[發明專利]曝光工具及使用曝光工具的方法在審
| 申請號: | 202210073918.3 | 申請日: | 2022-01-21 |
| 公開(公告)號: | CN114690586A | 公開(公告)日: | 2022-07-01 |
| 發明(設計)人: | 吳旻政;黃靜茹 | 申請(專利權)人: | 臺灣積體電路制造股份有限公司 |
| 主分類號: | G03F7/20 | 分類號: | G03F7/20 |
| 代理公司: | 北京律誠同業知識產權代理有限公司 11006 | 代理人: | 徐金國 |
| 地址: | 中國臺灣新竹市*** | 國省代碼: | 臺灣;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 曝光 工具 使用 方法 | ||
1.一種曝光工具,其特征在于,包含:
一遮罩變形偵測器;及
一或多個處理器,用以:
在一掃描制程期間的多個實例中,經由該遮罩變形偵測器獲取與一遮罩相關聯的遮罩變形信息,該掃描制程包括以下步驟:掃描一晶圓的多個場;
在該掃描制程期間,基于該遮罩變形信息,判定該遮罩在多個實例中的一變形;及
在該掃描制程期間,基于該遮罩在該些實例下的該變形,多次對該曝光工具的一或多個組件進行一或多次調整。
2.根據權利要求1所述的曝光工具,其特征在于,該曝光工具的該一或多個組件的該一或多次調整用以減少或消除在不進行該一或多次調整的情況下由該遮罩的該變形引起的一像差。
3.根據權利要求1所述的曝光工具,其特征在于,用于執行該曝光工具的該一或多個組件的該一或多次調整的該一或多個處理器用以引起以下中的一或多者:
基于該遮罩的該變形將該遮罩更換為一替換遮罩,或
調整該曝光工具的一投射透鏡。
4.根據權利要求1所述的曝光工具,其特征在于,用于執行該曝光工具的該一或多個組件的該一或多次調整的該一或多個處理器用以:
在該晶圓的一第一場的一第一次掃描與該晶圓的一第二場的一第二次掃描之間執行該曝光工具的該一或多個組件的該一或多次調整,或
在該晶圓的該第一場的該第一次掃描期間執行該曝光工具的該一或多個組件的該一或多次調整。
5.根據權利要求1所述的曝光工具,其特征在于,該遮罩變形偵測器包含一遮罩溫度感測器,用以在該掃描制程期間量測該遮罩的一溫度。
6.根據權利要求5所述的曝光工具,其特征在于,該一或多個處理器用以:
基于該掃描制程期間該遮罩的該溫度估計該遮罩的該變形。
7.根據權利要求5所述的曝光工具,其特征在于,該一或多個處理器用以基于該遮罩的多個量測溫度與該掃描制程的多個像差的一映射來判定一像差漂移,且
其中用于在該掃描制程期間執行該曝光工具的該一或多個組件的該一或多次調整的該一或多個處理器用以:
在該掃描制程期間基于該像差漂移執行該曝光工具的該一或多個組件的該一或多次調整。
8.根據權利要求5所述的曝光工具,其特征在于,該遮罩溫度感測器位于一掃描組件上或附近,該掃描組件用以引導光穿過該遮罩且朝向該晶圓,且
其中該遮罩溫度感測器與該掃描組件的一掃描方向對準。
9.一種使用曝光工具的方法,其特征在于,包含以下步驟:
通過一曝光工具對一晶圓的一第一場進行一第一次掃描,該第一次掃描包括以下步驟:將一電磁場投射穿過一遮罩且投射至該晶圓的該第一場上;
通過一遮罩變形偵測器獲取與該第一次掃描期間該遮罩的變形相關聯的遮罩變形信息;
基于該遮罩變形信息,對該曝光工具的一或多個組件進行一或多次調整;及
通過該曝光工具且在對該曝光工具的該一或多個組件進行該一或多次調整之后,對該晶圓的一第二場進行一第二次掃描,該第二次掃描包括以下步驟:將該電磁場投射穿過該遮罩且投射至該晶圓的該第二場。
10.一種曝光工具,其特征在于,包含:
一掃描組件,用以執行一掃描制程,該掃描制程包含以下步驟:引導光穿過一遮罩且朝向一晶圓;
一遮罩變形偵測器,用以在該掃描制程的多個實例中獲取與在該掃描制程期間該晶圓的多個不同場的多個掃描相關聯的遮罩變形信息;
一投射透鏡,用以在該掃描制程期間基于與該掃描制程期間該晶圓的該些不同場的該些掃描相關聯的該遮罩變形信息進行調整;及
一遮罩外殼,用以將該遮罩定位在該掃描組件與該投射透鏡之間。
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