[發(fā)明專利]用于封裝單元測(cè)試的真空測(cè)試平臺(tái)和系統(tǒng)

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202210054241.9
• 申請(qǐng)日: 2022-01-18
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN114414140A
• 公開(kāi)（公告）日: 2022-04-29
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 王傳瑤;趙林
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 英特爾產(chǎn)品（成都）有限公司;英特爾公司
• 主分類號(hào): G01L21/00
• 分類號(hào): G01L21/00;G01B11/16
• 代理公司: 北京永新同創(chuàng)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11376
• 代理人: 林錦輝;劉景峰

本公開(kāi)提供了一種真空測(cè)試平臺(tái)，包括：真空適配器，所述真空適配器具有中空的腔體，其頂表面具有多個(gè)開(kāi)口并且用于承載待測(cè)試的封裝單元；真空發(fā)生裝置，用于在所述真空適配器與所述待測(cè)試的封裝單元之間形成的氣體連通的密閉空間中生成預(yù)定的真空度；以及真空傳感器，用于感測(cè)所生成的真空度。本公開(kāi)還提供了一種用于翹曲度檢測(cè)系統(tǒng)。

技術(shù)領(lǐng)域

本公開(kāi)總體上涉及半導(dǎo)體封裝領(lǐng)域，以及更具體地，涉及用于封裝單元測(cè)試的真空測(cè)試平臺(tái)和系統(tǒng)。

背景技術(shù)

在集成電路的封裝過(guò)程中，需要將封裝單元(例如，CPU、南橋芯片、北橋芯片等)傳送到不同的設(shè)備處，這通常通過(guò)真空塔和傳送裝置來(lái)實(shí)現(xiàn)。在需要傳送封裝單元時(shí)，真空塔對(duì)準(zhǔn)封裝單元并且將真空塔的真空腔抽吸至真空，從而使得真空塔產(chǎn)生足夠的吸力吸住封裝單元并且在大氣壓的作用下將封裝單元保持固定在真空塔上，進(jìn)而通過(guò)傳送裝置將封裝單元傳送至適當(dāng)?shù)奈恢谩?/p>

在封裝單元的傳送過(guò)程中不能對(duì)封裝單元造成損傷，然而，通過(guò)真空塔產(chǎn)生的吸力吸住封裝單元有時(shí)會(huì)導(dǎo)致封裝單元的翹曲。如果傳送過(guò)程中真空塔產(chǎn)生的吸力導(dǎo)致封裝單元的翹曲過(guò)大，則在后續(xù)封裝時(shí)基板與所附接的封裝單元之間可能不連接，從而導(dǎo)致封裝單元的電失效。因此，需要獲悉封裝過(guò)程中真空塔的使用對(duì)封裝單元的翹曲度的影響。

為了獲悉真空塔的使用對(duì)封裝單元的翹曲度的影響，需要測(cè)試真空塔的真空腔的不同真空條件對(duì)封裝單元的翹曲度的影響。然而，在進(jìn)行封裝時(shí)，各封裝單元設(shè)置在相應(yīng)的真空塔上并且通過(guò)真空發(fā)生裝置(例如，真空泵)在真空塔的真空腔中生成真空，以產(chǎn)生吸力吸附相應(yīng)的封裝單元。為了提高封裝效率，通常以陣列形式設(shè)置多個(gè)封裝單元，例如以9ⅹ4陣列形式設(shè)置多個(gè)封裝單元。如果直接測(cè)試真空塔的真空腔的不同真空條件對(duì)這種以陣列形式設(shè)置的多個(gè)封裝單元的翹曲度的影響，則需要一個(gè)很大的真空測(cè)試平臺(tái)，并且測(cè)試過(guò)程中吸附陣列中的某一封裝單元的真空塔的真空腔的泄漏也會(huì)影響吸附該陣列的其它封裝單元的真空塔的真空腔的真空度，從而不能測(cè)試真空塔的使用對(duì)這種以陣列形式設(shè)置的封裝單元的翹曲度的影響。

因此，需要一種用于封裝單元測(cè)試的真空測(cè)試平臺(tái)和系統(tǒng)，其能夠模擬實(shí)際生產(chǎn)環(huán)境并且精確測(cè)試真空塔的真空腔的不同真空條件對(duì)待測(cè)試的封裝單元的翹曲度的影響。

發(fā)明內(nèi)容

根據(jù)本公開(kāi)的實(shí)施例，提供了一種真空測(cè)試平臺(tái)，包括：真空適配器，所述真空適配器具有中空的腔體，其頂表面具有多個(gè)開(kāi)口并且用于承載待測(cè)試的封裝單元；真空發(fā)生裝置，用于在所述真空適配器與所述待測(cè)試的封裝單元之間形成的氣體連通的密閉空間中生成預(yù)定的真空度；以及真空傳感器，用于感測(cè)所生成的真空度。

在一些實(shí)施例中，所述真空測(cè)試平臺(tái)還包括控制器，所述控制器連接至所述真空發(fā)生裝置和所述真空傳感器，并且被配置為通過(guò)控制所述真空發(fā)生裝置的運(yùn)行來(lái)控制所生成的真空度。

在一些實(shí)施例中，所述多個(gè)開(kāi)口的形狀是相同的。

在一些實(shí)施例中，所述多個(gè)開(kāi)口的形狀是不同的。

在一些實(shí)施例中，所述真空適配器由硬塑料或金屬制成。

在一些實(shí)施例中，所述硬塑料為環(huán)氧樹(shù)脂、有機(jī)硅樹(shù)脂或丙烯酸樹(shù)脂中的任一種。

在一些實(shí)施例中，所述金屬為鈦、鋯、鎳合金或鋁合金中的任一種。

在一些實(shí)施例中，所述適配器的頂表面具有長(zhǎng)方形、正方形、圓形或其他形狀中的任意一種。

在一些實(shí)施例中，所述長(zhǎng)方形的長(zhǎng)度和寬度分別為100毫米和60毫米。

在一些實(shí)施例中，所述真空發(fā)生裝置為真空泵。

在一些實(shí)施例中，所述真空發(fā)生裝置為利用壓縮空氣產(chǎn)生真空度的真空發(fā)生器。

在一些實(shí)施例中，所述真空傳感器為壓阻式真空傳感器。