[發明專利]曝光工具及使用曝光工具的方法

在審

• 申請號: 202210073918.3
• 申請日: 2022-01-21
• 公開（公告）號: CN114690586A
• 公開（公告）日: 2022-07-01
• 發明（設計）人: 吳旻政;黃靜茹
• 申請（專利權）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: G03F7/20
• 分類號: G03F7/20
• 代理公司: 北京律誠同業知識產權代理有限公司 11006
• 代理人: 徐金國

本文描述的一些實施方式提供了一種曝光工具及使用曝光工具的方法。該曝光工具包括遮罩變形偵測器及一或多個處理器，該一或多個處理器用以在掃描晶圓的多個場的掃描制程期間經由遮罩變形偵測器獲取與遮罩相關聯的遮罩變形信息。一或多個處理器在掃描制程期間基于遮罩變形信息多次判定遮罩的變形，且在掃描制程期間基于遮罩的變形多次執行對曝光工具的一或多個組件的一或多次調整。

技術領域

本揭露關于一種曝光工具及使用曝光工具的方法。

背景技術

半導體制造中的微影術(例如，光微影術)為將圖案轉移至晶圓的制程。微影術可包括經由遮罩(例如，光罩)施加光且施加至晶圓場上。遮罩為配置有圖案(例如，晶粒層圖案、集成電路圖案等)的設備，該圖案在微影術制程期間轉移至晶圓。遮罩可包括其上形成有圖案的微影罩幕、微影罩幕或遮罩所附接的框架及保護圖案免受損壞及灰塵的薄膜層，否則該些損壞及灰塵會導致圖案轉移至基板。

發明內容

本揭露關于一種曝光工具。曝光工具包含一遮罩變形偵測器；及一或多個處理器，用以：在一掃描制程期間的多個實例中，經由該遮罩變形偵測器獲取與一遮罩相關聯的遮罩變形信息，該掃描制程包括以下步驟：掃描一晶圓的多個場；在該掃描制程期間，基于該遮罩變形信息，判定該遮罩在多個實例中的一變形；及在該掃描制程期間，基于該遮罩在該些實例下的該變形，多次對該曝光工具的一或多個組件進行一或多次調整。

本揭露關于一種使用曝光工具的方法。使用曝光工具的方法包含以下步驟。通過一曝光工具對一晶圓的一第一場進行一第一次掃描，該第一次掃描包括以下步驟：將一電磁場投射穿過一遮罩且投射至該晶圓的該第一場上；通過一遮罩變形偵測器獲取與該第一次掃描期間該遮罩的變形相關聯的遮罩變形信息；基于該遮罩變形信息，對該曝光工具的一或多個組件進行一或多次調整；及通過該曝光工具且在對該曝光工具的該一或多個組件進行該一或多次調整之后，對該晶圓的一第二場進行一第二次掃描，該第二次掃描包括以下步驟：將該電磁場投射穿過該遮罩且投射至該晶圓的該第二場。

本揭露關于一種曝光工具。曝光工具包含：一掃描組件，用以執行一掃描制程，該掃描制程包含引導光穿過一遮罩且朝向一晶圓的步驟；一遮罩變形偵測器，用以在該掃描制程的多個實例中獲取與在該掃描制程期間該晶圓的多個不同場的多個掃描相關聯的遮罩變形信息；一投射透鏡，用以在該掃描制程期間基于與該掃描制程期間該晶圓的該些不同場的該些掃描相關聯的該遮罩變形信息進行調整；及一遮罩外殼，用以將該遮罩定位在該掃描組件與該投射透鏡之間。

附圖說明

結合附圖，根據以下詳細描述可以最好地理解本揭示內容的各態樣。注意，根據行業中的標準實務，各種特征未按比例繪制。實際上，為了討論清楚起見，各種特征的尺寸可任意增加或減小。

圖1為本文描述的曝光工具的實例的圖；

圖2為結合圖1的曝光工具描述的遮罩變形的實例的圖；

圖3為結合圖1的曝光工具描述的晶圓的實例的圖；

圖4為與圖1的曝光工具一起使用的本文描述的校正像差的實例的圖；

圖5為結合圖1的曝光工具描述的曝光工具的一部分的實例的圖；

圖6為結合圖1的曝光工具描述的曝光工具的一部分的實例的圖；

圖7為結合圖1的曝光工具描述的曝光工具的實例的圖；

圖8為圖1的一或多個裝置的例示性組件的圖；

圖9為與像差校正有關的例示性制程的流程圖。

【符號說明】

100:曝光工具

102:掃描組件

104:光學元件

106:遮罩變形偵測器