[發明專利]半導體結構及其制作方法

在審

• 申請號: 202210055855.9
• 申請日: 2022-01-18
• 公開（公告）號: CN116504746A
• 公開（公告）日: 2023-07-28
• 發明（設計）人: 劉志拯
• 申請（專利權）人: 長鑫存儲技術有限公司
• 主分類號: H01L23/528
• 分類號: H01L23/528;H01L21/768
• 代理公司: 北京律智知識產權代理有限公司 11438
• 代理人: 王輝;闞梓瑄

1.一種半導體結構，其特征在于，所述半導體結構包括：

基底，包括相鄰的第一區域和第二區域；

陣列結構，位于所述基底的表面，且位于所述第一區域；

導電層，位于所述陣列結構遠離所述基底的一側，并與所述陣列結構電連接；

布線結構，位于所述導電層遠離所述陣列結構的一側，所述布線結構包括重布線通孔，所述重布線通孔與所述導電層電連接；

第一介質層，覆蓋所述基底第二區域的表面，所述第一介質層遠離所述基底的一面相對于所述導電層遠離所述基底的一面靠近所述基底。

2.根據權利要求1所述的半導體結構，其特征在于，所述半導體結構還包括：

保護結構，位于所述第一區域，且位于所述陣列結構和所述第一介質層之間，所述保護結構遠離所述基底的一面相對于所述第一介質層遠離所述基底的一面遠離所述基底。

3.根據權利要求2所述的半導體結構，其特征在于，所述保護結構遠離所述基底的一面與所述基底之間的距離和所述導電層遠離所述基底的一面與所述基底之間的距離相同。

4.根據權利要求3所述的半導體結構，其特征在于，所述保護結構包括：

多個保護層，多個所述保護層沿第一方向間隔排布，且相鄰的所述保護層相互連接；

其中，所述第一方向為所述基底指向所述陣列結構的方向。

5.根據權利要求4所述的半導體結構，其特征在于，所述保護結構至少包括：沿所述第一方向間隔排列的第一保護層、第二保護層、第三保護層和第四保護層；

所述半導體結構還包括：

在所述第一區域上沿所述第一方向依次形成的第二介質層、第三介質層、第四介質層、第五介質層、第六介質層、第七介質層和第八介質層，且所述第一保護層位于所述第二介質層中，所述第二保護層位于所述第四介質層中，所述第三保護層位于所述第六介質層中，所述第四保護層位于所述第八介質層中。

6.根據權利要求5所述的半導體結構，其特征在于，所述布線結構還包括：

重布線層，位于所述重布線通道遠離所述基底的一側；

鈍化層，位于所述重布線層遠離所述基底的一側。

7.根據權利要求5所述的半導體結構，其特征在于，所述半導體結構還包括：

虛置圖案組，位于所述保護結構與所述第一介質層之間，且所述虛置圖案組遠離所述基底的一面相對于所述第一介質層遠離所述基底的一面遠離所述基底。

8.根據權利要求7所述的半導體結構，其特征在于，所述虛置圖案組包括：

多個虛置圖案層，多個所述虛置圖案層沿所述第一方向間隔設置，且每一個所述虛置圖案層在第二方向上的投影均與一個所述保護層在所述第二方向上的投影交疊；

其中，所述第二方向為所述虛置圖案組指向所述保護結構的方向。

9.根據權利要求8所述的半導體結構，其特征在于，每一個所述虛置圖案層在第二方向上的投影均與一個所述保護層在所述第二方向上的投影重合。

10.根據權利要求8所述的半導體結構，其特征在于，部分所述第二區域上也設置有所述第二介質層、第三介質層、第四介質層、第五介質層、第六介質層、第七介質層和第八介質層，

所述虛置圖案組至少包括：第一圖案層、第二圖案層、第三圖案層和第四圖案層；所述第一圖案層位于所述第二區域上的所述第二介質層中，所述第二圖案層位于所述第二區域上的所述第四介質層中，所述第三圖案層位于所述第二區域上的所述第六介質層中，所述第四圖案層位于所述第二區域上的所述第八介質層中。