[發(fā)明專利]用于封裝單元測(cè)試的真空測(cè)試平臺(tái)和系統(tǒng)在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202210054241.9 | 申請(qǐng)日: | 2022-01-18 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN114414140A | 公開(kāi)(公告)日: | 2022-04-29 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 王傳瑤;趙林 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 英特爾產(chǎn)品(成都)有限公司;英特爾公司 |
| 主分類號(hào): | G01L21/00 | 分類號(hào): | G01L21/00;G01B11/16 |
| 代理公司: | 北京永新同創(chuàng)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11376 | 代理人: | 林錦輝;劉景峰 |
| 地址: | 611731 四川省成*** | 國(guó)省代碼: | 四川;51 |
| 權(quán)利要求書(shū): | 查看更多 | 說(shuō)明書(shū): | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 用于 封裝 單元測(cè)試 真空 測(cè)試 平臺(tái) 系統(tǒng) | ||
1.一種真空測(cè)試平臺(tái),包括:
真空適配器,所述真空適配器具有中空的腔體,其頂表面具有多個(gè)開(kāi)口并且用于承載待測(cè)試的封裝單元;
真空發(fā)生裝置,用于在所述真空適配器與所述待測(cè)試的封裝單元之間形成的氣體連通的密閉空間中生成預(yù)定的真空度;以及
真空傳感器,用于感測(cè)所生成的真空度。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的真空測(cè)試平臺(tái),還包括控制器,所述控制器連接至所述真空發(fā)生裝置和所述真空傳感器,并且被配置為通過(guò)控制所述真空發(fā)生裝置的運(yùn)行來(lái)控制所生成的真空度。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的真空測(cè)試平臺(tái),其中,所述多個(gè)開(kāi)口的形狀是相同的。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的真空測(cè)試平臺(tái),其中,所述多個(gè)開(kāi)口的形狀是不同的。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的真空測(cè)試平臺(tái),其中,所述真空適配器由硬塑料或金屬制成。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的真空測(cè)試平臺(tái),其中,所述硬塑料為環(huán)氧樹(shù)脂、有機(jī)硅樹(shù)脂或丙烯酸樹(shù)脂中的任一種。
7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的真空測(cè)試平臺(tái),其中,所述金屬為鈦、鋯、鎳合金或鋁合金中的任一種。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的真空測(cè)試平臺(tái),其中,所述適配器的頂表面具有長(zhǎng)方形、正方形、圓形或其他形狀中的任意一種。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的真空測(cè)試平臺(tái),其中,所述長(zhǎng)方形的長(zhǎng)度和寬度分別為100毫米和60毫米。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的真空測(cè)試平臺(tái),其中,所述真空發(fā)生裝置為真空泵。
11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的真空測(cè)試平臺(tái),其中,所述真空發(fā)生裝置為利用壓縮空氣產(chǎn)生真空度的真空發(fā)生器。
12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的真空測(cè)試平臺(tái),其中,所述真空傳感器為壓阻式真空傳感器。
13.一種翹曲度檢測(cè)系統(tǒng),包括:
根據(jù)權(quán)利要求1-12中的任一項(xiàng)所述的真空測(cè)試平臺(tái);
真空塔,所述真空塔具有從第一表面延伸至相對(duì)的第二表面的開(kāi)口并且設(shè)置在所述真空適配器和所述待測(cè)試的封裝單元之間,所述待測(cè)試的封裝單元在測(cè)試時(shí)在所述第一表面處完全覆蓋所述真空塔的開(kāi)口,所述第二表面與所述真空適配器的頂表面氣密地耦合并且所述真空塔的開(kāi)口與所述適配器的頂表面的所述多個(gè)開(kāi)口中的一個(gè)開(kāi)口連通,從而在所述真空適配器與所述待測(cè)試的封裝單元之間形成所述氣體連通的密閉空間;以及
激光檢測(cè)裝置,用于檢測(cè)所述待測(cè)試的封裝單元在不同真空度條件下的翹曲度。
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的翹曲度檢測(cè)系統(tǒng),其中,所述激光檢測(cè)裝置為白光干涉儀。
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