[發(fā)明專利]半導體結構、形成堆疊單元層及堆疊二維材料層的方法

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 202210055173.8
• 申請日: 2022-01-18
• 公開（公告）號: CN115498011A
• 公開（公告）日: 2022-12-20
• 發(fā)明（設計）人: 沈新偉;陳則安;李東穎;李連忠
• 申請（專利權）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: H01L29/06
• 分類號: H01L29/06;H01L29/78;H01L21/336
• 代理公司: 南京正聯(lián)知識產權代理有限公司 32243
• 代理人: 顧伯興

一種半導體結構包括半導體襯底、多個堆疊單元、導電結構、多個介電質、第一電極條帶、第二電極條帶以及多個接觸結構。堆疊單元在半導體襯底之上向上堆疊，且包括第一鈍化層、第二鈍化層及夾置在第一鈍化層與第二鈍化層之間的溝道層。導電結構設置在半導體襯底上且包繞在堆疊單元周圍。介電質環(huán)繞堆疊單元且將堆疊單元與導電結構分離。第一電極條帶與第二電極條帶位于導電結構的兩個相對的側上。接觸結構將堆疊單元中的每一者的溝道層連接到第一電極條帶及第二電極條帶。

技術領域

本公開是涉及一種半導體結構、形成堆疊單元層的方法及形成堆疊二 維材料層的方法。

背景技術

半導體器件用于各種電子應用(例如(舉例來說)個人計算機、手機 及其他電子裝備)中。晶體管是常常在半導體器件上形成的電路組件或元 件。隨著晶體管工藝技術的進步，晶體管的尺寸不斷縮小且因此集成電路 的每單位面積的晶體管的數(shù)目已相應增加。

發(fā)明內容

本公開實施例闡述一種半導體結構包括半導體襯底、多個堆疊單元、 導電結構、多個介電質、第一電極條帶及第二電極條帶、以及多個接觸結 構。所述堆疊單元在所述半導體襯底之上沿著第一方向向上堆疊，其中所 述堆疊單元中的每一者包括第一鈍化層、第二鈍化層及夾置在所述第一鈍 化層與所述第二鈍化層之間的溝道層。所述導電結構設置在所述半導體襯 底上且包繞在所述多個堆疊單元周圍。所述介電質環(huán)繞所述堆疊單元且將 所述堆疊單元與所述導電結構分離。所述第一電極條帶與所述第二電極條 帶位于所述導電結構的兩個相對的側上。所述接觸結構在與所述第一方向 垂直的第二方向上延伸，其中所述接觸結構將所述堆疊單元中的每一者的 所述溝道層連接到所述第一電極條帶及所述第二電極條帶。

本公開實施例闡述一種形成堆疊單元層的方法。所述方法包括以下步 驟。通過以下步驟形成第一堆疊單元層：使用貼合到溝道材料的第一表面 的支撐膜從第一襯底剝離所述溝道材料；將所述支撐膜反向貼合到所述第 一襯底，使得所述溝道材料的第二表面背對所述第一襯底，其中所述第二 表面與所述第一表面相對；在所述溝道材料的所述第二表面上貼合第一鈍 化材料；將所述溝道材料與所述第一鈍化材料一起反向堆疊在第二襯底上， 使得所述溝道材料的所述第一表面背對所述第二襯底；移除所述支撐膜以 顯露出所述溝道材料的所述第一表面；以及在所述溝道材料的所述第一表 面上貼合第二鈍化材料，以形成由所述第一鈍化材料、所述溝道材料及所 述第二鈍化材料構成的所述第一堆疊單元層。

本公開實施例闡述一種形成堆疊二維(2D)材料層的方法。所述方法 包括以下步驟。使用支撐膜從第一襯底剝除第一2D材料層，其中所述第一 2D材料層的第一表面被顯露出。翻轉所述第一2D材料層及所述支撐膜， 使得所述第一2D材料層的所述第一表面以面朝上的方式布置，且將所述第 一2D材料層貼合到所述第一襯底上，使得所述支撐膜位于所述第一襯底與 所述第一2D材料層之間。使用第二支撐膜將第二2D材料層貼合到所述第 一2D材料層的所述第一表面上且移除所述第二支撐膜。翻轉所述第二2D 材料層、所述第一2D材料層及所述支撐膜，使得所述支撐膜以面朝上的方 式布置，且將所述第二2D材料層貼合到第二襯底上，使得第一2D材料層 位于所述支撐膜與所述第二2D材料層之間。移除所述支撐膜以顯露出所述 第一2D材料層的第二表面。使用第三支撐膜將第三2D材料層貼合到所述第一2D材料層的所述第二表面上。

附圖說明

結合附圖閱讀以下詳細說明，會最好地理解本公開的各個方面。應注 意，根據(jù)本行業(yè)中的標準慣例，各種特征并非按比例繪制。事實上，為使 論述清晰起見，可任意增大或減小各種特征的關鍵尺寸。

圖1A到圖1G是根據(jù)本公開一些示例性實施例的制作堆疊單元層的方 法中的各個階段的示意圖。

圖2A到圖2H是根據(jù)本公開一些其他示例性實施例的制作堆疊單元層 的方法中的各個階段的示意圖。

圖3A到圖3G是根據(jù)本公開一些示例性實施例的制作堆疊區(qū)塊結構的 方法中的各個階段的示意圖。