[發(fā)明專利]半導(dǎo)體器件的測試方法以及測試裝置在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202210060735.8 | 申請日： | 2022-01-19 |
| 公開（公告）號： | CN114496059A | 公開（公告）日： | 2022-05-13 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 于奎龍;李喜強;豆平濤;管琪;盧志剛;韓坤 | 申請（專利權(quán)）人： | 長江存儲科技有限責(zé)任公司 |
| 主分類號： | G11C29/56 | 分類號： | G11C29/56;G06F11/22 |
| 代理公司： | 深圳紫藤知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 44570 | 代理人： | 李鎮(zhèn)江 |
| 地址： | 430205 湖北省武*** | 國省代碼： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 半導(dǎo)體器件 測試 方法 以及 裝置 | ||
1.一種半導(dǎo)體器件的測試方法，其特征在于，所述測試方法包括：
將所述半導(dǎo)體器件連接至測試裝置；
將增量步進脈沖操作中的其中一級操作電壓作為預(yù)設(shè)操作電壓，并根據(jù)所述增量步進脈沖操作的操作脈沖數(shù)量、操作電壓倍數(shù)因子以及操作溫度倍數(shù)因子，計算得到預(yù)設(shè)脈沖數(shù)量；
以所述預(yù)設(shè)脈沖數(shù)量的所述預(yù)設(shè)操作電壓，對所述半導(dǎo)體器件進行預(yù)設(shè)次數(shù)的編程和擦除。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的測試方法，其特征在于，在所述根據(jù)所述增量步進脈沖操作的脈沖數(shù)量、操作電壓倍數(shù)因子以及操作溫度倍數(shù)因子，計算得到預(yù)設(shè)脈沖數(shù)量的步驟之前，還包括：
根據(jù)愛倫模型計算得到電壓加速因子，并根據(jù)阿倫尼烏斯模型計算得到溫度加速因子；
分別根據(jù)所述電壓加速因子以及所述溫度加速因子，計算得到在電壓或溫度的影響下，將所述增量步進脈沖操作中的所有級操作電壓等效至所述預(yù)設(shè)操作電壓時所需的電壓等效脈沖數(shù)量以及溫度等效脈沖數(shù)量；
分別將所述電壓等效脈沖數(shù)量以及所述溫度等效脈沖數(shù)量與所述增量步進脈沖操作的操作脈沖數(shù)量按照預(yù)設(shè)公式進行計算，得到操作電壓倍數(shù)因子以及操作溫度倍數(shù)因子。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的測試方法，其特征在于，所述預(yù)設(shè)操作電壓為所述增量步進脈沖操作中的最大操作電壓。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的測試方法，其特征在于，所述增量步進脈沖操作包括增量步進脈沖編程以及增量步進脈沖擦除。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的測試方法，其特征在于，在所述對所述半導(dǎo)體器件進行預(yù)設(shè)次數(shù)的編程和擦除的過程中，不進行編程驗證以及擦除驗證。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的測試方法，其特征在于，在對所述半導(dǎo)體器件進行預(yù)設(shè)次數(shù)的編程的過程中，對所述半導(dǎo)體器件的存儲單元陣列寫入擦除態(tài)。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的測試方法，其特征在于，在對所述半導(dǎo)體器件進行預(yù)設(shè)次數(shù)的擦除的過程中，不選擇所述半導(dǎo)體器件的字線。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的測試方法，其特征在于，在對所述半導(dǎo)體器件進行預(yù)設(shè)次數(shù)的編程的過程中，將所述半導(dǎo)體器件的頁緩沖器中的鎖存器寫入高電平電壓。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的測試方法，其特征在于，在所述以所述預(yù)設(shè)脈沖數(shù)量的所述預(yù)設(shè)操作電壓，對所述半導(dǎo)體器件進行預(yù)設(shè)次數(shù)的編程和擦除的步驟之前以及之后，還包括：
分別記錄所述半導(dǎo)體器件的初始表征數(shù)據(jù)以及應(yīng)力后表征數(shù)據(jù)；
其中，所述初始表征數(shù)據(jù)包括所述半導(dǎo)體器件的初始靜態(tài)電流、初始動態(tài)電流以及初始時序，所述應(yīng)力后表征數(shù)據(jù)包括所述半導(dǎo)體器件的應(yīng)力后靜態(tài)電流、應(yīng)力后動態(tài)電流以及應(yīng)力后時序。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的測試方法，其特征在于，所述半導(dǎo)體器件為3DNAND閃存存儲器。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的測試方法，所述測試方法覆蓋所述3D NAND閃存存儲器的外圍高壓電路的高溫壽命測試。
12.一種半導(dǎo)體器件的測試裝置，其特征在于，所述測試裝置包括：
使能模塊，用于將所述半導(dǎo)體器件連接至所述測試裝置；
設(shè)定模塊，用于將增量步進脈沖操作中的其中一級操作電壓作為預(yù)設(shè)操作電壓，并根據(jù)所述增量步進脈沖操作的操作脈沖數(shù)量、操作電壓倍數(shù)因子以及操作溫度倍數(shù)因子，計算得到預(yù)設(shè)脈沖數(shù)量；
操作模塊，用于以所述預(yù)設(shè)脈沖數(shù)量的所述預(yù)設(shè)操作電壓，對所述半導(dǎo)體器件進行預(yù)設(shè)次數(shù)的編程和擦除。
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