[發(fā)明專(zhuān)利]半導(dǎo)體封裝和其制造方法

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202210067025.8
• 申請(qǐng)日: 2022-01-20
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN115497913A
• 公開(kāi)（公告）日: 2022-12-20
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 吳俊毅;余振華
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 臺(tái)灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): H01L23/538
• 分類(lèi)號(hào): H01L23/538;H01L21/48
• 代理公司: 南京正聯(lián)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 32243
• 代理人: 顧伯興

1.一種半導(dǎo)體封裝，包括：

芯襯底；

重布線(xiàn)結(jié)構(gòu)，耦合到所述芯襯底的第一側(cè)，所述重布線(xiàn)結(jié)構(gòu)包括：

多個(gè)重布線(xiàn)層，所述多個(gè)重布線(xiàn)層中的每一個(gè)包括介電層和金屬化層；以及

第一局部互連組件，嵌入在所述多個(gè)重布線(xiàn)層的第一重布線(xiàn)層中，所述第一局部互連組件包括襯底，所述襯底上的互連結(jié)構(gòu)，和所述互連結(jié)構(gòu)上的多個(gè)接合墊，所述第一局部互連組件的所述多個(gè)接合墊實(shí)體接觸第二重布線(xiàn)層的金屬化層，所述第二重布線(xiàn)層與所述第一重布線(xiàn)層相鄰，所述第二重布線(xiàn)層的所述金屬化層包括多個(gè)第一導(dǎo)通孔，所述第一重布線(xiàn)層的介電層包封所述第一局部互連組件；

第一集成電路管芯，耦合到所述重布線(xiàn)結(jié)構(gòu)，所述重布線(xiàn)結(jié)構(gòu)介于所述芯襯底和所述第一集成電路管芯之間；

第二集成電路管芯，耦合到所述重布線(xiàn)結(jié)構(gòu)，所述重布線(xiàn)結(jié)構(gòu)介于所述芯襯底和所述第一集成電路管芯之間，所述第一局部互連組件的所述互連結(jié)構(gòu)電耦合所述第一集成電路管芯到所述第二集成電路管芯；以及

一組導(dǎo)電連接件，耦合到所述芯襯底的第二側(cè)。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝，其中使用多個(gè)第一焊料連接件將所述重布線(xiàn)結(jié)構(gòu)耦合到所述芯襯底的所述第一側(cè)。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝，還包括：包封體介于所述重布線(xiàn)結(jié)構(gòu)和所述芯襯底之間。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝，其中所述第一局部互連組件的所述互連結(jié)構(gòu)在所述第一局部互連組件的所述襯底的第一側(cè)，所述第一局部互連組件的所述第一側(cè)面向所述第一集成電路管芯。

5.一種制造半導(dǎo)體封裝的方法，包括：

在第一載體襯底之上形成第一重布線(xiàn)結(jié)構(gòu)，其中形成所述第一重布線(xiàn)結(jié)構(gòu)包括：

在所述第一載體襯底之上形成第一組導(dǎo)線(xiàn)；

在所述第一載體襯底之上鄰近所述第一組導(dǎo)線(xiàn)形成第一組導(dǎo)通孔；

使用多個(gè)第一焊料區(qū)域?qū)⒌谝换ミB管芯與所述第一組導(dǎo)線(xiàn)接合，所述第一互連管芯包括襯底、所述襯底上的互連結(jié)構(gòu)和所述互連結(jié)構(gòu)上的多個(gè)第一接合墊，使用所述多個(gè)第一焊料區(qū)域?qū)⑺龆鄠€(gè)第一接合墊與所述第一組導(dǎo)線(xiàn)接合，所述第一互連管芯位于所述第一組導(dǎo)通孔中的兩者之間；

在所述第一組導(dǎo)線(xiàn)、所述第一組導(dǎo)通孔和所述第一互連管芯之上形成第一介電層，所述第一介電層、所述第一組導(dǎo)通孔、所述第一組導(dǎo)線(xiàn)和所述第一互連管芯形成第一重布線(xiàn)層；以及

在所述第一重布線(xiàn)層上形成第二重布線(xiàn)層，所述第二重布線(xiàn)層包括第二介電層和第二組導(dǎo)通孔，所述第二組導(dǎo)通孔電耦合到所述第一組導(dǎo)通孔；

去除所述第一載體襯底；

移除所述第一組導(dǎo)線(xiàn)和所述多個(gè)第一焊料區(qū)域以暴露所述第一互連管芯的所述多個(gè)第一接合墊；

在剩余的所述第一重布線(xiàn)層上形成第三重布線(xiàn)層，所述第三重布線(xiàn)層包括第三介電層和第三組導(dǎo)通孔，所述第三組導(dǎo)通孔電耦合到所述多個(gè)第一接合墊和所述第一組導(dǎo)通孔；

將芯襯底電連接到所述第一重布線(xiàn)結(jié)構(gòu)的第一側(cè)，所述第二重布線(xiàn)層比所述第一重布線(xiàn)層更靠近所述第一重布線(xiàn)結(jié)構(gòu)的所述第一側(cè)；以及

將第一集成電路管芯和第二集成電路管芯接合到所述第一重布線(xiàn)結(jié)構(gòu)的第二側(cè)，所述第二側(cè)與所述第一側(cè)相對(duì)，所述第一集成電路管芯和所述第二集成電路管芯電耦合到所述第一互連管芯。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的制造半導(dǎo)體封裝的方法，還包括在將所述芯襯底電連接到所述第一重布線(xiàn)結(jié)構(gòu)的所述第一側(cè)之后，在所述芯襯底周?chē)纬傻谝话怏w。

7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的制造半導(dǎo)體封裝的方法，還包括：

在所述第三重布線(xiàn)層上形成第四重布線(xiàn)層，所述第四重布線(xiàn)層包括第四介電層、第四組導(dǎo)通孔和第四組導(dǎo)線(xiàn)，所述第四組導(dǎo)線(xiàn)電耦合到所述第三組導(dǎo)通孔；以及

在所述第四重布線(xiàn)層上形成多個(gè)第二接合墊，其中所述第一集成電路管芯和所述第二集成電路管芯用多個(gè)第二焊料區(qū)域接合到所述多個(gè)第二接合墊。

8.根據(jù)權(quán)利要求5所述的制造半導(dǎo)體封裝的方法，其中所述第二介電層由與所述第一介電層不同的材料制成。