[發明專利]微波饋口位置優化方法、系統、微波爐及存儲介質在審
| 申請號: | 202210052424.7 | 申請日: | 2022-01-18 |
| 公開(公告)號: | CN114494592A | 公開(公告)日: | 2022-05-13 |
| 發明(設計)人: | 張福興;何瑞華 | 申請(專利權)人: | 湖南興元科技股份有限公司 |
| 主分類號: | G06T17/00 | 分類號: | G06T17/00;G06F30/10 |
| 代理公司: | 南京普睿益思知識產權代理事務所(普通合伙) 32475 | 代理人: | 曹花 |
| 地址: | 410000 湖南省長沙*** | 國省代碼: | 湖南;43 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 微波 位置 優化 方法 系統 微波爐 存儲 介質 | ||
1.一種微波饋口位置優化方法,應用于微波爐,其特征在于,所述微波饋口位置優化方法包括:
獲取微波爐尺寸,并基于所述微波爐尺寸構建微波爐三維模型;
在所述微波爐三維模型相互垂直的腔體內壁上分別模擬設置兩個相互垂直的微波饋口、并為所述微波爐三維模型設置邊界條件與激勵條件;
基于設定的微波評價系數為所述兩個微波饋口的相對位置參數構建參數模型,所述相對位置參數是兩個微波饋口分別在所述微波爐三維模型中的三維坐標參數,所述微波評價系數為微波能量反射系數與電場均勻性評價系數;
對所述參數模型的三維坐標進行參數賦值、掃描與計算,得出不同參數條件下的微波評價系數;
判斷所述微波評價系數是否符合預設的最優條件;
若所述微波評價系數符合所述預設的最優條件,則確定出所述兩個微波饋口的最優相對位置參數;
若所述微波評價系數不符合所述預設的最優條件,則繼續對所述參數模型的三維坐標進行參數賦值、掃描與計算,直至所述微波評價系數符合所述預設的最優條件。
2.根據權利要求1所述的微波饋口位置優化方法,應用于微波爐,其特征在于,所述獲取微波爐尺寸,并基于所述微波爐尺寸構建微波爐三維模型之前,所述方法還包括:
在所述微波爐相互垂直的腔體內壁上預先設置有兩個相互垂直的微波饋口,并在微波爐內部設置一個分別與兩個微波饋口連接的驅動構件,所述驅動構件能接收驅動信號并基于所述驅動信號調整所述兩個微波饋口的位置。
3.根據權利要求2所述的微波饋口位置優化方法,應用于微波爐,其特征在于,所述若所述微波評價系數符合所述預設的最優條件,則確定出所述兩個微波饋口的最優相對位置參數之后,所述方法還包括:
基于所述兩個微波饋口的最優相對位置參數生成對應的驅動信號,并將所述驅動信號發送至所述微波爐的驅動構件。
4.根據權利要求1所述的微波饋口位置優化方法,應用于微波爐,其特征在于,所述邊界條件為在所述微波爐三維模型中模擬設置的兩個微波饋口均為標準BJ-22矩形波端口,并且在兩個微波饋口處模擬設置的電磁波分布為標準正弦分布;所述激勵條件為在所述微波爐三維模型中腔體的內壁邊界模擬設置為電導率無窮大的理想電導體邊界。
5.根據權利要求1所述的微波饋口位置優化方法,應用于微波爐,其特征在于,所述相互垂直的腔體內壁可以為微波爐的腔體頂端和腔體前端;所述微波能量反射系數為微波反射功率和入射功率之比;所述電場均勻性評價系數為電場的變異系數,即電場標準差和電場平均值之比;所述預設的最優條件為所述微波能量反射系數的最優閾值范圍、以及所述電場均勻性評價系數的最優閾值范圍。
6.根據權利要求5所述的微波饋口位置優化方法,應用于微波爐,其特征在于,所述對所述參數模型的三維坐標進行參數賦值、掃描與計算之后,所述方法還包括:
根據預設的方程組計算得出不同參數條件下的微波評價系數,所述預設的方程組包括頻域亥姆霍茲方程和固體傳熱方程。
7.根據權利要求5所述的微波饋口位置優化方法,應用于微波爐,其特征在于,所述若所述微波評價系數符合所述預設的最優條件,則確定出所述兩個微波饋口的最優相對位置參數之后,所述方法還包括:
為所述微波爐三維模型設置多邊優化條件,所述多邊優化條件包括被加熱物體的旋轉狀態、被加熱物體的尺寸、以及被加熱物體的溫度;
為所述多邊優化條件賦值參數,并計算不同參數條件下的所述微波評價系數;
判斷所述微波評價系數是否符合所述預設的最優條件,若所述微波評價系數符合所述預設的最優條件,則確定出所述兩個微波饋口更新的最優相對位置參數。
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