[發明專利]一種鉑輔助催化的碳納米管生長方法

在審

• 申請號: 202210050762.7
• 申請日: 2022-01-17
• 公開（公告）號: CN114635121A
• 公開（公告）日: 2022-06-17
• 發明（設計）人: 唐紅斌;董長昆
• 申請（專利權）人: 溫州大學
• 主分類號: C23C16/26
• 分類號: C23C16/26;C01B32/162;C23C14/16;C23C14/34;C23C16/02
• 代理公司: 溫州名創知識產權代理有限公司 33258
• 代理人: 陳加利

1.一種鉑輔助催化的碳納米管生長方法，其特征在于：

(1)預處理：對含鎳或其它催化金屬的金屬基片進行陽極氧化處理，然后對金屬基片進行表面清洗、和干燥；

(2)將預處理過的金屬基片表面上濺射鉑層，濺射完成后；

(3)將步驟(2)處理后的金屬基片放在CVD系統中進行生長碳納米管。

2.根據權利要求1所述的一種鉑輔助催化的碳納米管生長方法，其特征在于：所述的步驟(3)為：將沉積室抽真空，加熱至500℃時通入Ar或氮氣氣體作為保護氣體，溫度升高至600-800℃時通入碳源氣體進行碳納米管生長，所述的碳源氣體為C₂H₂或其它碳氫氣體，生長完成后關閉碳源氣體，冷卻至室溫后關閉Ar氣得到碳納米管成品。

3.根據權利要求1所述的一種鉑輔助催化的碳納米管生長方法，其特征在于：所述的步驟(2)中，濺射鉑層的具體工藝包括：將濺射鍍膜系統抽真空至本底工作壓強，隨后在系統中通入濺射氣體，在高于本底壓強的條件下，濺射數秒至數分鐘時間在金屬基底上沉積鉑金屬膜。