陽能電池的制備方法,其特征在于,所述鈦酸正丁酯溶液的濃度為0.14~0.16mol/L;
所述旋涂的旋涂速率為1800~2200rpm,旋涂時間為25~30s。
6.如權利要求3所述的全無機鈣鈦礦太陽能電池的制備方法,其特征在于,步驟S20包括:
在所述電子傳輸層上,鈣鈦礦墨水先以900~1200rpm旋涂4~6s,再以5800~6200rpm旋涂28~33s。
7.如權利要求3所述的全無機鈣鈦礦太陽能電池的制備方法,其特征在于,步驟S30包括:
在所述鈣鈦礦薄膜上旋涂P3HT溶液,然后在95~105℃退火2~4min,得到空穴傳輸層。
8.如權利要求7所述的全無機鈣鈦礦太陽能電池的制備方法,其特征在于,所述P3HT溶液的濃度為14~16mg/mL;
所述旋涂的旋涂速率為3800~4200rpm,旋涂時間為25~30s。
9.如權利要求3所述的全無機鈣鈦礦太陽能電池的制備方法,其特征在于,步驟S40包括:
在所述空穴傳輸層上采用真空蒸鍍的方式沉積Ag,得到金屬電極層。
10.如權利要求9所述的全無機鈣鈦礦太陽能電池的制備方法,其特征在于,所述金屬電極層的厚度為80~100nm;和/或,
所述真空蒸鍍的真空度為2.5×10-5Pa。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件;專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發光光源在結構上相連的,并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的





