[發(fā)明專利]高可靠性發(fā)光二極管

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 202210050533.5
• 申請日: 2017-10-11
• 公開（公告）號: CN114388683A
• 公開（公告）日: 2022-04-22
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 吳世熙;金賢兒;李俊燮;姜珉佑;林亨鎮(zhèn)
• 申請（專利權(quán)）人: 首爾偉傲世有限公司
• 主分類號: H01L33/64
• 分類號: H01L33/64;H01L33/38;H01L33/44;H01L33/46;H01L33/60;H01L33/62;H01L27/15
• 代理公司: 北京銘碩知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11286
• 代理人: 李盛泉;姜長星

提供一種高可靠性發(fā)光二極管。發(fā)光二極管，包括：第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層；臺面，布置在第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層上，并且包括第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層以及布置在第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層和第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層之間的活性層；歐姆反射層，布置在臺面上而與第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層歐姆接觸；下部絕緣層，覆蓋臺面以及歐姆反射層，并且局部地暴露第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層以及歐姆反射層；第一焊盤金屬層，布置在下部絕緣層上，并且與第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層電連接；金屬反射層，布置在下部絕緣層上，并且與第一焊盤金屬層在水平方向上相隔；以及上部絕緣層，覆蓋第一焊盤金屬層以及金屬反射層，并且具有暴露第一焊盤金屬層的開口部，金屬反射層的至少一部分覆蓋臺面的側(cè)表面。

本申請是國際申請日為2017年10月11日、申請?zhí)枮?01780075097.4的發(fā)明專利申請“高可靠性發(fā)光二極管”的分案申請。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及一種發(fā)光二極管，更詳細(xì)地，涉及一種高可靠性發(fā)光二極管。

背景技術(shù)

通常，如氮化鎵(GaN)、氮化鋁(AlN)等Ⅲ族元素的氮化物由于熱穩(wěn)定性優(yōu)異，并且具有直接遷移型的能帶(band)結(jié)構(gòu)，因此作為可見光線以及紫外線區(qū)域的光源用物質(zhì)而正受到諸多關(guān)注。尤其是，利用氮化銦鎵(InGaN)的藍(lán)色以及綠色發(fā)光二極管被利用在諸如大型天然色平板顯示裝置、信號燈、室內(nèi)照明、高密度光源、高分辨率輸出系統(tǒng)和光通信等多種應(yīng)用領(lǐng)域。

發(fā)光二極管一般經(jīng)過封裝工藝而以封裝件形態(tài)使用。然而最近，對于發(fā)光二極管正在進(jìn)行著關(guān)于在芯片級進(jìn)行封裝工藝的芯片級封裝件形態(tài)的發(fā)光二極管的研究。這種發(fā)光二極管由于其大小小于一般封裝件，并且不單獨(dú)執(zhí)行封裝工藝，因此可以更加簡化工藝而節(jié)約時(shí)間以及成本。芯片級封裝件形態(tài)的發(fā)光二極管大致具有倒裝芯片形態(tài)的電極結(jié)構(gòu)，并且由于可以利用凸塊焊盤而散熱，因此散熱特性優(yōu)異。

并且，芯片級封裝件形態(tài)的發(fā)光二極管一般在第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層電接觸的焊盤金屬層具有相當(dāng)大的面積，并且向臺面外部延伸。這種焊盤金屬層容易受從發(fā)光二極管的邊緣滲透的水分的影響，從而容易發(fā)生接觸不良等可靠性問題。

此外，正在開發(fā)將多個(gè)發(fā)光單元串聯(lián)連接的發(fā)光二極管。這種發(fā)光二極管可以使一個(gè)發(fā)光二極管在高電壓低電流下工作，從而可以緩解發(fā)光二極管的驟降(droop)現(xiàn)象。

然而，在串聯(lián)連接多個(gè)發(fā)光單元的情形下，凸塊焊盤被電連接到一個(gè)發(fā)光單元，因此在沒有電連接于凸塊焊盤的發(fā)光單元，通過凸塊焊盤進(jìn)行的散熱可能受到限制。

發(fā)明內(nèi)容

技術(shù)問題

本發(fā)明希望解決的課題為，提供一種提高了可靠性的芯片級封裝件形態(tài)的倒裝芯片結(jié)構(gòu)發(fā)光二極管。

本發(fā)明希望解決的另一課題為，提供一種可靠性高并且光提取效率高的發(fā)光二極管。

本發(fā)明希望解決的另一課題為，提供一種提高了散熱效率的發(fā)光二極管。

本發(fā)明希望解決的另一課題為，提供一種具有串聯(lián)連接的多個(gè)發(fā)光單元的同時(shí)散熱性能也被提高的發(fā)光二極管。

本發(fā)明希望解決的另一課題為，提供一種提高了通過凸塊焊盤進(jìn)行的散熱的芯片級封裝件形態(tài)的倒裝芯片結(jié)構(gòu)發(fā)光二極管。

技術(shù)方案