[發明專利]高可靠性發光二極管

在審

• 申請號: 202210050533.5
• 申請日: 2017-10-11
• 公開（公告）號: CN114388683A
• 公開（公告）日: 2022-04-22
• 發明（設計）人: 吳世熙;金賢兒;李俊燮;姜珉佑;林亨鎮
• 申請（專利權）人: 首爾偉傲世有限公司
• 主分類號: H01L33/64
• 分類號: H01L33/64;H01L33/38;H01L33/44;H01L33/46;H01L33/60;H01L33/62;H01L27/15
• 代理公司: 北京銘碩知識產權代理有限公司 11286
• 代理人: 李盛泉;姜長星

1.一種發光元件，包括：

第一導電型半導體層；

臺面，布置在所述第一導電型半導體層上，并且包括第二導電型半導體層以及布置在所述第一導電型半導體層與第二導電型半導體層之間的活性層；

歐姆層，布置在所述臺面上而與所述第二導電型半導體層歐姆接觸；

下部絕緣層，覆蓋所述臺面以及歐姆層，并且局部地暴露所述第一導電型半導體層以及所述歐姆層；

第一焊盤金屬層，布置在所述下部絕緣層上，并且與所述第一導電型半導體層電連接；

金屬反射層，與所述第一焊盤金屬層在水平方向上相隔；以及

上部絕緣層，覆蓋所述第一焊盤金屬層以及所述金屬反射層，并且具有暴露所述第一焊盤金屬層的開口部，

其中，所述臺面的邊緣包括朝向臺面區域內側凹陷的多個槽，所述下部絕緣層在所述多個槽暴露所述第一導電型半導體層。

2.根據權利要求1所述的發光元件，其中，

所述多個槽對稱布置。

3.根據權利要求1所述的發光元件，包括：

第一凸塊焊盤以及第二凸塊焊盤，形成于所述上部絕緣層上，

中央區域，形成于第一凸塊焊盤與第二凸塊焊盤之間。

4.根據權利要求3所述的發光元件，其中，

所述臺面包括多個貫通孔，暴露所述第一導電型半導體層，從上面觀察時，所述多個貫通孔布置于所述中央區域。

5.根據權利要求1所述的發光元件，其中，

所述第一導電型半導體層形成在基板上，相比于所述第一導電型半導體層的側面，所述活性層的側面遠離所述基板的邊緣。

6.根據權利要求1所述的發光二極管，其中，

所述金屬反射層利用與所述第一焊盤金屬層相同的材料形成，并且堆疊有Al、Ti、Ni、Cr、Au中的至少兩個物質。

7.根據權利要求1所述的發光元件，其中，

所述第一焊盤金屬層的邊緣與所述金屬反射層的邊緣以彼此面對并圍繞的方式布置。

8.根據權利要求1所述的發光二極管，其中，

使所述第一焊盤金屬層以及所述金屬反射層暴露的開口部以彼此不重疊的方式在橫向上相隔。

9.根據權利要求1所述的發光元件，其中，

相比于所述第一導電型半導體層的側面，所述活性層的側面遠離所述基板的邊緣。

10.根據權利要求1所述的發光元件，其中，

上部絕緣層利用包括SiO₂的分布布拉格反射器形成，并且朝向所述臺面側面的外側延伸。