[發明專利]半導體加工工具及其排氣系統在審
| 申請號: | 202210067022.4 | 申請日: | 2022-01-20 |
| 公開(公告)號: | CN115497850A | 公開(公告)日: | 2022-12-20 |
| 發明(設計)人: | 陳永和;連國勝 | 申請(專利權)人: | 臺灣積體電路制造股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/67 | 分類號: | H01L21/67 |
| 代理公司: | 南京正聯知識產權代理有限公司 32243 | 代理人: | 顧伯興 |
| 地址: | 中國臺灣新竹科*** | 國省代碼: | 臺灣;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 半導體 加工 工具 及其 排氣 系統 | ||
本發明提供一種半導體加工工具及其排氣系統。半導體加工工具可包括處理槽。半導體加工工具可以包括布置為將多個晶圓保持在處理槽上方的臂,使得多個晶圓中的晶圓水平堆棧在處理槽上方。半導體加工工具可以包括布置在臂上方的風扇,以允許在垂直方向上向處理槽提供穿過晶圓表面的氣流。半導體加工工具可以包括排氣系統,排氣系統包括至少一排氣輸出以及一或多個排氣管段,排氣管段基本上圍繞處理槽布置且連接到至少一排氣輸出。一或多個排氣管段可包括多個開口,以接收待提供給至少一排氣輸出的排氣。以此方式,本發明的半導體加工工具及排氣系統可降低處理后晶圓的缺陷率。
技術領域
本發明的實施例是有關于一種半導體工具,特別是有關于一種半導體加工工具及其排氣系統。
背景技術
半導體加工工具可包括處理槽。所述半導體加工工具可以包括布置為將多個晶圓保持在所述處理槽上方的臂,使得所述多個晶圓中的晶圓水平堆棧在所述處理槽上方。所述半導體加工工具可以包括布置在所述臂上方的風扇,以允許在垂直方向上向所述處理槽提供穿過所述晶圓表面的氣流。所述半導體加工工具可以包括排氣系統,所述排氣系統包括至少一排氣輸出以及一或多個排氣管段,所述排氣管段基本上圍繞所述處理槽布置且連接到所述至少一排氣輸出。所述一或多個排氣管段可包括多個開口,以接收待提供給所述至少一排氣輸出的排氣。
發明內容
本發明實施例提供一種半導體加工工具,包括:處理槽、臂、風扇以及排氣系統。所述臂布置成將多個晶圓保持在所述處理槽上方,以使在所述多個晶圓中的晶圓水平地堆棧于所述處理槽上方。所述風扇布置在所述臂上方,以允許在垂直方向上提供穿過所述晶圓的表面向所述處理槽的氣流。所述排氣系統包括至少一排氣輸出以及一或多個排氣管段。所述一或多個排氣管段布置成基本上圍繞所述處理槽且連接至所述至少一排氣輸出。所述一或多個排氣管段包括多個開口,以接收將提供給所述至少一排氣輸出的排氣。
本發明實施例提供一種半導體加工工具的排氣系統,所述排氣系統包括至少一排氣輸出以及一或多個排氣管段。所述一或多個排氣管段連接至所述至少一排氣輸出,其中所述一或多個排氣管段基本上圍繞所述半導體加工工具的處理槽的周邊,以及其中所述一或多個排氣管段包括多個開口,所述多個開口在所述一或多個排氣管段的一或多個表面上且基本上圍繞所述處理槽的所述周邊。
本發明實施例提供一種半導體加工工具,包括處理槽、風扇以及排氣系統。所述風扇布置于所述處理槽的上方,以使氣流朝向所述處理槽提供。所述排氣系統包括一或多個排氣管段,所述一或多個排氣管段布置在所述處理槽的至少兩側上,其中所述一或多個排氣管段包括多個開口,以接收將提供給一或多個排氣輸出的排氣。
附圖說明
結合附圖閱讀以下詳細說明,會最佳地理解本發明的各個態樣。應注意,根據本行業中的標準慣例,各種特征并非按比例繪制。事實上,為使論述清晰起見,可任意增大或減小各種特征的尺寸。。
圖1A至圖1C是如本文所述的包括排氣系統的半導體加工工具的示例性實施方式的示意圖;
圖2A至圖2C是示出結合圖1A制圖1C描述的排氣系統的排氣管段的各種示例布置的示意圖;
圖3是如本文所述的包括排氣系統的半導體加工工具的一或多個裝置的示例性組件的示意圖。
附圖標號說明
100:半導體加工工具;
102:處理槽;
104:臂;
106:風扇;
108:排氣系統;
110:排氣輸出;
112、112a、112b、112c、112d:排氣管段;
114:開口;
150:晶圓;
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





