[發明專利]一種新型光刻膠去除工藝

在審

• 申請號: 202210058340.4
• 申請日: 2022-01-21
• 公開（公告）號: CN114545746A
• 公開（公告）日: 2022-05-27
• 發明（設計）人: 郭光輝
• 申請（專利權）人: 濟南晶碩電子有限公司
• 主分類號: G03F7/42
• 分類號: G03F7/42;H01L21/02
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種新型光刻膠去除工藝，其特征在于，包括以下步驟：

S1：用固態二氧化碳顆粒轟擊離子硅片，得到外部硬殼損傷的硅片；

S2：將雙氧水注入到硫酸溶液反應腔中，雙氧水與硫酸發生放熱反應形成高溫的清洗液；

S3：將S1得到的外部硬殼損傷的硅片置于具有清洗液的反應腔中；

S4：將S2得到的清洗液與硅片上的光刻膠反應將光刻膠去除；

S5：用等離子水沖反復噴向去除光刻膠后的硅片的表面；

S6：在去除中，催化劑單獨注入到反應腔中，用于反應活性。

2.根據權利要求1所述的一種新型光刻膠去除工藝，其特征在于，所述固態二氧化碳的溫度為-30~-85℃之間。

3.根據權利要求1所述的一種新型光刻膠去除工藝，其特征在于，所述雙氧水與硫酸的配比為（1~6.5）：（2~7.5）。

4.根據權利要求1所述的一種新型光刻膠去除工藝，其特征在于，所述反應腔內部的溫度位于50~160℃之間。

5.根據權利要求1所述的一種新型光刻膠去除工藝，其特征在于，所述等離子注入束線的劑量在（0.5~6.0）*1014ions/cm2,40keV之間。

6.根據權利要求1所述的一種新型光刻膠去除工藝，其特征在于，所述等離子水采用批次噴霧系統，每次時間間隔為1.5~7min。

7.根據權利要求1所述的一種新型光刻膠去除工藝，其特征在于，所述清洗后的硅片放置在傳送帶上用等離子水沖洗，并通過傳送帶運輸。

8.根據權利要求1所述的一種新型光刻膠去除工藝，其特征在于，所述沖洗后的硅片集中收集，并靜置晾干。