[發明專利]金屬層間通孔形成方法

在審

• 申請號: 202210057474.4
• 申請日: 2022-01-19
• 公開（公告）號: CN114496911A
• 公開（公告）日: 2022-05-13
• 發明（設計）人: 葉曉
• 申請（專利權）人: 普冉半導體（上海）股份有限公司
• 主分類號: H01L21/768
• 分類號: H01L21/768
• 代理公司: 上海浦一知識產權代理有限公司 31211
• 代理人: 王江富

1.一種金屬層間通孔形成方法，其特征在于，包括以下步驟：

S1.在晶圓上進行底層金屬(10)工藝；

S2.生長金屬層間介質(11)；

S3.進行金屬層曝光/刻蝕，去除底層金屬(10)正上方的一定厚度的金屬層間介質(11)形成介質凹槽(110)；

S4.生長至少一層絕緣層材料(12)；

S5.進行絕緣層刻蝕，去除介質凹槽(110)底上的絕緣層材料(12)，介質凹槽(110)側壁上保留一定厚度的絕緣層材料(12)；

S6.進行通孔曝光/刻蝕,去除介質凹槽(110)底中央到底層金屬(10)之間的金屬層間介質(11)，形成介質凹槽(110)底中央到底層金屬(10)的通孔(13)；

S7.對介質凹槽(110)及對應通孔(13)實施金屬層間介質(11)一體化刻蝕，徹底打開金屬層間介質(11)漏出底層金屬(10)；

S8.去除介質凹槽(110)側壁的殘余絕緣層材料(12)；

S9.填充金屬(14)。

2.根據權利要求1所述的金屬層間通孔形成方法，其特征在于，

所述金屬層間通孔形成方法為存儲器的存儲單元陣列位線的金屬層間通孔形成方法。

3.根據權利要求1所述的金屬層間通孔形成方法，其特征在于，

所述絕緣層材料(12)是一層SiN。

4.根據權利要求1所述的金屬層間通孔形成方法，其特征在于，

所述絕緣層材料(12)是Oxide/SiN/Oxide多層結構。

5.根據權利要求1所述的金屬層間通孔形成方法，其特征在于，

步驟S4中生長的絕緣層材料(12)厚度在50埃～150埃之間。

6.根據權利要求1所述的金屬層間通孔形成方法，其特征在于，

步驟S5中介質凹槽(110)側壁上保留的絕緣層材料(12)厚度在在10埃～50埃之間。

7.根據權利要求1所述的金屬層間通孔形成方法，其特征在于，

步驟S9中，填充的金屬為Ti/TiN粘合層或銅材料。

8.根據權利要求1所述的金屬層間通孔形成方法，其特征在于，

步驟S3中，形成的介質凹槽(110)深度為底層金屬(10)上的金屬層間介質(11)厚度的1/3～2/3。

9.根據權利要求1所述的金屬層間通孔形成方法，其特征在于，

步驟S2中生長的金屬層間介質(11)厚度在200nm～500nm。