[發明專利]半導體結構、形成堆疊單元層及堆疊二維材料層的方法

在審

• 申請號: 202210055173.8
• 申請日: 2022-01-18
• 公開（公告）號: CN115498011A
• 公開（公告）日: 2022-12-20
• 發明（設計）人: 沈新偉;陳則安;李東穎;李連忠
• 申請（專利權）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: H01L29/06
• 分類號: H01L29/06;H01L29/78;H01L21/336
• 代理公司: 南京正聯知識產權代理有限公司 32243
• 代理人: 顧伯興

1.一種半導體結構，包括：

半導體襯底；

多個堆疊單元，在所述半導體襯底之上沿著第一方向向上堆疊，其中所述堆疊單元中的每一者包括第一鈍化層、第二鈍化層及夾置在所述第一鈍化層與所述第二鈍化層之間的溝道層；

導電結構，設置在所述半導體襯底上且包繞在所述多個堆疊單元周圍；

多個介電質，環繞所述多個堆疊單元且將所述多個堆疊單元與所述導電結構隔開；

第一電極條帶與第二電極條帶，位于所述導電結構的兩個相對的側上；以及

多個接觸結構，在與所述第一方向垂直的第二方向上延伸，其中所述多個接觸結構將所述多個堆疊單元中的每一者的所述溝道層連接到所述第一電極條帶及所述第二電極條帶。

2.根據權利要求1所述的半導體結構，還包括多個側介電層，所述多個側介電層位于所述多個介電質的中間，且將所述多個堆疊單元與所述導電結構隔開。

3.根據權利要求1所述的半導體結構，其中所述溝道層是過渡金屬二硫化物，且所述第一鈍化層及所述第二鈍化層是六方氮化硼。

4.根據權利要求1所述的半導體結構，其中所述導電結構包括第一部分及第二部分，所述第一部分覆蓋所述多個堆疊單元中的每一者的頂表面及底表面，且所述第二部分連接到所述第一部分且覆蓋所述多個堆疊單元中的每一者的側壁。

5.根據權利要求1所述的半導體結構，其中所述第一電極條帶的高度及所述第二電極條帶的高度實質上等于所述導電結構的高度。

6.一種形成堆疊單元層的方法，包括：

形成第一堆疊單元層，包括：

使用貼合到溝道材料的第一表面的支撐膜從第一襯底剝離所述溝道材料；

將所述支撐膜反向貼合到所述第一襯底，使得所述溝道材料的第二表面背對所述第一襯底，其中所述第二表面與所述第一表面相對；

在所述溝道材料的所述第二表面上貼合第一鈍化材料；

將所述溝道材料與所述第一鈍化材料一起反向堆疊在第二襯底上，使得所述溝道材料的所述第一表面背對所述第二襯底；

移除所述支撐膜以顯露出所述溝道材料的所述第一表面；以及

在所述溝道材料的所述第一表面上貼合第二鈍化材料，以形成由所述第一鈍化材料、所述溝道材料及所述第二鈍化材料構成的所述第一堆疊單元層。

7.根據權利要求6所述的方法，還包括：

在從所述第一襯底剝離所述溝道材料之前，在所述溝道材料的所述第一表面上形成金屬層；

使用所述支撐膜將所述溝道材料與所述金屬層一起從所述第一襯底剝離；

將所述支撐膜反向貼合到所述第一襯底，使得所述溝道材料的所述第二表面背對所述第一襯底，且所述金屬層位于所述溝道材料與所述第一襯底的中間；以及

在將所述溝道材料與所述第一鈍化材料一起反向堆疊在所述第二襯底上之后，將所述支撐膜與所述金屬層一起移除，以顯露出所述溝道材料的所述第一表面。

8.根據權利要求6所述的方法，還包括：

在所述第一堆疊單元層之上堆疊第二堆疊單元層，其中所述第二堆疊單元層由第一鈍化材料、溝道材料及第二鈍化材料構成。