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[發明專利]集成電路、可折疊封裝結構及其形成方法有效

專利信息
申請號: 202210068986.0 申請日: 2022-01-21
公開(公告)號: CN114093773B 公開(公告)日: 2022-04-12
發明(設計)人: 張琳;王訓朋;李華文 申請(專利權)人: 威海艾迪科電子科技股份有限公司
主分類號: H01L21/48 分類號: H01L21/48;H01L21/56;H01L23/31;H01L23/498;B82Y30/00;B82Y40/00
代理公司: 蘇州三英知識產權代理有限公司 32412 代理人: 潘時偉
地址: 264200 山東省威海*** 國省代碼: 山東;37
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摘要:
搜索關鍵詞: 集成電路 可折疊 封裝 結構 及其 形成 方法
【權利要求書】:

1.一種可折疊封裝結構的形成方法,其特征在于:包括以下步驟:

步驟1:提供一載體襯底,在所述載體襯底上形成第一柔性封裝層;

步驟2:在所述第一柔性封裝層的兩側面分別形成多個第一溝槽;

步驟3:利用圖案化掩膜版在所述第一柔性封裝層上旋涂金屬納米線懸浮液體和黑磷納米片溶液以形成柔性復合導電線路層,所述柔性復合導電線路層填滿多個所述第一溝槽;

步驟4:在所述第一柔性封裝層上安裝多個第一半導體芯片、多個第二半導體芯片以及多個第三半導體芯片,所述多個第一半導體芯片與所述多個第二半導體芯片之間只有一個第一彎折區,所述多個第二半導體芯片與所述多個第三半導體芯片之間只有一個第二彎折區;

步驟5:在所述第一柔性封裝層上形成第二柔性封裝層,所述第二柔性封裝層包裹所述多個第一半導體芯片、所述多個第二半導體芯片和所述多個第三半導體芯片;

步驟6:對所述第二柔性封裝層的一端進行開孔處理以形成多個第一開孔,多個所述第一開孔均露出所述柔性復合導電線路層,在多個所述第一開孔中沉積導電材料以形成多個第一導電通孔;

步驟7:在所述第二柔性封裝層上旋涂金屬納米線懸浮液體和黑磷納米片溶液以形成第一柔性電極層,所述第一柔性電極層通過多個所述第一導電通孔與所述柔性復合導電線路層電連接,在所述第一柔性電極層上形成超薄絕緣介質層,所述超薄絕緣介質層厚度為5-9納米;

步驟8:在所述第二柔性封裝層的另一端進行開孔處理以形成多個第二開孔,多個所述第二開孔均露出所述柔性復合導電線路層,在多個所述第二開孔中沉積導電材料以形成多個第二導電通孔;

步驟9:在所述超薄絕緣介質層上旋涂金屬納米線懸浮液體和黑磷納米片溶液以形成第二柔性電極層,所述第二柔性電極層通過多個所述第二導電通孔與所述柔性復合導電線路層電連接,所述第一柔性電極層、所述超薄絕緣介質層和所述第二柔性電極層組成柔性電容元件,去除所述載體襯底以得到所述可折疊封裝結構。

2.根據權利要求1所述的可折疊封裝結構的形成方法,其特征在于:通過激光或機械刀具對所述第一柔性封裝層進行切割處理以形成多個所述第一溝槽,所述第一溝槽的深度與所述第一柔性封裝層的厚度的比值范圍為0.2-0.5。

3.根據權利要求1所述的可折疊封裝結構的形成方法,其特征在于:在所述步驟3中,交替旋涂金屬納米線懸浮液體和黑磷納米片溶液以形成柔性復合導電線路層,交替的次數為5-10次,所述金屬納米線是金納米線、銀納米線或銅納米線。

4.根據權利要求1所述的可折疊封裝結構的形成方法,其特征在于:所述第一、第二柔性封裝層的材質包括聚酰亞胺、聚碳酸酯、聚對苯二甲酸乙二醇酯、聚苯醚砜、熱塑性聚氨酯、聚二甲基硅氧烷中的一種或多種。

5.根據權利要求3所述的可折疊封裝結構的形成方法,其特征在于:在所述步驟7和9中,所述第一、第二柔性電極層的具體制備參數與所述柔性復合導電線路層的具體制備參數相同。

6.根據權利要求1所述的可折疊封裝結構的形成方法,其特征在于:所述超薄絕緣介質層的材質為氧化鋁、氧化鋯、氧化鉿、氮化硅、氧化釕、氧化銻中的一種。

7.一種可折疊封裝結構,其特征在于,采用權利要求1-6任一項所述的形成方法形成的。

8.一種集成電路的形成方法,其特征在于:包括以下步驟:

提供一電路基板,在所述電路基板上設置多個第四半導體芯片;

在所述電路基板上形成一塑封層,所述塑封層包裹所述多個第四半導體芯片;

提供權利要求7所述的可折疊封裝結構,將所述可折疊封裝結構設置在所述塑封層上,通過彎折所述第一彎折區和所述第二彎折區,使得所述可折疊封裝結構的一端貼合在所述塑封層的第一側面,所述可折疊封裝結構的中間部分貼合在所述塑封層的上表面,所述可折疊封裝結構的另一端貼合在所述塑封層的第二側面,進而使得所述可折疊封裝結構的所述柔性復合導電線路層與所述電路基板電連接。

9.一種集成電路,其特征在于,采用權利要求8所述的形成方法形成的。

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