[發明專利]大尺寸高熵高純度難熔金屬合金濺射靶材及其制備工藝

在審

• 申請號: 202210072452.5
• 申請日: 2022-01-21
• 公開（公告）號: CN114525485A
• 公開（公告）日: 2022-05-24
• 發明（設計）人: 徐從康;馬賽;賀濤;陳簫簫
• 申請（專利權）人: 亞芯半導體材料（江蘇）有限公司;亞芯電子科技（常州）有限公司
• 主分類號: C23C14/35
• 分類號: C23C14/35;C22C30/00;C23C16/08
• 代理公司: 常州市權航專利代理有限公司 32280
• 代理人: 周潔

1.一種合金濺射靶材制備工藝，其特征在于，包括以下步驟：

步驟S1，將金屬粉與用氟和/或氯元素氣體反應，制備出鹵化物前驅體；

步驟S2，對鹵化物前驅體進行提純，得到高純度鹵化物；

步驟S3，將高純度鹵化物采用化學氣相沉積法用還原氣體還原成高純金屬；

步驟S4，將高純金屬沉積到基體材料上，一步法生產出大尺寸高熵高純度難熔金屬合金濺射靶材。

2.如權利要求1所述的合金濺射靶材制備工藝，其特征在于，

所述步驟S1中將金屬粉與用氟和/或氯元素氣體反應，制備得到的鹵化物前驅體通入低溫容器內以液體形式收集。

3.如權利要求1所述的合金濺射靶材制備工藝，其特征在于，

所述步驟S2中對鹵化物前驅體進行提純依次包括真空蒸餾法、吸附法和金屬還原法或多次蒸餾法中的一種。

4.如權利要求1所述的合金濺射靶材制備工藝，其特征在于，

所述基體材料包括銅、鋁、鎳和鈦中的一種或多種。

5.一種采用如權利要求1中所述的制備工藝制得的大尺寸高熵高純度難熔金屬合金濺射靶材。

6.如權利要求5所述的大尺寸高熵高純度難熔金屬合金濺射靶材，其特征在于，

所述大尺寸高熵高純度難熔金屬合金濺射靶材的純度為99.9999％～99.99999％；

所述大尺寸高熵高純度難熔金屬合金濺射靶材的相對密度不低于99.5％。

7.如權利要求5所述的大尺寸高熵高純度難熔金屬合金濺射靶材，其特征在于，

所述大尺寸高熵高純度難熔金屬合金濺射靶材為條形時，其長度為100～1000mm、寬度為100～600mm；或

所述大尺寸高熵高純度難熔金屬合金濺射靶材為圓柱狀時，其直徑為100～600mm、厚度為1～40mm。

8.如權利要求5所述的大尺寸高熵高純度難熔金屬合金濺射靶材，其特征在于，

所述大尺寸高熵高純度難熔金屬合金濺射靶材中所述高純金屬的沉積方向或晶粒的生長方向與濺射面垂直。

9.如權利要求5所述的大尺寸高熵高純度難熔金屬合金濺射靶材，其特征在于，

所述大尺寸高熵高純度難熔金屬合金濺射靶材的平均晶粒尺寸為30～60μm。

10.一種采用如權利要求5中所述大尺寸高熵高純度難熔金屬合金濺射靶材用于半導體集成電路芯片。