[發明專利]一種新型光刻膠去除工藝

在審

• 申請號: 202210058340.4
• 申請日: 2022-01-21
• 公開（公告）號: CN114545746A
• 公開（公告）日: 2022-05-27
• 發明（設計）人: 郭光輝
• 申請（專利權）人: 濟南晶碩電子有限公司
• 主分類號: G03F7/42
• 分類號: G03F7/42;H01L21/02
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

本發明公開了一種新型光刻膠去除工藝，包括以下步驟：S1：用固態二氧化碳顆粒轟擊離子硅片，得到外部硬殼損傷的硅片，S2：將雙氧水注入到硫酸溶液反應腔中，雙氧水與硫酸發生放熱反應形成高溫的清洗液，S3：將S1得到的外部硬殼損傷的硅片置于具有清洗液的反應腔中，S4：將S2得到的清洗液與硅片上的光刻膠反應將光刻膠去除，S5：用等離子水沖反復噴向去除光刻膠后的硅片的表面，S6：在去除中，催化劑單獨注入到反應腔中，用于反應活性。一種新型光刻膠去除工藝，通過固態二氧化碳顆粒轟擊光刻膠，可以對光刻膠表面的硬殼造成足夠高的損傷，這樣清洗液可以進入到硬殼下方，將光刻膠去除，使得清洗更加方便。

技術領域

本發明涉及光刻膠技術領域，具體為一種新型光刻膠去除工藝。

背景技術

光刻膠又稱光致抗蝕劑，是指通過紫外光、電子束、離子束、X射線等的照射或輻射，其溶解度發生變化的耐蝕劑刻薄膜材料，由感光樹脂、增感劑和溶劑3種主要成分組成的對光敏感的混合液體，在光刻工藝過程中，用作抗腐蝕涂層材料，半導體材料在表面加工時，若采用適當的有選擇性的光刻膠，可在表面上得到所需的圖像，光刻膠按其形成的圖像分類有正性、負性兩大類，在光刻膠工藝過程中，涂層曝光、顯影后，曝光部分被溶解，未曝光部分留下來，涂層材料為正性光刻膠，如果曝光部分被保留下來，而未曝光被溶解，涂層材料為負性光刻膠，按曝光光源和輻射源的不同，又分為紫外光刻膠（包括紫外正、負性光刻膠）、深紫外光刻膠、X-射線膠、電子束膠、離子束膠等，光刻膠主要應用于顯示面板、集成電路和半導體分立器件等細微圖形加工作業，光刻膠生產技術較為復雜，品種規格較多，在電子工業集成電路的制造中，對所使用光刻膠有嚴格的要求，光刻膠在生產中表面會形成堅硬的、碳化交聯聚合物硬殼，現有技術中，光刻膠表面形成的硬殼難以去除，導致光刻膠去除緩慢。

發明內容

（一）解決的技術問題

針對現有技術的不足，本發明提供了一種新型光刻膠去除工藝，具備去除方便和快速等優點，解決了光刻膠表面形成的硬殼難以去除，導致光刻膠去除緩慢的問題。

（二）技術方案

為實現上述可以對光刻膠表面的硬殼造成足夠高的損傷，這樣清洗液可以進入到硬殼下方，將光刻膠去除，使得清洗更加方便目的，本發明提供如下技術方案：一種新型光刻膠去除工藝，包括以下步驟：

S1：用固態二氧化碳顆粒轟擊離子硅片，得到外部硬殼損傷的硅片；

S2：將雙氧水注入到硫酸溶液反應腔中，雙氧水與硫酸發生放熱反應形成高溫的清洗液；

S3：將S1得到的外部硬殼損傷的硅片置于具有清洗液的反應腔中；

S4：將S2得到的清洗液與硅片上的光刻膠反應將光刻膠去除；

S5：用等離子水沖反復噴向去除光刻膠后的硅片的表面；

S6：在去除中，催化劑單獨注入到反應腔中，用于反應活性。

優選的，所述固態二氧化碳的溫度為-30~-85℃之間。

優選的，所述雙氧水與硫酸的配比為（1~6.5）：（2~7.5）。

優選的，所述反應腔內部的溫度位于50~160℃之間。

優選的，所述等離子注入束線的劑量在（0.5~6.0）*1014ions/cm2,40keV之間。

優選的，所述等離子水采用批次噴霧系統，每次時間間隔為1.5~7min。

優選的，所述清洗后的硅片放置在傳送帶上用等離子水沖洗，并通過傳送帶運輸。

優選的，所述沖洗后的硅片集中收集，并靜置晾干。

（三）有益效果

與現有技術相比，本發明提供了一種新型光刻膠去除工藝，具備以下有益效果：