[發明專利]半導體結構及其制作方法在審
| 申請號： | 202210055855.9 | 申請日： | 2022-01-18 |
| 公開（公告）號： | CN116504746A | 公開（公告）日： | 2023-07-28 |
| 發明（設計）人： | 劉志拯 | 申請（專利權）人： | 長鑫存儲技術有限公司 |
| 主分類號： | H01L23/528 | 分類號： | H01L23/528;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京律智知識產權代理有限公司 11438 | 代理人： | 王輝;闞梓瑄 |
| 地址： | 230601 安徽省合肥市*** | 國省代碼： | 安徽;34 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 半導體 結構 及其 制作方法 | ||
本公開涉及一種半導體結構及其制作方法。其中，半導體機構包括：基底，包括相鄰的第一區域和第二區域；陣列結構，位于所述基底的表面，且位于所述第一區域；導電層，位于所述陣列結構遠離所述基底的一側，并與所述陣列結構電連接；布線結構，位于所述導電層遠離所述陣列結構的一側，所述布線結構包括重布線通孔，所述重布線通孔與所述導電層電連接；第一介質層，覆蓋所述基底第二區域的表面，所述第一介質層遠離所述基底的一面相對于所述導電層遠離所述基底的一面靠近所述基底。該半導體結構在沿晶圓的劃線槽切割的過程中不會產生金屬殘留物，從而防止發生短路和放電的問題。
技術領域
本公開涉及半導體技術領域，尤其涉及一種半導體結構及其制作方法。
背景技術
在半導體技術領域中，為了獲得單獨的半導體結構，通常采用的工藝步驟是需要先制作出一個由多個半導體結構組成的晶圓，再沿相鄰的兩個半導體結構之間的劃線槽對晶圓進行切割，以得到單獨的半導體結構。
但是，目前在沿劃線槽對相鄰的兩個半導體結構進行切割后，會在半導體結構中產生金屬殘留物，從而導致切割后形成的半導體結構出現短路或者放電的問題。
需要說明的是，在上述背景技術部分公開的信息僅用于加強對本公開的背景的理解，因此可包括不構成對本領域普通技術人員已知的現有技術的信息。
發明內容
本公開的目的在于克服上述現有技術的不足，提供一種半導體結構及其制作方法。該半導體結構在切割后不會產生金屬殘留物，從而不會出現短路或者放電的問題。
本公開一方面提供了一種半導體結構，所述半導體結構包括：
基底，包括相鄰的第一區域和第二區域；
陣列結構，位于所述基底的表面，且位于所述第一區域；
導電層，位于所述陣列結構遠離所述基底的一側，并與所述陣列結構電連接；
布線結構，位于所述導電層遠離所述陣列結構的一側，所述布線結構包括重布線通孔，所述重布線通孔與所述導電層電連接；
第一介質層，覆蓋所述基底第二區域的表面，所述第一介質層遠離所述基底的一面相對于所述導電層遠離所述基底的一面靠近所述基底。
在本公開的一個示例性實施例中，所述半導體結構還包括：
保護結構，位于所述第一區域，且位于所述陣列結構和所述第一介質層之間，所述保護結構遠離所述基底的一面相對于所述第一介質層遠離所述基底的一面遠離所述基底。
在本公開的一個示例性實施例中，所述保護結構遠離所述基底的一面與所述基底之間的距離和所述導電層遠離所述基底的一面與所述基底之間的距離相同。
在本公開的一個示例性實施例中，所述保護結構包括：
多個保護層，多個所述保護層沿第一方向間隔排布，且相鄰的所述保護層相互連接；
其中，所述第一方向為所述基底指向所述陣列結構的方向。
在本公開的一個示例性實施例中，所述保護結構至少包括：沿所述第一方向間隔排列的第一保護層、第二保護層、第三保護層和第四保護層；
所述半導體結構還包括：
在所述第一區域上沿所述第一方向依次形成的第二介質層、第三介質層、第四介質層、第五介質層、第六介質層、第七介質層和第八介質層，且所述第一保護層位于所述第二介質層中，所述第二保護層位于所述第四介質層中，所述第三保護層位于所述第六介質層中，所述第四保護層位于所述第八介質層中。
在本公開的一個示例性實施例中，所述布線結構還包括：
重布線層，位于所述重布線通道遠離所述基底的一側；
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